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为了确保金属污染物不会对IC器件产生不利影响，必须监测和控制晶圆表面微量金属的浓度。晶圆表面的裸硅层在暴露于大气中的氧气和水分时会迅速氧化为SiO 2 ，这层自然氧化层的厚度小于2纳米（一个SiO 2 分子）。如果IC设计中需要绝缘膜，则晶圆在O 2 或蒸汽存在下被加热到900–1200°C，从而在晶圆表面形成更厚的氧化层。这层热氧化层的厚度可达100纳米（0.1微米）。气相分解（VPD）结合ICP-MS可用于测量自然和热氧化的SiO 2 中极低浓度的微量金属。
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