机构名称：
¥ 1.0
MID-IR波长范围（通常定义为跨度为3至13 µm）覆盖了各种大气气体的分子吸收区域。因此，MID-IR集成光子学，即将复杂和先进的光学功能整合到芯片上，这代表了开发基于光谱的气体检测的紧凑，成本效益的仪器的有希望的途径[1-6]。这些结构通常是用光刻技术制造的，这些技术限制了所得设备的可重新配置和可调性。通过在介电波导顶部涂上额外的层[7]，证明了一些修剪后的后处理能力。走得更远，并为这些结构启用真正的后制成调音机制，一种有吸引力的方法是将它们与相变材料（PCM）相结合。这些材料可以可逆地在具有不同光学特性的无定形和晶体相之间切换。常规PCM的众所周知的例子是GE 2 SB 2 TE 5（GST）[8，9]和VO 2 [10-14]。GST由于其出色的特征而引起了强烈的关注，包括其两个阶段（∆ n> 2.5），低切换温度（〜180°C）之间的近红外折射率对比度以及保持其状态而无需任何电源的能力。在电信C波段上运行的许多集成设备，例如光学记忆[15]，模式转换器[16]，反射调节器[17]，环谐振器[18]，窄带过滤器[19]或基于GST的相位变速器[20] [20]。然而，尽管不断研究和提高其潜力的努力，但其可用性仍然主要限于要求光的应用
sb2s3作为MID-IR光子学的低损坏相变材料
主要关键词
相关文件推荐
