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摘要：综合硅光子学中的极化依赖性对量子技术的量子状态的操纵有害影响。这些限制对进一步的技术发展具有深远的影响，尤其是在量子光子互联网中。在这里，我们提出了一个基于340 nm厚的硅在绝缘子（SOI）平台上的独立于极化的马赫 - Zehnder干涉仪（MZI）结构。MZI促进了低损失，宽阔的操作带宽以及对制造不完美的宽敞耐受性。，对于横向电动（TE）和横向磁性（TM）模式，我们在100 nm带宽（1500 〜1600 nm）中实现了<10％的过剩损失，> 18 dB的灭绝无线电的灭绝无线电损失。我们在数值上证明了在1550 nm处两个极化的干扰可见性为99％，独立于极化的损失（PDL）为0.03 dB。此外，通过使用相补偿和自我形象的原理，我们将波导锥度的长度缩短了几乎一个数量级，而TE和TM极化的传输均达到95％。到目前为止，所提出的结构可以显着改善整合并促进整体式综合量子互联网的发展。
材料光子学
主要关键词
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