机构名称：
¥ 1.0
总结在这项研究中，低压蒸汽的方法用于使高质量的单层石墨烯具有铜板表面大面积的高面积。石墨烯的形成和质量受到基础CH4：H2的温度和比率的显着影响。最佳类单层石墨烯是在约1000°C的温度下进行的，生长周期为120分钟，而CH4：H2的比率为35：6 SCCM。反应室中的总压力在1.0至1.2托尔的范围内变化。峰值2d（〜63.43 cm-1）的峰（FWHM）与拉曼光谱的峰i2d/ig（〜3,10）的强度之比证实了单层石墨烯。石墨烯微不足道和高均匀性的残疾通过低圆形拉曼峰证实。已经评估了许多Khaists的温度和压力参数，是合成高品质石墨烯的最佳选择，有望在光学，电化学，电子和有毒气体传感器的领域打开新应用。
高质量单类石墨烯，区域
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