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在过去的十年中已经完成了巨大的工作,以使芯片上有效2(𝜒𝜒(2))和3阶非线性过程。虽然具有强大的材料(2)表现出巨大的希望,但在制造或可靠性方面,它们仍然面临许多挑战,并且保持CMO不兼容。为了克服这些局限性,我们将开发宽带的带隙第三代半导体碳化硅SIC。博士项目将着重于开发高级设计和技术,以利用和增强非线性矿石,并以Phosl的专业知识为基础。
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