光子学方法基于介电和半导体结构中E-和H-型MIE共振的激发已成为过去二十年来研究活动的对象。这些非质子共振技术被认为是创建新的超材料[1-6]并增加光电设备的量子产率[7,8]的途径。在这一领域的一个重要问题是可以设计MIE共鸣的特性。为实施MIE共振工程,可以在介电材料中实施从无定形到结晶状态的可逆过渡。特别是,可以使用结晶和进一步的激光诱导的这些SB 2 S 3谐振器[9]来实现SB 2 S 3纳米磁盘阵列中的可逆MIE共振调节。是一个理论上考虑了球形粒子的光散射,其介电常数在双倍频率下相对于入射光进行了调制,这表明有可能控制球体的MIE共振[10]。
主要关键词