机构名称：
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我们表明，通过在它们之间旋转角度堆叠两个ABC Trilayer形成的双倾斜ABC三层石墨烯是一个半导体，其间隙约为30 meV。重要的是，即使对于大角度，也可以观察到电子结构中的平坦带，并且电子的定位遵循与ABC Trilayer石墨烯相同的模式。我们的第一原理计算表明，这种行为至少适合从7度到21度的旋转角度。我们进一步研究了电荷重新分布作为角度的函数。低于两个度，电荷从旋转的层和AA区域逸出，移至外层。对于任何具有扭曲的外层（ABT）之一的ABA Trilayer来说，这种行为是一般的。我们的发现揭示了旋转石墨烯的某些特殊性，并解释了这些双层式和ABT系统上没有超导阶段。
碳-GISC-马德里大学合并
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