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石墨烯尚未被视为这些应用的理想电极材料。在当代研究中，人们普遍承认，将缺陷引入石墨烯的结晶晶格是一种有效的策略，可以增强这种出色的碳同质同种异体的HET活性。7,8尽管确切的潜在机制仍然是正在进行的侵犯的主题，但通常认为缺陷工程（表示缺陷的精确和定量调节）可能会破坏高度离域的p-互共轭系统。这种破坏反过来导致在费米水平附近的状态（DOS）的局部电子密度增加，从而增强了石墨烯在催化过程中的反应性。9 - 11缺陷工程中的一个著名大道需要增加石墨烯中的内在缺陷，包括边缘站点，空缺，孔和拓扑缺陷。这些内在缺陷因其增加活性位点的密度的潜力而被认可，从而提高了石墨烯的HET活性。12到达这一目标，已经提出了各种策略，包括通过微型加工制造石墨烯纳米纤维13,14和磨球15以及多环状芳族烃的化学合成。16 - 18更重要的是，通过诸如电子束蚀刻，19氧化蚀刻，20和血浆处理等方法，在石墨烯晶格上的空缺或孔的创建，21,22
文化遗产保护的新的可持续聚合物和低聚物
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