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摘要 - 电流镜是在Mi-Croelectronics中广泛使用的电路，尤其是在模拟IC设计中。它们作为原理是输出节点处参考电流的复制品的生成。本文旨在对NMOS电流镜的不同拓扑，特别是简单的电流镜，cascode电流镜和Wilson Current Mirror进行比较研究。我们分析了它们有关晶体管的通道宽度（W）和工作温度的电气特征。Cadence Virtuoso被用作模拟工具，目标过程技术为130 nm。结果，我们发现，通过增加晶体管的W，最小输出电压会降低。此外，我们注意到三个拓扑中的温度比输出电流产生的影响。最后，可以得出结论，当前的镜子遵循了主要文献的预期模式，并朝着代表命令MOSFET晶体管的主要方程式的方向融合。索引项 - cascode电流镜，简单电流镜，Wilson Current Mirror。
MOSFET电流镜的拓扑分析
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