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可编程的光子集成电路正在成为量子信息处理和人工神经网络等应用的有吸引力的平台。但是，由于商业铸造厂缺乏低功率和低损耗相变的速度，当前可编程电路的尺度能力受到限制。在这里，我们在硅光子铸造厂平台（IMEC的ISIPP50G）上演示了具有低功率光子微电体系统（MEMS）的紧凑相位变速器。该设备在1550 nm处达到（2.9π±π）相移，插入损耗为（0.33 + 0.15 - 0.10）dB，AVπ为（10.7 + 2.2 - 1.4）V，和（17.2 + 8.8-4.3）的Lπ。我们还测量了空气中1.03 MHz的致动带f -3 dB。我们认为，我们对硅光子铸造型兼容技术实现的低损坏和低功率光子磁化相位变速杆的证明将主要的障碍提升到可编程光子集成电路的规模上。©2021美国光学协会根据OSA开放访问出版协议的条款
硅光子微电力机电相位变速器可扩展可编程光子学
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