摘要:二维材料堆叠层的扭转层的应用导致Moiré模式的形成,并可能以决定性的方式改变系统电子性质。最初已证明这是扭曲的双层石墨烯,其相图包括非常规的超导性以及莫特绝缘状态。中间扭曲角度可作为一个参数驱动的中等相关的电子,使电子相关的态度是一个强烈相关的制度,这表明了用于高度控制材料的临时设计的新范式。铜 - 氧化薄膜和单层制造的最新进展为探索另一类扭曲的多层系统提供了一个机会,这些系统来自高温超导体。在这次演讲中,我概述了我们对扭曲的双层铜矿中超导状态的理论研究,在铜位点上,在微观T-J-U模型的框架中融合了铜位点上的强电子相关性。所获得的相图既包含无间隙的D波超导相位,又包含拓扑状态,它们会自发打破时间反转对称性。我们的结果将与最近的实验有关。
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