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推进下一代记忆和计算的抗铁磁旋转型
UC Riverside从UC国家实验室费用研究计划中获得400万美元
来源:加州大学河滨分校UC Riverside已获得UC国家实验室费用研究计划的近400万美元的合作研究和培训奖，以探讨如何使用抗Fiferromagnetic Spintronics在高级内存和计算中优势。
UC国家实验室费用研究计划这项为期三年的项目提议使用抗铁磁材料（一种超快自旋技术）推进微电子。
“半导体微电子行业正在寻找新材料，新现象和新机制来维持技术进步，” UCR杰出的物理与天文学教授，该奖项奖的首席研究员Jing Shi说。 “在加州大学圣地亚哥分校，加州大学戴维斯分校，加州大学洛杉矶分校和劳伦斯·利弗莫尔国家实验室的联合竞选调查人员中，我们的目标是巩固加利福尼亚大学在该地区的领导地位，并在不久的将来获得校外中心和集团资金。”
jing shi 物理和天文学旋转基因是基于自旋的电子，利用自旋，它指的是电子的固有角动量，用于信息处理。抗铁磁旋转型旋转器是一种更快，更紧凑的替代品，与硬盘驱动器和内存芯片等设备中使用的当前铁磁旋转型。
“在UCR领导该项目的情况下，我们有能力在全国范围内争夺《 Chips Act提供的新资金》，” Shi说。 《筹码法》为创造有用的激励措施提供了资金，以生产半导体（CHIP）为美国基金提供支持的国内生产半导体。
shi解释说，在铁磁材料中，所有电子旋转在相同方向上对齐，从而产生净磁矩。相比之下，抗铁磁铁具有交替的自旋方向，因此没有净磁矩。尽管如此，可以将相反对齐的旋转方向翻转以表示两个不同的状态，这些状态可用于存储器存储。
Igor Barsukov