XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System功率耗散
针对 5G 应用的 LNA 设计
1. 简介 低噪声放大器 (LNA) 是无线通信中常用的 RF 接收器的主要模块和第一级。它常用于放大接收天线接收到的弱信号。LNA 的内部噪声极小，因此对系统噪声的影响并不大 [1]-[2]。由于 LNA 是 RF 前端接收器的主要部分，因此在设计 LNA 时应考虑低噪声系数 (NF) 和高增益等规格，以保持整体接收器 NF 较低。LNA 在通信领域有许多应用，例如无线通信、天文学应用、雷达和卫星通信、电信等。增益、噪声系数、输入回波损耗和输出回波损耗是 LNA 的基本规格。为了表示这些规格，使用放大器的 S 参数。除了这些特性之外，设计 LNA 时还需要考虑的其他一些特性包括线性度、稳定性、带宽和功率耗散。
实验和模型
摘要：提出了一个分析子阈值摇摆（SS）模型，以观察当堆叠的SIO 2-中的FERROCTRIC结构用作无连接双门（JLDG）MOSFET的氧化物膜时，SS的变化。60 mV/dec的SS对于在保持晶体管性能的同时减少功率耗散至关重要。如果使用具有负电容（NC）效应的铁电材料，则可以将SS降低到60 mV/dec以下。使用2D电势分布，SS与从漏极电流和栅极之间的关系得出的SS相吻合。作为分析SS模型得出的结果，发现通过调节硅频道，SIO 2和铁电的厚度，也可以在15 nm通道长度下获得60 mV/dec的SS。，随着SIO 2的厚度的增加，SS根据铁电厚度的变化饱和，并且随着硅通道的厚度减小，几乎是恒定的。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
采用硬软混合策略的柔性低k聚合物
近年来，由于公众的巨大需求，电子产品，特别是便携式显示器、通讯和医疗设备引起了极大的研究兴趣。1,2为各种功能芯片提供机械支撑和电气互连的柔性材料在柔性电子器件的运行中起着重要作用。聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚碳酸酯、聚酰亚胺等聚合物材料因其易于使用、轻便、耐用等优点，在电子工业中被广泛使用。3 – 7然而，电子产品中使用的聚合物通常是热塑性树脂，其热稳定性较低。为了实现器件性能的不断进步，需要具有低介电常数（k）的柔性聚合物来降低互连电阻/容量延迟、串扰和功率耗散。8 – 10然而，电子产品中的典型聚合物通常具有较高的k（高于3.0），这限制了它们在未来柔性电子产品中的应用。11,12
CP2101规格
CP2101是一种高效的单芯片，高级，灵活，符合QI的无线电源接收器，其目标是10W。它具有很高的集成，低功耗。CP2101接收器使用近场电磁感应原理的功率，功率传输是通过在发射器线圈（主要）和接收器线圈（次级）之间耦合的，从次级到主的全局反馈以使用QI V1.2.2.4协议来控制电源传递过程。CP2101集成了低电阻同步整流器（AC至DC），低丢弃调节器（LDO），准确的电压和电流循环，以提高高效率并降低功率耗散。CP2101还将MCU集成为控制器，该控制器符合QI标准，它可以计算移动设备接收到的功率量，然后控制器将此信息传达给发射器，以允许发射器确定是否存在磁性界面中的异物
制造具有集成载流导线的表面离子阱以实现高磁场梯度
摘要 量子计算机面临的一个主要挑战是可扩展的量子门同时执行。在囚禁离子量子计算机中解决这一问题的一种方法是基于静态磁场梯度和全局微波场实现量子门。在本文中，我们介绍了表面离子阱的制造方法，其中集成的铜载流导线嵌入在离子阱电极下方的基板内，能够产生高磁场梯度。在室温下测得的铜层薄层电阻为 1.12 m Ω /sq，足够低，可以实现复杂的设计，而不会在大电流下产生过多的功率耗散导致热失控。在 40 K 的温度下，薄层电阻降至 20.9 μ Ω /sq，残余电阻比的下限为 100。可以施加 13 A 的连续电流，导致在离子位置处模拟磁场梯度为 144 T m − 1，对于我们设计中的特定反平行线对，该位置距离陷阱表面 125 μ m。
介意（空气）差距 - 成功的TIM
在集成电路应用中的TIM使用的简化说明如图1所示。在系统的这种简化视图中，由高导热金属构建的集成散热器（IHS）将与周围或含量温度构建。硅死亡，当电路活跃时，会产生明显的热量。例如，在数据中心中使用的现代微处理器通常会以每平方厘米100瓦（100W/cm 2）的速度产生功率密度。挑战是将热量从硅死亡中消失，同时最大程度地减少死亡温度的升高（称为连接温度）。TIM的工作是为这种热量提供有效的管道，以逃避死亡。最小化连接温度升高的能力至关重要，因为半导体的有用寿命与其连接温度i成反比。这种现象通常被建模为热电阻，ja，它具有每瓦的开尔文单位（k/w）。当控制环境温度并已知功率耗散时，很容易计算硅连接温度：
MCT2、MCT2E 光耦合器 - BG-Electronics GmbH
输入输出电压：MCT2 ± 1.5 kV。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。MCT2E ± 3.55 kV。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。集电极-基极电压 70 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。集电极-发射极电压（见注释 1）30 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。发射极-集电极电压 7 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。发射极-基极电压 7 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入二极管反向电压 3 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入二极管连续正向电流 60 mA。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>........输入二极管峰值正向电流 (t w ≤ 1 ns, PRF ≤ 300 Hz) 3 A .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>.25°C 自然通风温度下（或低于）的连续功率耗散：红外发光二极管（见注释 2）200 mW .. < /div>...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。光电晶体管（见注 2）200 mW。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。红外发射二极管加光电晶体管总计（见注释 3）250 mW。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围，T A –55 °C 至 100 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。存储温度范围，T stg –55 °C 至 150 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。距外壳 1.6 毫米（1/16 英寸）的引线温度 10 秒 260 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
基于两个...
由于晶体管转弯式的锁骨限制，几乎无法将其推向深-1-V范围。因此，电源电压的任何降低都需要相应地降低阈值电压，从而导致源漏水泄漏电流增加，高相关的静态功率耗散，电路延迟和有限的噪声率。2,3然而，人们对改善计算能力的需求增长，以处理大量数据，4降低能源对移动和自动型系统的能源消耗，以及 - 此外，还采用了新型的系统体系结构方法来提高电子系统的安全性。5这些未来的应用需要在给定的领域中集成更多的计算能力，同时又可以节能，这使得对新设备概念和计算机架构的研究越来越重要。最近，在设备级别提供运行时可重构性的新兴技术表明，其潜力超出了克服这些挑战的常规互补金属氧化物半导体（CMOS）技术。不限于缩放，核心概念是扩展单个设备组件的功能。6-