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World File Search System单晶
单晶可折叠的太阳能行李箱，带有Voyager
具有易于使用和插入式设计的设计，该手提箱专为空间和重量限制的移动离网应用程序而设计。手提箱支持12V或24V深循环凝胶密封的铅酸电池（凝胶），洪水含量酸的电池（FLD），密封的铅酸电池（SLD/AGM）或磷酸铁磷酸锂电池（LI）。
性能稳定的PMN-PT和PIN-PMN-PT压电单晶
压电材料响应施加的电场，从施加的机械应力或机械应变中产生电荷。在最近的汽车中，它们用于测量道路状况的压力传感器和检测障碍物的后声纳。Pb(Zr,Ti)O 3 (以下简称 PZT) 陶瓷是一种铁电材料，已广泛应用于压电应用。然而，在过去的几十年里，已经开发出压电性能超过 PZT 陶瓷的 Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 -PbTiO 3 (以下简称 PMN-PT) 和 Pb(In 1/2 Nb 1/2 )O 3 -Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 -PbTiO 3 (以下简称 PIN-PMN-PT) 单晶 1, 2)。由于这些单晶具有优异的压电性能（压电常数d 33 高达2 000 pC/N，机电耦合因子k 33 高达0.9），可以提高医学超声图像的质量。
AI引导的缺陷检测技术，以建模单晶
摘要。从过程发展的角度来看，通过化学蒸气沉积的钻石生长取得了显着的进步。但是，挑战在实现高质量和大区域材料生产方面持续存在。这些困难包括控制整个生长表面的均匀生长速率的控制条件。随着生长的进展，出现了各种因素或缺陷状态，改变了统一条件。这些变化会影响生长速率，并导致微观尺度上的晶体缺陷形成。但是，使用生长过程中拍摄的图像鉴定这些缺陷状态及其几何形状存在明显的方法。本文使用现场光学图像详细介绍了缺陷分割管道的开创性工作，以识别指示宏观上可见的有缺陷状态的特征。使用以前工作中应用的语义分割方法，这些缺陷状态和相应的导数特征是由其像素掩码隔离和分类的。使用注释以注释的人体软件体系结构来生成培训数据集，并使用主动学习，数据增强和模型辅助标记的模块进行选择性数据标记，我们的方法可实现有效的注释准确性，并大大降低了按幅度降低标签的时间和成本。在模型开发方面，我们发现基于深度学习的算法是最有效的。他们可以准确地从功能丰富的数据集中学习复杂的表示。基于Yolov3和DeepLabv3plus体系结构，我们表现最佳的模型为特定的特定特征实现了出色的精度。具体来说，中心缺陷的精度为93.35％，多晶缺陷的92.83％，边缘缺陷达到91.98％。
单晶PTSE2中的高载体移动性...
PTSE 2吸引了相当大的关注，这是一种高迁移率二维材料，并在微电子，光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里，我们报告了由分子束外延在ZnO（0001）上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射，原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯，蓝宝石，云母，SIO 2和PT（111）上生长的PTSE 2层的比较表明，在绝缘底物中，ZnO（0001）产生了具有优质结构质量的膜。在室温下，在室温下，在室温下，在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为，低温下的较高迁移率在低温下。
l---------用于频率匹配应用的单晶
当今IT环境的典型数据处理，检索和转移[1]促使新一代研究人员寻求具有增强光子应用功能的创新材料。非线性光学（NLO）是这些短语所指的主题。当功能强大的电磁场与材料相互作用时，它会产生与原始场相同的相位，频率和振幅不同的新字段[2]。这种现象正在集中非线性光学元件。某些材料暴露在光线时会发生变化，并取决于方向，温度，光波长等因素。应用程序，例如数据处理，光子学，THZ生成，激光放大器等应用程序[3,4]现在很大程度上依赖于这些材料。研究人员正在逐步专注于寻找新型的NLO材料，以满足对此类物质的不断增长的需求。基于其组成的非线性光学材料有三种类型：有机，无机和半有机物[5]。无机材料具有良好的机械和热稳定性，但非线性值较低[6]，而有机材料具有有效的非线性特性，但具有明显的机械和热不稳定性。化学工程方法可用于改变有机非线性材料的特征，以满足各种业务的不断发展的需求[7]。响应增强性能的需求，出现了新的材料，称为半有机NLO材料。除了出色的机械和热稳定性外，它们还包括显着的非线性。各向异性材料是晶体固体，表现出对其特征的定向依赖性。对于NLO行为，有必要在必须是非中心对称的空间群中结晶的非线性材料。
为超敏光检测的单晶紫磷制造
紫罗兰色磷（VP）因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华（VDW）结构，但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外，尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此，一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性，响应/恢复时间为3.82/3.03 ms，暴露于532 nm光线后。此外，光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流（<1 pa）。结果，探测率为1.38×10 13琼斯，与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。
单晶中子衍射数据还原和分析的最新进展
cao H.B.，Chakoumakos B.C.，Andrews K.M.，Wu Y.，Riedel R.A.，Riedel R.A.，Hodges J.P.，Zhou W.，Gregory R.，Haberl B.，Haberl B.，Molaison J.J.，Lynn G.W.，需求，需求，需求，一个极端磁性中子差异的高度固定型，高纤维纤维，高纤维液，高度fllactoper 9 9
H和He离子在自支撑，单晶SIC箔
已经研究了h和he离子在SIC中的特定能量沉积。实验是在乌普萨拉大学（Uppsala University）350 KeV Danfysik植入器的飞行时间中型能量离子散射系统中在传输几何形状中进行的。目标是一个自支撑，单晶立方3C - SIC（100）箔，标称厚度为200 nm。将测得的停止跨第二次与文献和理论预测可用的数据进行了比较。随机几何形状的结果表明的值比SRIM对H弹丸预测的值略低，而对于HE弹丸，在所研究的整个能量范围内观察到了良好的一致性。对于所有测得的能量以及H和HE离子，与通道几何形状相比，沿随机轨迹观察到更高的特异性能量损失。对于H离子，差异很小，而对于He离子，通常发现它们更为明显。
氢键增强的胺-丙烯酸酯液晶单晶弹性体
单畴（永久取向的“单晶”）液晶驱动通常是获得人造软材料类似肌肉驱动的关键方案。[1–3] 然而，由于聚合物弹性体的各向同性，这种物理上偏置的分子结构的需求给经典的合成聚合物弹性体带来了技术挑战。1991 年，Finkelmann 等人 [8] 引入了一种两阶段氢化硅烷化方法，并报道了第一个成功的具有独立驱动功能的“向列液晶单晶弹性体”。在这种方法中，其本质一直是随后二十年制造单畴液晶驱动的首选方案，对轻度交联的凝胶施加单轴机械延伸，以建立内部单轴取向场，然后进行进一步（第二阶段）固化以永久固定该取向。然而，这种方法在实践中非常困难，因为半固化凝胶本身具有机械脆弱性，需要充分拉伸才能实现取向。这降低了液晶元件在不断扩展的变形和驱动应用中的可用性。为了实现更复杂的液晶取向模式并规避分阶段固化问题，人们开发了其他基于外部场的技术，特别是表面取向 [9–12] 和动态键交换。[13–20] 基板的多样化像素定义表面使驱动模式的扩展成为可能，而不仅仅是简单的收缩-伸展。尽管进行了功能化，但材料的规模仍然受到特定基板的限制，并且表面穿透液晶元件本体的深度有限，使得该方法在技术上不足以进行大规模制造。因此，对于通用且灵活的液晶元件制造，机械拉伸仍然是生产多功能功能形式的单畴液晶元件的最简单策略。例如，鉴于聚合物纤维加工方法的成熟，这在编织纤维中尤为突出。人们希望有除氢化硅烷化之外的新化学方法，以便进行稳健的反应和方便的机械排列方式。近年来，二丙烯酸酯反应性液晶原（如 RM257 和 RM82）的商业化供应已成为 LCE 领域的强大推动力，考虑到涉及二丙烯酸酯的一系列良性反应，它提供了一种令人满意的替代方案。特别是，
单晶 RuO 2 中的晶体结构和磁序缺失
因此，我们对 RuO 2 晶体进行了极化和非极化中子衍射实验，这些实验通过磁化和电导测量以及 X 射线衍射进行表征 [8]。单晶采用两种不同的传输分子通过化学气相传输生长。此外，通过退火商业化合物获得了粉末样品。对 D9、D3 和 IN12 进行了中子实验，并在 Bruker D8 venture 衍射仪上研究了晶体结构。我们无法在低至 2K 的温度下确认我们晶体中提出的结构扭曲。在 X 射线和长波长中子实验中，没有超结构反射 [3] 破坏金红石型结构的对称性。在短中子波长下观察到此类峰，但可归因于多重衍射。在我们的晶体中，钌空位的数量低于百分之几。极化中子实验并未表明对于所提出的传播矢量 ⃗ k =(0,0,0) [3] 存在磁布拉格反射。在我们的实验中，即使是有序矩比声称的 [3] 小五倍的磁序也会产生显著的强度。在我们的化学计量样品中可以排除这种反铁磁序 [8]。[1] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(3)，031042。[2] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(4)，040501。[3] T. Berjilin 等人，2017 年，Phys. Rev. Lett. 118，077201。[4] L. Smejkal 等人，2023，物理。莱特牧师。 131, 256703。 [5] A. Smolyanyuk 等人。 ，2024，物理。 Rev. B. 109 , 134424. [6] M. Hiraishi 等人。 ，2024，物理。莱特牧师。 132, 166702。 [7] P. Keßler 等人。 ，2024 年，npj 自旋电子学 2，50。 [8] L. Kiefer 等人。 ，2024 年，arXiv，2410.05850。