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World File Search System掺杂剂
周期性的阵列符合人阵中的词 - 欧硫酸 - 能源...
摘要：在这项工作中，结合了块共聚物光刻和超低能离子植入，以获得高浓度的磷原子的纳米伏算，该磷原子在P型硅底物中定期处置在宏观区域上。高剂量的植入掺杂剂会授予硅底物的局部非晶化。在这种情况下，磷磷通过植入区域的固相外延再生（SPER）激活，并具有相对较低的温度热处理，以防止磷原子扩散并保留其空间定位。在此过程中，监测样品（AFM，SEM），硅底物（UV拉曼）的结晶度以及磷原子的位置（STEMEDX，TOF-SIMS）的位置。静电势（KPFM）和掺杂剂激活时样品表面的电导率（C-AFM）图与模拟的I-V特性兼容，这表明存在一个不理想的阵列，但工作p-n纳米结构。所提出的方法为进一步研究的可能性铺平了道路，该方法通过改变自组装的BCP膜的特征性维度来调节纳米级硅底物内的掺杂剂分布。关键字：块共聚物，离子植入，掺杂，硅，PS-B-PMMA■简介
用于高稳定、高效锂掺杂 Spiro-OMeTAD 基钙钛矿太阳能电池的多面二茂铁中间层
近年来，金属卤化物钙钛矿作为光伏器件中很有前途的光收集层，引起了越来越多的研究关注。迄今为止，使用螺环-OMeTAD 作为空穴传输层 (HTL) 是生产 PSC 的先决条件，其最高 PCE 可达 25% 以上。[1–3] 然而，在实现创纪录的 PCE 的同时，使用螺环-OMeTAD 也显著导致了钙钛矿层的快速降解。使用螺环-OMeTAD 给 PSC 带来的额外不稳定性源于添加到螺环-OMeTAD 中的掺杂剂，这些掺杂剂是改善 HTL 低固有电导率所必需的。[4–6] 截至撰写本文时，性能最高的 PSC 是使用锂双（三氟甲烷磺酰基）酰亚胺 (LiTFSI) 掺杂的螺环-OMeTAD 制备的，能够
电流引起的一维扩散...
或者，可以将掺杂剂沉积到GNR上，15,16，但鲜为人知的是如何通过GNR产生吸附的掺杂剂。在这里，我们证明，在抑制热差异的浴温度下，高电流会驱动掺杂原子来划分。有趣的是，差异是与GNR共同的，从而使GNR独特的模型系统用于研究一个维度的原子差异。特定的GNR顶部的原子，其本身被吸附在AU（111）上（111）。我们将大型电流注入GNR中，STM尖端与GNR接触，在与靶向的CO原子的各种距离处。因此，驱动ad-artoms的驱动范围，我们发现几乎所有的co原子都依赖于GNR，并沿着肋骨进行了差异。我们分析了电流引起的侧向位移的统计分布，显示出与热驱动过程相似的非方向跳跃。我们预计系统可以是
添加B4C纳米粒子掺杂的FeSi2微观结构与热电性能
通过烧结机械合金化的 Fe 和 Si 粉末与 Mn、Co、Al、P 作为 p 型和 n 型掺杂剂，制备了添加了 B 4 C 纳米粒子的 β-FeSi 2 。随后将固结样品在 1123 K 下退火 36 ks。退火后烧结物的 XRD 分析证实了从 α 和 ε 几乎完全转变为热电 β-FeSi 2 相。样品表面的 SEM 观察结果与衍射曲线相符。TEM 观察结果显示 B 4 C 纳米粒子均匀分布在材料中，没有可见的聚集体，并确定了晶粒尺寸参数 d 2 < 500 nm。所有掺杂剂都有助于降低热导率和塞贝克系数，其中 Co 对提高与参考 FeSi 2 相关的电导率的影响最大。结合添加 Co 作为掺杂剂和 B 4 C 纳米粒子作为声子散射体，Fe 0.97 Co 0.03 Si 2 化合物的无量纲性能系数 ZT 在 773 K 时达到 7.6 × 10 –2。将所检测的烧结物与之前制造的相同化学计量但不添加 B 4 C 纳米粒子的烧结物的热电性能进行比较，发现它们总体上具有负面影响。关键词：二硅化铁、纳米粒子、热电材料
通过Hydro-cathode®方法回收锂离子电池的阴极材料
由于价格上涨和LI [Ni X Mn Y Co Z] O 2（X + Y + Z = 1）的资源供应链有限，（NMC）阴极材料，锂离子电池（LIB）回收技术已成为解决价格问题的最佳解决方案。主要是，常规的水透明过程已应用于LIB回收字段，以识别其价值。水均铝法的一个显着优势是它是启用Hydro-cathode®方法的桥梁。然而，必须在生产前体阴极材料的生产中使用杂质（掺杂剂）效果并行研究。不足的选择性杂质去除技术导致最终的NMC阴极活性材料中意外的电化学特性，这可能会被几种不同的杂质掺杂。因此，如果我们要将水电 - 情感®方法视为NMC阴极材料的主要回收过程，则仔细检查掺杂剂元件（无机和有机物）至关重要。
18} $用PD和CO掺杂：T
我们对非磁性Skutterudite相关的Y 5 RH 6 SN 18超导体进行了系统研究，其中连贯长度尺度上的晶格疾病搭配搭配竞争越来越多，并产生了非均匀的，高温的超导相位，具有无序的增强型临界温度t。我们以前已经讨论过局部原子障碍的各种可能性。可能性之一是兴奋剂。我们目前的研究集中于Y 5 -δ的系列（RH 5。5 m 0。5）sn 18化合物（δ≪1），其中掺杂剂m = co，ir，ru和pd，当它们较小（CO）或大于RH时，它们比关键的firderd h c 2产生峰值效应。这种现象在AC敏感性的真实和虚构部分中表现为弱峰，并且在磁性方面更为明显。使用一个简单的理论模型，我们证明了该机制的有效性不仅取决于掺杂剂和宿主原子的差异的大小，还取决于掺杂剂是否较小还是更大。该预测与我们的实验数据之间的一致性强烈支持观察到的峰值效应的基于杂质的方案。磁磁性等温线（M = ir和ru），M的半径与R rh显示非常相似，但是，较弱的峰效应样行为，这主要是由于Y位点的空位δ，而相应的敏感性等距在H〜H C 2处显示出不同的峰值。我们还报告了y 5 rh 6 sn 18用PD和Co.这种依赖性χAC异常在本质上与峰值效应相似。但是，它不能归因于固定，并且似乎是系统的平衡属性。
无定形硅的亚稳定性问题
无定形硅及其合金，由于其物质及其生产性，在近年来引起了迅速增长的兴趣。非晶技术比晶体技术的主要优势大大降低了成本，以至于某些消费者应用，例如太阳能电池，薄纤维晶体管等。太阳能电池在电信中涉及远离电网的基站电力电力。然而，基于A-SI的设备的表现受光，高能量颗粒，载体注入，载体在A-SI相互之间的堆积和热淬灭[1]引起的可逆，亚稳态变化的限制[1]。所有这些效应都是通过退火到高度高温而可逆的，并且所有这些效应都被相同的降解机制引起[2]。由于在A-Si：H中发现了亚稳态效应，因此有强有力的间接证据表明氢和掺杂剂的作用仍然缺乏完全的证明。证据主要源于在与亚竞争效应相同的温度下观察到的氢运动。缺陷退火的活化能与氢二氮的活化能相当。此外，掺杂趋势是相同的 - 掺杂剂会导致较大的水力差异系数也导致了更快的缺陷弛豫。另一方面，氢通过削减由粘结障碍引起的大量悬挂键缺损而使掺杂成为可能。亚稳态变化的种类和大小取决于氢和掺杂剂这种磷或硼。这些效果取决于在掺杂的氢化无定形硅中，存在两个不同现象的共膜质：悬挂键密度的可逆增加和掺杂效应的可逆增加。
在纳秒激光退火的SI 1 – X GE x /si Epilayers < /div>中研究重结晶和应力松弛
Sige合金数十年来引起了很多兴趣，尤其是在微电子行业中。如今，它们已在许多设备中使用。的确，由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异，因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变，载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige：b源和排水量来压缩PMOS通道，从而改善其电气性能[2]。但是，设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水（S/d）连接，但具有高掺杂剂激活。因此，退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火（NLA）可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA（UV-NLA）也可以用于3D整合，因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度，同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
改进了基于Algainp的红色（670–690 nm）表面 -
Algainp材料技术在过去几年中一直在稳步发展，从而导致高性能的边缘发射激光〜EEL！1和红色的垂直腔表面发射激光器〜VCSEL！。2,3相对于Algainp系统，藻类受益于改进的指数对比度，降低的电阻和热电阻率，更成熟的加工技术，以及将碳用作p-型掺杂剂的能力，以实现出色的掺杂剂控制和稳定性。4然而，将基于ALGAINP的活性区与基于C的基于藻类的DBR集成是通过较差的载流子转运到AlgaInp活性区域的困难，并且无法将C用于Algainp合金中的P进行P。先前关于Algainp/ Algaas异质结构激光二极管的报道已在连接处的P侧使用Zn或Mg掺杂，以改善孔注射，5,6消除了使用藻类使用的潜在关键优势，并进一步使穿着物质扩散特征复杂化。7,8此类困难导致实施相对较厚〜8 L！红色VCSELS中的光腔6