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直接视图在魔术扭转角度附近的石墨烯超晶格中的栅极可调小型散布
摘要：扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态，例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而，缺乏全面的理解，因为当电场应用以改变电子填充时，低能带的结构会发生强烈的变化。在这里，我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配，我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯（TBG）和扭曲的双重双层石墨烯（TDBG）的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比：可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体，将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中，我们发现了低能带的复杂行为，结合了非单调带宽变化和可调间隙开口，这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度，并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字：扭曲的双层石墨烯，Moire ́超级晶格，扁平带，微摩尔，原位门控，带宽重归于
一维-二维横向范德华异质结中的高整流和栅极可调光响应
4 这些作者贡献相同 *通信地址：muhaoran@sslab.org.cn (HM)；linshenghuang@sslab.org.cn (SL) 收稿日期：2024 年 9 月 11 日；接受日期：2024 年 12 月 16 日；在线发表日期：2024 年 12 月 23 日；https://doi.org/10.59717/j.xinn-mater.2024.100113 © 2025 作者。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。引用：Wang P.、Mu H.、Yun T. 等人 (2025)。1D-2D 横向范德华异质结中的高整流和栅极可调光响应。创新材料 3：100113。自钝化表面和减少的隧穿漏电流使得在范德华 (vdW) 半导体异质结中创建理想的肖特基接触成为可能。然而，同时实现高整流比、低反向漏电流和快速光响应仍然具有挑战性。在这里，我们提出了一种一维 (1D)/二维 (2D) 混合维异质结构光电二极管来解决这些挑战。该结构中显著的价带偏移和最小的电子亲和能差异确保了高整流比和高效的电荷收集。此外，1D 和 2D 材料之间的尺寸差异，其特点是接触面积较小和厚度差异显著，导致低反向漏电流和高电流开关比。此外，它能够实现栅极可调的能带结构转变。我们的器件在室温下表现出 4.7 × 10 7 的出色整流比和 5 × 10 7 的高开关比（V ds = 2 V 和 V g = 30 V）。在 20 V 的栅极电压下，光电二极管实现了 4.9 × 10 14 Jones 的比探测率 (D * )、14 μs 的快速响应时间和接近 1550 nm 的扩展工作波长。混合维度设计和能带工程的战略组合产生了具有出色灵敏度、可重复性和快速响应的 1D-2D pn 异质结光电二极管，凸显了 vdW 半导体在先进光电应用方面的潜力。
基于 MoS2/PdSe2 异质结构和电荷陷阱栅极堆栈的可重构偏振光电探测器
1 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190；baiqinghu@iphy.ac.cn (QB)；yangguo@aphy.iphy.ac.cn (YG)；azjin@iphy.ac.cn (AJ)；quanbaogang@iphy.ac.cn (BQ)；hfyang@iphy.ac.cn (HY)；blliu@iphy.ac.cn (BL) 2 中国科学院大学物理学院，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190 3 松山湖材料实验室，东莞 523808；liangqijie@sslab.org.cn 4 深圳大学射频异质集成国家重点实验室，深圳 518060；2200434018@email.szu.edu.cn (TL) wgliao@szu.edu.cn (WL) 5 深圳大学电子信息工程学院，深圳 518060，中国 6 中国科学院大学，中国科学院拓扑量子计算卓越中心，中国科学院真空物理重点实验室，北京 100190，中国 * 通信地址：xinhuang@iphy.ac.cn (XH); czgu@iphy.ac.cn (CG) † 这些作者对这项工作做出了同等贡献。
超导电流的栅极控制：机制，参数和技术潜力
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理系，科学院，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 G€欧特堡，瑞典7号，瑞典7 CNR-Spin，C/O大学Salerno的研究，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺8物理学系“ E. R. Caianiello”，“ E. R. Caianiello”，萨勒诺大学的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，salerno，salerno，salerno1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理系，科学院，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 G€欧特堡，瑞典7号，瑞典7 CNR-Spin，C/O大学Salerno的研究，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺8物理学系“ E. R. Caianiello”，“ E. R. Caianiello”，萨勒诺大学的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，Salerno，salerno，salerno，salerno
UCC21220、UCC21220A 4A、6A、双通道基本和功能隔离式栅极驱动器，具有高抗噪性 数据表 (Rev. G)
(1) 爬电距离和电气间隙要求应根据应用的特定设备隔离标准来应用。应注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙，以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下，印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽、肋条或两者等技术可用于帮助提高这些规格。 (2) 此耦合器仅适用于最大工作额定值内的基本电气绝缘。应通过适当的保护电路确保符合安全额定值。 (3) 在空气或油中进行测试以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。 (4) 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。 (5) 屏障两侧的所有引脚连接在一起，形成一个双引脚设备。 (6) 系统隔离工作电压需要根据应用参数进行验证。
超导体/ ... div>中的栅极控制接近效应
发现2D材料的发现为设计具有指定属性的新材料开辟了前所未有的机会。在许多情况下，设计指导原理基于一种或另一种接近性效应，即电子相关性从一种材料到另一种材料的纳米级 - 渗透。在几层范德华（VDW）异质结构中，接近区域占据了整个系统。在这里，我们证明了2D超导体/铁磁体VDW异质结构的磁性和超导接近效应的物理学是由两种材料电子光谱的界面杂交的影响确定的。可以通过门控调整杂交程度，这使得能够实现高度可控性的接近效应。，我们表明，这允许在此类结构中进行超导性电气切换，以及控制超导光谱的Zeeman分裂的振幅和迹象，为Spintronics和Spin Caloritronics打开了有趣的机会。
UCC5880-Q1 隔离式 20A 可调节栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器，具有高级保护功能，适用于汽车应用数据表 (Rev. A)
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*)，用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护： – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断： – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准，结果如下： – 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
NOVOSENSE 栅极驱动器 IC 指南手册_EN
诺芯微电子（NOVOSENSE，上交所股票代码688052）是一家高可靠性模拟及混合信号芯片公司，自2013年成立以来，公司专注于传感器、信号链、电源管理等领域，提供全面的半导体产品及解决方案，广泛应用于汽车、工业、信息通信及消费电子市场。
CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压窗口指南
3.1 1200 V 器件准则 ...................................................................................................................................... 7
GaN 功率晶体管的栅极驱动配置
在半桥应用中对交叉传导的灵敏度增加 这两种影响都可以通过使用负栅极驱动电压来减轻。但这种方法也有缺点，因为负栅极驱动会导致反向（第三象限）操作中的电压降增加，从而导致死区期间的传导损耗更高。因此，最佳栅极驱动始终取决于基本应用条件（硬/软开关、功率等级、开关电压、频率等）。本白皮书简要概述了 GIT 和 SGT 产品系列的推荐栅极驱动概念。多功能标准驱动器（RC 接口）可以轻松适应这两种技术。本文档还提供了基本的栅极驱动器尺寸指南和一些典型的应用示例。