摘要:在这项研究中,使用氧化铝(Al 2 O 3)和石墨烯纳米平板(GNP)的基于电绝缘的聚体弹性弹性(POE)基于相位变化(PCMS)是使用传统的压力式造型的,该技术对液压式造成的良好的抗性量和应应应付的固定型,制备了良好的固定量,以供应的固定型固定型,并将其出现。优质的光热转化效率。观察到Al 2 O 3和GNP之间的协同相互作用,这有助于在POE/Poe/paraffine Wax(POE/PW)矩阵中建立热导电途径。POE/PW/GNPS 5 wt%/Al 2 O 3 40 wt%复合材料的平面内导热率高达1.82 w m-1 k-1,标志着与其未完成的POE/PW/PW相比,相比之下,显着增加了约269.5%。复合材料具有出色的热量散热能力,这对于电子产品中的热管理应用至关重要。此外,POE/PW/GNPS/Al 2 O 3复合材料表现出出色的电绝缘材料,增强的质量性能以及有效的太阳能转换和运输。在80 mW cm -2
市场动态 在撰写本文时,澳大利亚能源市场经历了重大混乱,导致价格波动加剧和政策变化。这种混乱可能会影响路线图的实施时间。例如,2022 年 6 月,西澳政府宣布将在 2029 年前关闭国有燃煤发电厂,这代表着不断变化的动态,可能会影响西澳的氧化铝精炼业务。1 此外,澳大利亚在《巴黎协定》中承诺到 2030 年将排放量减少 43%,这可能会导致工业界采取更大、更紧迫的气候行动。2 应密切监测与产能或负荷减少有关的新市场机制,因为它们可能会影响本路线图报告中讨论的技术和选项的经济性。
@10MHz 9.58 9.92 10.20 @1000MHz 9.30 - - @8500MHz 9.37 9.61 9.82 耗散因数,tan @10MHz 0.00003 0.00009 0.00040 @1000MHz 0.00014 - - @8500MHz 0.00009 0.00014 0.00025 损耗因数,K l .tan @10MHz 0.00029 0.00089 0.00408 @1000MHz 0.00130 - - @8500MHz 0.00084 0.00135 0.00245 体积电阻率,ohm.cm: >10 14 2.0x10 11
正如 DISR 的《绿色金属》咨询文件所指出的那样,这些因素——加上我们靠近亚洲市场(可再生能源资源的获取更加受限)以及我们熟练的资源和能源劳动力——使澳大利亚完全有能力将绿色铁、绿色氧化铝和铝作为战略市场扩张机会,我们支持政府在其文件中将这些行业确定为优先市场。正如 Ross Garnaut 在其 2022 年出版的《超级大国转型》一书中所强调的那样,“减少全球排放和提高澳大利亚收入的最大单一机会是将澳大利亚的铁出口从矿石转向金属。”第二大直接机会是将铝土矿出口转化为氧化铝和铝金属。在零排放世界中,澳大利亚是 [这种] 转换的经济合理地点……'
神经形态计算模仿大脑的架构,以创建能量良好的设备。可重新发现的突触对于神经形态计算至关重要,这可以通过抵抗记忆(memristive)切换来实现。基于石墨烯的回忆录已显示出具有理想耐力的非挥发性多重电阻开关。通过第一个原理计算,我们研究了石墨烯与超薄氧化铝覆盖层接触的石墨烯的结构和电子特性,并证明了如何使用电荷掺杂来直接控制其界面共价,从而可逆地控制了在乙烯层中的电导率和分离性之间的切换。我们进一步表明,该提出的机制可以通过石墨烯的p型掺杂来稳定,例如,通过自然出现的缺陷,悬空键或缺陷工程的钝化。
利用分光光度计系统测量吸收光谱。该系统由 OL 740-20D/IR 光源 (Gooch & Housego) 组成,配备 150 瓦石英卤钨灯,可在 250 nm 至 3500 nm 的波长范围内工作,OL 750-MD 双单色仪 (Gooch & Housego),OL 750- 10 镜面成像光学模块 (Gooch & Housego),816C-SF-6 积分球 (Newport) 和 OL 750-HSD-300 硅探测器模块 (Gooch & Housego),可在 200 nm 至 1100 nm 的波长范围内工作。此外,还使用了 OL 750-C 控制器 (Gooch & Housego),以便在设置和计算机之间提供通信,并使用 OL 83A 可编程直流电流源 (Gooch & Housego) 负责控制钨灯的电流输入。利用白色标准进行相对反射率测量。获得的反射光谱范围从 350 nm 到 1100 nm。结果与讨论
M. Buljan,1 S. R. C. Pinto,2 A. G. Rolo,2 J. Martín-Sánchez,2 M. J. M. Gomes,2 J. Grenzer,3 A. Mücklich,3 S. Bernstorff,4 and V. Holý5 1 Ruđer Bošković Institute, Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, Croatia 2 Centre of Physics and Department of Minho大学物理学,校园De Gualtar,4710-057 Braga,葡萄牙3 Forschungszentrum Dresden-Rossendorf,E.V.,P.O。Box 510119, 01314 Dresden, Germany 4 Sincrotrone Trieste, SS 14 km163, 5, 34012 Basovizza, Italy 5 Charles University in Prague, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague, Czech Republic In this work we report on a self-assembled growth of a Ge quantum dot lattice in a single 600- nm-thick GE+Al2O3层在登高的底物温度下的GE+Al2O3混合物的磁控溅射沉积中。自组装导致在整个沉积体积内形成良好的三维三维四维四维四方量子点晶格。形成的量子点的大小小于4.0 nm,尺寸分布狭窄,堆积密度较大。可以通过更改沉积参数来调整量子点晶格的参数。通过扩散介导的成核和表面形态效应来解释量子点的自我顺序,并通过动力学蒙特卡洛模型模拟。I.最近的研究表明,与通常使用的融合二氧化硅相比,AL2O3矩阵具有许多优势,因为氧化铝具有更高的介电常数,出色的热和机械性能,并且更适合作为内存设备中的大门的建筑材料。17因此,在Alumina Matrix中生产了适用于新材料的Alumina Matrix中固定有序的GE QD的生产。引言半导体量子点(QD)在过去几年中已被广泛研究,因为它们具有有趣的物理特性和巨大的技术应用潜力。1-6正常订购的QD具有特殊的兴趣,因为空间规律性意味着QDS尺寸的狭窄范围,对于QDS的范围狭窄,对于更为明显的量子量化和集合的范围,其势能构成的范围非常重要,其势能效应,并因此效应,并在QD上效应,并且QD的效果效果很大。 Sio2或Al2O3(例如Sio2或Al2O3)具有许多有趣的属性,例如非常强的量子限制,电发光和光致发光,非线性折射率,长期保持电荷等可能性等等。10-16,因此它们在基于NAnotechnology中应用,尤其是基于QD的模拟和SENSORS。最近报道了二氧化硅基质中GE QD的自我排序增长,但7,8,18,19没有针对氧化铝进行类似的研究。值得注意的另一个重要特征是,仅通过晶体和无定形系统中的多层沉积才能实现QD晶格的自定序生长6,7,而在连续较厚的层中尚未发现类似的观察结果。在这里,我们介绍了在连续沉积GE+Al2O3混合物期间,氧化铝基质中GE QD的自组装生长的研究,产生了近似厚度为600 nm的单层。结果是形成了QD的大型且有序的三维3D QD晶格,其以身体为中心的四方BCT排列。调整沉积参数,可以操纵QD大小和QD晶格的参数。形成的QD的尺寸是均匀的,并且它们的空间密度可能非常大,因为它们的尺寸很小和距离。观察到的自我顺序的驱动力是通过表面形态学效应来解释的,即通过扩散介导的成核和表面最小值中成核的概率的结合。正如我们稍后显示的,氧化铝中GE QD的自我排序的特性不同于二氧化硅的自我序列。
图 3:(a) Ti64+C、(b) Ti64+C 和 Ti64 界面以及 (c) Ti64 的微观结构。(d) Ti64+C+LP 的 HAZ 微观结构、(e) HAZ 和 Ti64+C 界面以及 (f)
生产过程任务 许多工厂正在逐渐取消在剪贴板和纸质表格上手动收集操作数据的常规做法。取而代之的是自动收集数据并以数字方式传输到历史记录和操作员软件等。任何剩余的手动操作都将通过带有软件的平板电脑完成。不再需要用纸质笔记本记录未遂事故、事故、危险和维护需求等。取而代之的是,事故、危险、泄漏和损坏设备的笔记和数码照片通过软件以数字方式记录在平板电脑上,并与相关方共享。跟随经验丰富的员工并不是新手学习如何执行手动任务的唯一方式。现在,现场操作员还可以借助虚拟现实 (VR) 技术,在非常身临其境的 3D 虚拟工厂环境中学习新任务。