机构名称：
¥ 1.0
M. Buljan,1 S. R. C. Pinto,2 A. G. Rolo,2 J. Martín-Sánchez,2 M. J. M. Gomes,2 J. Grenzer,3 A. Mücklich,3 S. Bernstorff,4 and V. Holý5 1 Ruđer Bošković Institute, Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, Croatia 2 Centre of Physics and Department of Minho大学物理学，校园De Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙3 Forschungszentrum Dresden-Rossendorf，E.V.，P.O。Box 510119, 01314 Dresden, Germany 4 Sincrotrone Trieste, SS 14 km163, 5, 34012 Basovizza, Italy 5 Charles University in Prague, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague, Czech Republic In this work we report on a self-assembled growth of a Ge quantum dot lattice in a single 600- nm-thick GE+Al2O3层在登高的底物温度下的GE+Al2O3混合物的磁控溅射沉积中。自组装导致在整个沉积体积内形成良好的三维三维四维四维四方量子点晶格。形成的量子点的大小小于4.0 nm，尺寸分布狭窄，堆积密度较大。可以通过更改沉积参数来调整量子点晶格的参数。通过扩散介导的成核和表面形态效应来解释量子点的自我顺序，并通过动力学蒙特卡洛模型模拟。I.最近的研究表明，与通常使用的融合二氧化硅相比，AL2O3矩阵具有许多优势，因为氧化铝具有更高的介电常数，出色的热和机械性能，并且更适合作为内存设备中的大门的建筑材料。17因此，在Alumina Matrix中生产了适用于新材料的Alumina Matrix中固定有序的GE QD的生产。引言半导体量子点（QD）在过去几年中已被广泛研究，因为它们具有有趣的物理特性和巨大的技术应用潜力。1-6正常订购的QD具有特殊的兴趣，因为空间规律性意味着QDS尺寸的狭窄范围，对于QDS的范围狭窄，对于更为明显的量子量化和集合的范围，其势能构成的范围非常重要，其势能效应，并因此效应，并在QD上效应，并且QD的效果效果很大。 Sio2或Al2O3（例如Sio2或Al2O3）具有许多有趣的属性，例如非常强的量子限制，电发光和光致发光，非线性折射率，长期保持电荷等可能性等等。10-16，因此它们在基于NAnotechnology中应用，尤其是基于QD的模拟和SENSORS。最近报道了二氧化硅基质中GE QD的自我排序增长，但7,8,18,19没有针对氧化铝进行类似的研究。值得注意的另一个重要特征是，仅通过晶体和无定形系统中的多层沉积才能实现QD晶格的自定序生长6,7，而在连续较厚的层中尚未发现类似的观察结果。在这里，我们介绍了在连续沉积GE+Al2O3混合物期间，氧化铝基质中GE QD的自组装生长的研究，产生了近似厚度为600 nm的单层。结果是形成了QD的大型且有序的三维3D QD晶格，其以身体为中心的四方BCT排列。调整沉积参数，可以操纵QD大小和QD晶格的参数。形成的QD的尺寸是均匀的，并且它们的空间密度可能非常大，因为它们的尺寸很小和距离。观察到的自我顺序的驱动力是通过表面形态学效应来解释的，即通过扩散介导的成核和表面最小值中成核的概率的结合。正如我们稍后显示的，氧化铝中GE QD的自我排序的特性不同于二氧化硅的自我序列。
氧化铝矩阵中GE量子点的自组装
主要关键词
相关文件推荐
