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World File Search System绝缘体
由正常，重型或Altermagnetic Metallic叠加剂诱导的磁性绝缘体中自旋波的非局部阻尼：Schwinger-keldysh场理论方法
了解自旋波（SW）阻尼以及如何将其控制到能够放大SW介导的信号的点是使所设想的宏伟技术实现的关键要求之一。甚至广泛使用的磁性绝缘子在其大块中具有低磁化阻尼（例如Yttrium Iron Garnet），由于在最近的实验中观察到的，由于与金属层与金属层的不可避免接触，因此SW阻尼增加了100倍。，adv。量子技术。4，2100094（2021）]以空间解析的方式映射SW阻尼。在这里，我们使用扩展的Landau-lifshitz-gilbert方程对波矢量依赖性的SW阻尼提供了微观和严格的理解，并具有非局部阻尼张量，而不是常规的本地标量尺吉尔伯特damp，从Schwinger-keldysh norther-keldysh nortakys damper中衍生而成。在这张照片中，非局部磁化阻尼的起源以及诱导的波载体依赖性SW阻尼是磁绝缘子的局部磁矩与来自三种不同类型的金属叠层器的传导电子的局部磁矩的相互作用：正常，重型和altermagnetic。由于后两种情况下传导电子的自旋分解能量散布引起的，非局部阻尼在自旋和空间中是各向异性的，并且与正常金属覆盖物的使用相比，可以通过更改两层的相对方向来大大降低。
量子格里菲斯（Griffiths）在安德森（Anderson）临界绝缘体过渡的三维超导体中的奇异性
无处不在的真实材料无处不在，可能会对量子相跃迁产生巨大影响。源自该疾病增强的量子波动，量子格里菲斯（Griffiths）奇异性（QGS）已被揭示为低维超导体的量子关键性的普遍现象。然而，由于波动效应较弱，在三维（3D）超导系统中检测实验的QGS非常具有挑战性。在这里，我们报告了与从3D超导体到Anderson临界绝缘体MGTI 2 O 4（MTO）中量子相过渡相关的QGS的发现。在垂直磁场和平行磁场下，在接近量子临界点时的动力学临界指数会发散，证明存在3D QGS。在3D超导体中，MTO显示出相对强大的波动效应，其特征是广泛的超导过渡区域。增强的波动可能是由安德森本地化的迁移率边缘引起的，最终导致发生3D量子相变和QGS。我们的发现提供了一种新的观点，可以理解强烈无序的3D系统中的量子相变。
绝缘体到金属过渡和各向同性巨大... -Dr -ntu
磁转运（电导对外部磁场的响应）是揭示外来现象背后基本概念的重要工具，并在实现播种机应用方面起着关键作用。磁转运通常对磁场方向敏感。相比之下，很少见到电子传输的效果和各向同性调制，这在诸如全向感应等技术应用中很有用，尤其是对于原始晶体而言。这里提出了一种策略，以实现对电子传导对电子传导的极强调制，而磁场独立于场方向。GDPS是一种具有电阻率各向异性的分层抗铁磁半导体，它支持具有矛盾的各向同性巨大的巨型磁势敏感对磁性方向不敏感的场驱动的绝缘体到金属转变。这种各向同性磁阻起源于GD 3 +基于GD 3 +的半纤维f-Electron系统的接近零自旋 - 轨道耦合的组合效应以及GD原子中强的现场F - D交换耦合。这些结果不仅为具有非凡的磁转运提供了一种新型的材料系统，可为基于抗铁磁铁的超快和有效的旋转器设备提供缺失的块，而且还展示了设计具有高级功能的所需运输特性的磁性材料的关键成分。
基于莫特绝缘体的新型电子产品
经过半个世纪的微型化，微电子技术面临着两大问题，即缩小尺寸极限和能耗。为了克服这些挑战，新策略的探索包括寻找新材料、新物理和新架构。在此背景下，量子材料引起了广泛关注。特别是，作为一类广泛的量子材料的莫特绝缘体，根据传统的能带理论预计是金属的，但由于现场电子-电子排斥而具有绝缘性。在这样的系统中，电子掺杂或外部压力可能会驱动绝缘体到金属的转变 (IMT)，并导致高 Tc 超导或巨磁电阻等显著特性。在过去的几十年里，莫特绝缘体中的填充或带宽控制 IMT（即莫特转变）一直是基础研究的热门话题 [1]。然而，由于一个非常简单的原因，这些 IMT 在应用中的使用仍然相当稀少。事实上，在实际设备中，压力或掺杂并不是容易控制的参数。我们 IMN 的研究小组证明，电场是破坏莫特绝缘状态并诱导绝缘体向金属转变的有效参数 [2]。我们首先证明了单晶上的非挥发性和可逆性转换，并进一步在多晶薄层上验证了莫特绝缘体家族的几个成员的转换 [3]。这种现象被称为“电莫特转变”(EMT)，在微电子应用方面前景广阔，并可能为基于莫特绝缘体的新型电子器件打开大门，称为 Mottronics [4]。进一步的研究表明，这种 EMT 是由大量热电子的产生引起的，导致丝状导电路径内发生电子雪崩 [5]。我们证明了这种机制正在驱动具有不同化学成分的多种莫特绝缘体中的 EMT，例如硫族化物 AM 4 Q 8（A=Ga、Ge；M=Nb、V、Ta、Mo；Q=S、Se、Te）和 Ni(S、Se) 2、氧化物 (V 1-x Cr x ) 2 O 3 和分子系统 Au(Et-thiazdt) 2 [6]。非挥发性 EMT 的特性适合于信息存储：“莫特存储器”与基于金属氧化物 (OxRAM) 或相变材料 (PCRAM) 的 ReRAM 相比显示出明显的优势 [7]。此外，我们还表明，受到一连串电脉冲作用的莫特绝缘体可能基于挥发性 EMT 表现出泄漏集成和起火行为。因此，莫特绝缘体可以复制人类大脑中神经元的主要功能，这使得它们可能适合构建人工神经元和硬件人工神经网络 [8]。一个有趣的颠覆性解决方案确实是用节能的人工神经元和突触“硬件”网络（即基于莫特绝缘体的构建块）取代能源密集型的软件网络。从长远来看，我们最近基于超快激光的研究表明，在基于 Mott 绝缘体的电光或全光设备中，可以实现皮秒范围内的最终切换时间 [9]。本演讲将首先回顾电 Mott 跃迁以及此特性所实现的新功能。然后，它将介绍一些 Mottronics 设备的示例，特别是用于数据存储和人工智能应用的示例。
磁性绝缘体和超导体的有限大小异质结构的拓扑特性
二维（2D）板和一维（1D）纳米替伯苯格几何形状的磁性拓扑绝缘子（MTIS）和超导体（SCS）的异质结构已预计宿主分别为宿主，手给了Mathiral Majoragana（Maginala Majorana Edge States（CMESS）和Majorana Boundana Boundate（Majorana Boundate）。我们研究了这种MTI/SC异质结构的拓扑特性，随着几何形状从宽平板变为准1D纳米替比系统的变化，并随着化学电位，磁掺杂和诱导的超导配对电位的函数。为此，我们构建了有效的对称性受限的低能汉密尔顿人，以解决真实空间的结构。对于具有有限宽度和长度的纳米替物几何形状，我们观察到以CMES，MBS和共存的CMES和MBS为特征的不同相，因为化学电位，磁性掺杂和 /或宽度是不同的。
由金属量子阱制成的光子拓扑绝缘体的全光调制器
* 通讯作者：陈洪生、李世龙、钱浩良，浙江大学信息与电子工程学院量子信息交叉学科中心、现代光学仪器国家重点实验室，杭州 310027，浙江大学；浙江大学-杭州全球科技创新中心、浙江省先进微纳电子器件与智能系统重点实验室，杭州 310027，浙江大学；浙江大学 ZJU-UIUC 学院国际联合创新中心，海宁 314400，浙江大学，电子邮箱：hansomchen@zju.edu.cn (H. Chen)、shilong.li@zju.edu.cn (S. Li)、haoliangqian@zju.edu.cn (H. Qian)。https://orcid.org/0000-0002-5735-9781 (H. Chen)。 https://orcid.org/0000-0003-4200-9479 (H. Qian) 王海腾、牛俊如、陈巧璐、邵华和杨逸浩，浙江大学信息与电子工程学院现代光学仪器国家重点实验室量子信息交叉学科中心，杭州 310027，中国；浙江大学-杭州全球科技创新中心、浙江省先进微纳电子器件与智能系统重点实验室，杭州 310027，中国；浙江大学 ZJU-UIUC 学院国际联合创新中心，海宁 314400，中国 赵思涵，浙江大学物理学院量子信息交叉学科中心、硅与先进半导体材料国家重点实验室、浙江省量子技术与器件重点实验室，杭州 310058，中国。 https://orcid.org/0000-0003-2162-734X
全小尺寸绝缘体聚合物基质结构...
为了提高全小分子 (ASM) 有机光伏 (OPV) 共混物的稳定性，一种名为苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯 (SEBS) 的绝缘聚合物作为形态稳定剂被应用于小分子 BM-ClEH:BO-4Cl 的主体系统。少量添加 SEBS（主体溶液中 1 mg/ml）可显著提高 T 80 值 15000 小时（外推），超过无掺杂（0 mg/ml）和重掺杂（10 mg/ml）对应物（900 小时、30 小时）。这种工业上可用的聚合物不会影响活性层的材料可重复性和成本效益，其中功率转换效率 (PCE) 可以很好地保持在 15.02%，对于非卤素溶剂处理的 ASM OPV 来说，这仍然是一个不错的值。形态学和光物理表征清楚地表明了 SEBS 在抑制供体分子降解和混合膜结晶/聚集重组方面的关键作用，从而有效地保护了激子动力学。这项工作对 ASM 系统稳定性给予了有意义的关注，采取了一种智能策略来抑制薄膜形态的退化，并全面了解了器件性能下降的机制。
绝缘体上硅锂上的集成掺杂的波导放大器
光学放大设备是光学通信系统中的关键组件。在1980年代，Erbium掺杂的纤维放大器（EDFAS）是一项开创性的成就，可以实现长途光学通信和革命性的信息传输[1，2]，因为EDFA一直为全球基于纤维的通信网络提供了低噪声的高收益，数十年来。erbium离子在覆盖高输出功率的电信带中表现出稳定和低噪声增益，使Erbium掺杂介质非常适合光学放大器和激光器。但是，EDFA通常需要一米至数十米的光纤长度，这使它们容易体现环境波动，并为整合工作带来挑战。半导体光放大器（SOA）具有高增益和集成，但它们具有极化敏感[3]，噪声图也相对较高。对比，与不同光子平台的稀土离子掺杂显示了可以有效解决问题的综合掺杂波导放大器（EDWAS）的巨大希望[4，5]。根据1990年代开始对EDWA进行的研究[6]。如今，Edwas引起了重大的兴趣，受益于不同集成光子平台的传播损失，包括氮化硅（SI 3 N 4）[1、7-9] [1、7-9]，氧化泰当不是（TEO 2）[10]和Niobate（Niobate（ln）[4、11-18）[4、11-18] [4、11-18] [4、11-18]>尤其是，由于其透明度较大，非线性和出色的电极（EO）特性，LN长期以来一直是光子学的有希望的材料。绝缘子（LNOI）平台上的Niobate锂结合了LN的优势与增强的模式限制，使其成为下一代光子集成电路
su中的金属绝缘体过渡和量子磁力（3 ...
3插入，用三个可能的自旋弹道在平均每个位置一个粒子的平均晶格上进行建模。我们提供了一个量子临界点的明确证据，将非磁性均匀金属相与存在长期“自旋”顺序的制度分开。通过不同的摩avors的规则，远程交替的多个连续过渡到磁性状态，随着相互作用强度的提高，其对称性会变化，显着地扩展了海森堡限制到巡回效率的先前工作。除了丰富的量子磁性外，与通常的SU（2）模型相比，这种重要的物理系统还允许研究整数填充和相关的Mott过渡，从而脱离了嵌套的距离。我们的结果还为解释当前和未来的实验提供了关于费米金碱 - 地球原子以及SU（N）物理学的其他实现的重要一步。
中等关联莫特绝缘体中的磁振子相互作用
低维系统和近量子相变中的量子涨落对材料特性有显著的影响。然而，很难通过实验衡量量子涨落的强度和重要性。这里，我们提供了 Mott 绝缘铜酸盐中磁振子激发的共振非弹性 X 射线散射研究。从 SrCuO 2 薄膜中，推导出单磁振子和双磁振子色散。使用由 Hubbard 模型生成的有效海森堡哈密顿量，我们表明，只有在包含源自磁振子-磁振子相互作用的显著量子校正时，才能令人满意地描述单磁振子色散。对 La 2 CuO 4 的比较结果表明，SrCuO 2 中的量子涨落要强得多，表明更接近磁量子临界点。蒙特卡罗计算表明，其他磁序可能与反铁磁尼尔序竞争基态。我们的结果表明，由于强烈的量子涨落，SrCuO 2 是探索新磁基态的独特起点。