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World File Search System绝缘体
非磁性手性绝缘子中热导导诱导的自旋电流的产生理论
图1（a）手性绝缘体和金属的键合系统。手性绝缘子上的温度梯度会产生从手性绝缘体到金属的旋转电流。 （b）磁旋转效果的示意图。 （c）手性绝缘体中的声子分散。
用于量子信息应用的全耗尽绝缘体上硅器件中量子点的工业方法
使用在低温下运行的先进互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术实现基于量子点的电子自旋量子比特，可以实现大规模自旋量子比特系统的可重复和高通量工业制造。采用纯工业 CMOS 制造技术制造的硅基量子点架构的开发是朝着这个方向迈出的重要一步。本论文研究了意法半导体公司（法国克罗尔）的 28 nm UTBB（超薄体和埋氧化物）全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术的潜力，以实现明确定义的量子点，能够实现自旋量子比特系统。在此背景下，在 4.2 K 下对 FD-SOI 微结构进行了霍尔效应测量，以确定量子点应用的技术节点的质量。此外，还介绍了一种针对量子设备实施而优化的集成工艺流程，该工艺流程仅使用硅铸造方法进行大规模生产，重点是降低制造风险和总体交货时间。最后，设计了两种不同几何形状的 28 nm FD-SOI 量子点器件，并研究了它们在 1.4 K 下的性能。作为 Nanoacademic Technologies、Institut quantique 和 STMicroelectronics 合作的一部分，开发了 3D QT-CAD（量子技术计算机辅助设计）模型，用于建模 FD-SOI 量子点器件。因此，除了通过传输测量和库仑阻塞光谱对测试结构进行实验表征之外，还使用 QTCAD 软件对其性能进行建模和分析。这里介绍的结果证明了 FD-SOI 技术相对于其他量子计算应用方法的优势，以及在此背景下 28 nm 节点的已知局限性。该工作为基于较低技术节点的新一代FD-SOI量子点器件的实现铺平了道路。
机器学习辅助陶瓷电力电子电路载体局部放电特性分析
导电介质，用于传输电荷。因此，总而言之，电场强度必须超过绝缘材料的击穿极限才能发生放电。缩小后，这意味着只要超过最大局部固有场强并且有起始电子，绝缘体的部分区域也可能会发生放电。因此，在整个绝缘体的一部分中发生的放电称为局部放电。尽管局部受限，但这些以及完全击穿都可能通过热量发射、振动、光子或化学方式损坏绝缘体。
TSK550高压绝缘硅胶化合物
电绝缘体，尤其是在暴露于元素时，可能会因灰尘，烟雾或盐颗粒而变得肮脏。绝缘性能可能会逐渐下降，而无需进行适当的清洁和维护。TSK550用于嵌入涂层绝缘体表面上的盐或灰尘颗粒，从而有助于绝缘体表面的清洁度和防水性。当涂层的驱虫剂显着降低并且发生弧形时，TSK550的电弧阻力也有助于防止绝缘子的釉破坏。这种保护有助于在重新涂抹之前完全利用涂层。
2025 年 1 月 27 日
张：我们最初的兴趣在于被称为光子拓扑绝缘体的电磁材料，这是一种光子晶体，可以控制光子，类似于拓扑绝缘体控制电子的方式。尽管一些提案讨论了使用光子拓扑绝缘体来减慢光速，但它们往往过于复杂且难以实现。2021 年，我们提出了将拓扑光子态与被称为平带的能带耦合的想法——这是目前正在积极研究的一个热门话题。这个想法使拓扑慢光的概念在实践中成为可能。
通过微偏射光谱法研究了拓扑绝缘体BI2TE3中接近性诱导的超导性的研究
我们使用拓扑绝缘子（TI）BI 2 TE 3和高温超导体（HTSC）混合装置来研究Ti中接近性诱导的超导性（PS）。应用超导体YBA 2 Cu 3 O 7-δ（YBCO）使我们能够访问该现象的更高温度和能量尺度。杂交设备中的HTSC表现出pseudogap状态的T> T C状态，该状态转化为t 转化过程已反映在Ti收集的拉曼光谱中。 互补的电荷运输实验表明，Ti中接近性诱导的超导间隙的出现以及HTSC中降低的超导间隙的出现，但没有伪模的签名。 这使我们得出结论，拉曼光谱揭示了伪PSEUDOGAP状态的形成，但无法区分Ti中的接近性诱导的超导状态与HTSC中以减少间隙为特征的HTSC中的超导状态。 我们的实验结果表明，拉曼光谱是对经典电荷运输实验的补充技术，并且是研究BI 2 TE 3中接近性诱导的超导性的强大工具。转化过程已反映在Ti收集的拉曼光谱中。互补的电荷运输实验表明，Ti中接近性诱导的超导间隙的出现以及HTSC中降低的超导间隙的出现，但没有伪模的签名。这使我们得出结论，拉曼光谱揭示了伪PSEUDOGAP状态的形成，但无法区分Ti中的接近性诱导的超导状态与HTSC中以减少间隙为特征的HTSC中的超导状态。我们的实验结果表明，拉曼光谱是对经典电荷运输实验的补充技术，并且是研究BI 2 TE 3中接近性诱导的超导性的强大工具。
用于 2D 晶体管的原生高 k 氧化物 - IuE
过去 60 年，集成电路中晶体管数量的迅猛增长推动了电子技术的进步。因此，现代电子芯片包含数十亿个场效应晶体管 (FET)，而最先进的硅 FET 由薄至 7 纳米（相当于 13 个原子层 1 ）的结构构成。然而，像硅这样的三维材料在进一步减小厚度时，迁移率会急剧下降。此外，非晶态和粗糙的沟道/氧化物界面（也存在于先进的高 k 技术中，如二氧化铪，HfO 2；k，介电常数）的影响变得越来越有害。因此，仅仅依靠标准硅技术进一步缩小现代电子设备的体积正在慢慢停滞 2 。继续缩小设备体积最有希望的解决方案之一是使用具有原子级厚度的二维 (2D) 沟道 3、4 的 FET，它们本质上提供亚纳米级的沟道厚度。然而，2D 技术缺乏能像二氧化硅 (SiO 2 ) 与硅一样有效的绝缘体。理想情况下，这种绝缘体必须能够扩展到等效氧化物厚度 (EOT；与某种替代绝缘体产生相同电容的 SiO 2 厚度) 的单个纳米以下，并且质量足够高以保持低漏电流。此外，绝缘体应该与通道具有明确的界面，绝缘体缺陷数量少，并且介电稳定性高。Hailin Peng 和同事在《自然电子学》上撰文，表明高迁移率 2D 半导体 Bi 2 O 2 Se 可以共形氧化为原子级薄的天然氧化物亚硒酸铋 (Bi 2 SeO 5 )，随后可用作 FET 5 中的栅极绝缘体。目前，六方氮化硼 (hBN) 被广泛认为是二维电子器件最有前途的绝缘体，因为它是结晶的，并且具有干净的范德华界面 6 。然而，hBN 不太可能满足低漏电要求
二维轨道磁化无序性的数值研究
摘要：现代轨道磁化 (OM) 理论是利用 Wannier 函数方法发展起来的，其形式与 Berry 相相似。在本文中，我们利用该方法对二维 Haldane 模型进行了无序下 OM 的命运的数值研究，该模型可以在半填充的正常绝缘体或陈绝缘体之间进行调整。模拟了两种情况下无序增加对 OM 的影响。在弱无序区域和拓扑平凡情况下观察到能量重正化偏移，这是通过自洽 T 矩阵近似预测的。除此之外，还可以看到另外两种现象。一是能带轨道磁化的局部化趋势。二是来自非零陈数或大积分 Berry 曲率值的拓扑手性态的显著贡献。如果费米能量固定在清洁系统的间隙中心，则 | M | 会增强对于正常绝缘体和陈绝缘体的情况，都处于中等无序状态，这可以归因于局域化之前无序引起的拓扑金属态。
拓扑声学
拓扑声学领域的灵感来源于凝聚态物质中拓扑绝缘体的发现，拓扑绝缘体是一类具有极不寻常电传导特性的材料。与传统半导体一样，拓扑绝缘体的特点是价带和导带之间存在电子能量间隙（带隙）。对于该带隙内的电子能量，拓扑绝缘体在其本体中不导电，因此得名。然而，任何有限的此类材料样本都必然支持沿其物理边界的传导电流；价带和导带的拓扑特征确保了这些边界电流的存在。因此，这些电流的存在与边界形状或不影响带隙拓扑的连续缺陷和瑕疵的存在无关。了解了这一特性，我们只需分析无限介质能带的拓扑特征，就能预测沿此类材料的任何有限样本边界流动的传导电流的存在（Thouless 等人，1982 年；Haldane，1988 年）。因此，这些电流对缺陷和无序表现出不同寻常的稳健性。电子自旋在定义这些材料的拓扑响应方面起着根本性的作用。
GCSE设计与技术年11 2024-25
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