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World File Search System绝缘体
绝缘体中与氢相关的缺陷
氢是绝缘子中的大量杂质，可以在半导体行业的生长和各种处理步骤中轻松引入。通过与不同的晶体缺陷反应，H可以钝化它们或形成新型的Elective elective Himctive H活性相关的复合物。[1,2]这些缺陷可能明显影响了微电子设备的电性能，对它们的控制是现代微电子的重要任务。在文献中，致力于研究h h h中与H相关缺陷的电和光学特性的研究相对较少。根据理论，孤立的间质h充当两性杂质，也可能是绝缘子中负电荷的来源。[3 - 5]通过使用第一个原理总计计算，kilic和Zunger [3]降低了间隙H应该根据Fermi水平在绝缘子带中的位置引入浅或深度状态。作者通过暗示存在H的过渡水平（þ /）的存在，应位于真空水平以下约3.0 0.4 eV。该级别的位置定义了绝缘子中孤立H的电荷状态。h应该是负（积极的）。浅氢状态也可以出现在绝缘体的带隙中。过渡级别的存在
双层升降机抵抗过程优化绝缘体...
摘要 - 双层升降方法在商业上用于制造许多MEM和半导体器件结构，并部署用于金属化过程以制造神经探针电极。该过程利用LOR/PMGI加上成像抗性来创建双层掩蔽结构。唯一地，可以自定义此结构，因为它的组成和尺寸可以针对给定的材料 - 沉积设计特征目标量身定制。考虑了材料和制造选择的必要进步，以实现神经植入器设备和微电极阵列（MES）进行本研究，以评估使用绝缘体材料SIO 2的双层加工的使用。提出了基于施加的沉积膜应力的结构优化的预测模型，用于相关的厚度，以制造导体线绝缘和微电极阵列。此外，它还使用能够在较高温度绝缘体沉积过程中保持稳定性的负成像抗性引入了新的高温双层过程。这项研究确定了用溅射绝缘子制造成功的双层目标的尺寸目标，以优化用于测量，密歇根州类型探针和相关神经界面微观结构的有用结构。新的处理能力可以启用新的神经探针界面设计和功能，以扩大人工智能和机器交叉点。
Karbalaei, M.、Dideban, D. 和 Heidari, H. (2020) 高 K 绝缘体和源极堆栈对双栅极隧道 FET 性能的影响：模拟
在本文中，我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET（DG-TFET）电气性能的影响。为此，我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较，这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的，要么是异质的，而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外，还提出了一种具有硅源堆栈的结构，并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明，漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导，而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是，与传统 TFET 相比，HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外，在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中，硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合，可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)
傅里叶变换准粒子干涉图的从头算理论及其在拓扑绝缘体 Bi2Te3 中的应用
能带结构各点之间的散射矢量。在这方面，傅里叶变换的 QPI 图提供了拓扑绝缘体存在的首批实验证据之一，[4]因为它揭示了背向散射矢量处强度的“缺失”，正如理论所预测的那样。从理论的角度来看，QPI 图的计算主要基于模型方法，例如在拓扑绝缘体表面，[5]其中表面能带结构可以用简单的模型哈密顿量来近似。然而，一般而言，基于密度泛函的方法对于表面电子结构的实际描述是必需的，特别是杂质势，其中杂质周围的电荷弛豫在正确描述散射相移中起着重要作用。密度泛函计算的一个困难是缺陷引起的密度振荡范围非常大，可以达到几十甚至几百纳米，因此超晶胞方法实际上无法达到这个极限。这些挑战只能通过从头算格林函数嵌入方法来解决，比如 Korringa-Kohn-Rostoker（KKR）方法。作为一个应用的例子，我们参考了 Lounis 等人 [6] 对 Cu(111) 和 Cu(001) 表面上的 QPI 的计算，这是由于表面下埋藏着一个孤立杂质。这些结果表明，利用格林函数技术可以在相当大的表面积上对 QPI 图进行从头算计算。然而，对于傅里叶变换的 QPI 图，直接用格林函数卷积来表示结果是可行的[7]，避免了计算大表面积中实空间图的中间步骤。在本文中，我们将探讨这个问题，并给出它在拓扑绝缘体领域的应用。在第 2 节中，我们概述了 KKR 方法中实空间和傅里叶变换 QPI 映射的形式。此外，我们讨论了多杂质实际情况的傅里叶变换 QPI，并认为多杂质问题可以用单杂质结果很好地近似。我们还讨论了扩展的联合态密度方法 (exJDOS)。在第 3 节中，我们将我们的形式应用于具有表面杂质的拓扑绝缘体 Bi 2 Te 3。这在 JuKKR 代码包中实现。[8] 最后，我们在第 4 节中进行了总结。
拓扑绝缘体中非磁性掺杂诱导的量子异常效应
量子异常霍尔效应（QAHE）已在磁掺杂的拓扑绝缘子中进行了实验观察到。然而，主要归因于吸毒者磁掺杂的超高温度（通常低于300 mk），成为潜在应用的艰巨挑战。在这里，提出了一种非磁性策略来产生铁磁性并在拓扑绝缘子中实现Qahe。我们从数值上证明，在BI 2 SE 3，BI 2 TE 3和SB 2 TE 3中，非磁性氮或碳取代可以诱导磁矩，而只有氮掺杂的SB 2 TE 3系统才能表现出远距离的铁磁性，并保存大型的散装带隙。我们进一步表明，其相应的薄膜可以在17-29开尔文的温度下携带Qahe，这比相似系统中典型实现的温度高两个数量级。我们提出的非磁性掺杂方案可能会阐明拓扑绝缘体中高温QAHE的实验性实现。
优化绝缘体薄膜的双层剥离抗蚀剂工艺
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出，VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征，以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化，各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外，它还介绍了一种新的高温双层工艺，使用负像抗蚀剂，能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标，用于溅射绝缘体，适用于工艺优化，以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
从二维拓扑绝缘体设计角态
我们从理论上证明了通过施加平面塞曼场可以在二维 Z 2 拓扑绝缘体中实现具有稳健角态的二阶拓扑绝缘体。塞曼场破坏了时间反演对称性，从而破坏了 Z 2 拓扑相。然而，它尊重一些晶体对称性，因此可以保护高阶拓扑相。以 Kane-Mele 模型为具体例子，我们发现沿锯齿边界的自旋螺旋边缘态被塞曼场隔开，而在两个锯齿边缘的交叉点处出现了带隙内角态，该角态与场的方向无关。我们进一步表明，角态对平面外塞曼场、交错亚晶格势、Rashba 自旋轨道耦合和蜂窝晶格的屈曲具有稳健性，使它们在实验上可行。在著名的 Bernevig-Hughes-Zhang 模型中也可以发现类似的行为。
光驱动 IV 族单硫属化物中正常到拓扑绝缘体马氏体相变
摘要 一种可能表现出具有不同光电特性的多个晶相的材料可用作相变存储材料。当两个竞争相具有较大的电子结构对比度并且相变过程为无扩散和马氏体时，灵敏度和动力学可以增强。在这项工作中，我们从理论和计算上说明了这种相变可能发生在 IV 族单硫属化物 SnSe 化合物中，该化合物可以存在于量子拓扑平凡的 Pnma -SnSe 和非平凡的 Fm 3 m -SnSe 相中。此外，由于这些相的电子能带结构差异，揭示了 THz 区域的光学响应的巨大差异。根据驱动电介质的热力学理论，提出了使用具有选定频率、功率和脉冲持续时间的线性偏振激光进行光机械控制以触发拓扑相变。我们进一步估计了驱动可在皮秒时间尺度上发生的无障碍跃迁的临界光电场。这种光致动策略不需要制造机械接触或电引线，只需要透明度。我们预测，伴随大熵差的光驱动相变可用于“光热”冷却装置。
单个约瑟夫森（Josephson）中的超导体 - 绝缘体过渡...
对于超大的约瑟夫森连接，当量子效应变得重要时，已经预测了异常相变（DPT）[1]。这种过渡的物理起源是通过与耗散量子力学环境的相互作用来抑制该相的宏观量子隧穿。宏观量子隧道破坏了连接的超导性，而隧道的抑制会恢复超导性。因此，这种过渡通常称为超导体 - 绝缘体过渡（SIT）。sit是针对各种系统的，但是在单个约瑟夫森交界处的检测至关重要，因为它是预期这种过渡的最简单系统，而没有任何其他物理过程掩盖的风险，而在常规或随机的Josephson Junction阵列（如常规或随机的）系统中可能是可能的。在这封信中，我们介绍了我们对R = DV / DL与 /曲线的测量结果，对于各种单个小型隔离的Josephson连接，分流和未分离，具有不同的电容C和正常状态隧道阻力RT的值，我们已经检测到了两种类型的RL-Curves之间的跨界频率，这些RL-Curves具有与本质上的小型cortents syly Cortersents sybles conterents sybles conterents。根据此交叉，我们能够为约瑟夫森连接的整个相图映射[2]。观察到的相边界的位置与原始理论的预期不一致。但是，该理论要考虑到我们的电压测量值的有限准确性（即我们能够检测到的最小电压），很好地解释了观察到的相图。因此，任何DPT都是坐的，但反之亦然。我们的重要结论是，耗散相变（DPT）和超导体 - 绝缘体转变（SIT）的概念并不完全与以前相同。两者都伴随着热度的符号变化，传统上被认为是SIT的签名。我们认为，DPT的真实特征是我们实验中观察到的VI曲线的修改。我们的工作是在约瑟夫森相位临界的单一约瑟夫森（Josephson）中的量子效应的强烈证明和相位运动的带图。