自 1974 年出版以来,由 Byron E. Blair 编辑并作为 NBS Monograph 140 出版的《时间和频率:理论和基本原理》多年来一直是从事高稳定时钟和振荡器特性分析工作的人员的常用参考书。Monograph 140 已逐渐过时,随着新军用规范 MIL-O-55310B(该规范涵盖了晶体振荡器的一般规范)的发布,Monograph 140 已不再能满足早年的需求,这一点变得尤为明显。在新军用规范的制定过程中,该过程涉及多方面的讨论和意见,该规范的主要作者、美国陆军电子技术与设备部的 John Vig 敦促国家标准局(现为国家标准与技术研究所,NIST)发布修订版出版物,作为时钟和振荡器特性分析的参考。由于 NIST 已同意这项任务,军事规范的制定者在其文件中使用了“NBS Monograph 140R”这一名称,预计修订版 (R) 卷尚未准备好。考虑到时间和频率领域有许多较新的书籍,重写 Monograph 140 这样的主要卷似乎不合适。真正的需要不是重写 Monograph 140 中的所有内容,而只是重写那些提供定义和 m 参考的部分
在这些标准下,我们开展了一项探索性计划,以表征普通强度造船钢(即 ABS A、B、C、D、E 和 CS 级)的动态断裂韧性。试验材料(板材)从几个造船厂和钢厂随机获得,以表征当前炼钢产品的特性。断裂韧性趋势通过落锤试验(NOT,l-in)定义。DT 和标准夏比 V 型缺口试验,并将观察到的韧性特征与拟议的韧性标准进行比较。发现 ABS A、B 和 C 级非热处理板材的韧性不足以满足合理的断裂韧性要求。另一方面,发现 ABS C、D、E 和 CS 级正火板材表现出改善的韧性趋势,在大多数情况下可以满足拟议的要求。
本材料表征系列试图满足实际材料用户的需求,重点关注表面、界面和薄膜微观表征的新领域。该系列由第一卷《材料表征百科全书》和大约 10 卷后续卷组成,这些卷集中介绍了各个材料类别的表征。百科全书中有 50 篇简短文章(每篇 10-18 页),采用标准格式呈现,方便读者阅读,并附有简单易懂的技术描述及其实际使用示例。除了文章之外,还有每种技术的一页摘要、相关技术分组的介绍性摘要、完整的首字母缩略词词汇表以及所有 50 种技术主要特征的表格比较。该系列共 10 卷,专门针对特定材料类别进行特性描述,包括硅加工、金属和合金、催化材料、集成电路封装等。特性描述是从材料用户的角度进行研究的。因此,一般来说,格式是基于特性、加工步骤、材料分类等,而不是基于技术。所有卷的重点都是表面、界面和薄膜,但重点会根据这些领域对相关材料类别的相对重要性而有所不同。每卷的附录都复制了百科全书中相关的一页摘要,并对百科全书中未涵盖的任何技术提供了更长的摘要。该系列的概念来自与 Manning Publications Comparly 的 Marjan Bace 的讨论。材料特性描述通常的呈现方式与很大一部分受众(材料用户、工艺工程师、经理或学生)的需求之间存在差距。根据我们的经验,当在关于分析技术的讲座或课程结束时,有人问到如何解决某种材料(或加工)特性问题时,答案往往是演讲者“是技术专家,而不是材料方面的专家,没有处理过那种特定情况的经验”。本系列试图通过从材料用户的角度而不是分析技术专家的角度来处理特性问题,从而弥补这一差距。我们要感谢 Marjan Bace 提出最初的概念,感谢 Charles Evans and Associates 的 Shaun Wilson 和表面科学实验室的 Yale Strausser 帮助进一步定义本系列,并感谢所有单卷的编辑努力制作实用的、基于材料用户的卷。
系统发生学是研究不同生物群体之间的进化关系。我们可能永远无法知道生命的真正起源,但您将在本单元中学习的分类方法是确定一组生物共同起源的重要工具。由于获得纯微生物培养物的限制,传统的通过研究形态特征来确定祖先层面的亲缘关系的方法并不总是适用于微生物。随着技术的进步,分子序列(DNA、RNA 和蛋白质)的可用性彻底改变了这些研究。人们认为这些序列就像“分子钟”,随着时间的推移而进化,保存了生存的关键信息。1965 年,Zuckerkandl 和 Pauling 首次提出了核酸和蛋白质序列随时间变化的概念,可以将其视为分子计时器。据推测,这些变化会随着时间的推移而增加,但本质上是中性的,因此蛋白质仍然具有功能性。如果两个生物群体中两个相似分子的序列完全不同,则意味着这两个群体很久以前就已经彼此分化了。因此,这些分子序列可以作为了解不同生物之间系统发育关系的丰富而可靠的信息来源。
动机:复合层压板和纺织品所需的剪切试验改进 – 高剪切强度 – 粗糙结构需要更大的量规截面 目标:测量剪切模量和剪切强度 方法:结合现有剪切试验的吸引人的特点 – 约西佩斯库剪切 (ASTM D 5379) – 双轨剪切 (ASTM D 4255)
近年来,微电子技术发生了巨大的变化,现代 CMOS 技术使集成电路的性能和复杂性稳步提高。图 1(a) 显示了传统 n 型体硅 MOSFET 的示意图,它由 p 型衬底内重度 n 型掺杂的源极和漏极区组成。此外,MOSFET 的栅极电极长度为 L,宽度为 W,栅极电极通过厚度为 d ox 的绝缘体(通常为 SiO 2 )与体硅衬底绝缘。源极-通道和通道-漏极界面处的两个 pn 结(见图 1(b))可防止电流从源极流向漏极。施加正栅极电压 V gs > V th ,会在通道/栅极氧化物界面处创建反型层(p 型衬底中的电子)。在这种情况下,如果施加额外的漏极-源极偏压 V ds,电流就可以流过该器件。