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基于有源电感、具有大输出电压摆幅的高线性度 10 Gb/s MOS 电流模式逻辑驱动器
一些设计挑战[18,19]。有源电感使用晶体管构建，因此电压摆幅低于无源电感，因为晶体管需要较大的电压余量。并且晶体管的非线性特性使有源电感的电感阻抗随偏置点而变化[20]。当有源电感工作在相对较大的电压摆幅下时，输出阻抗的变化很大。为了增加输出电压摆幅，做了一些其他的工作[21-23]。它们克服了阈值电压的限制，因此所需的电压余量降低了，但是晶体管非线性的影响仍然存在。为了使阻抗变化可接受，它们仅对输出电压摆幅提供有限的增加。
对于使用 AST 产品的典型任务（在低地球轨道运行 10 年），考虑到其固有屏蔽，可以假设剂量高达 40 千拉德。
辐照在德国奥伊斯基兴的“弗劳恩霍夫自然科学技术趋势分析研究所”进行，使用最大剂量率为 720 krad/h 的 60 Co 源和单独的中子源。同位素 60 Co 经 β 衰变为 60 Ni，半衰期约为 5.3 年，后者通过发射能量为 1.172 MeV 和 1.332 MeV 的伽马射线衰变为镍的基态 [3]。弗劳恩霍夫 INT 的 THERMO-Fisher D-711 中子发生器通过以 150 kV 的电压将氘离子 (D = 2H) 加速到氘或氚靶 (T = 3H) 上来产生中子。在靶内发生DD或DT核聚变反应，分别释放氦同位素3He和4He，以及能量分别为2.5MeV和14.1MeV的快中子[4]。3.被测装置
吸附金属酞菁对二硫化钼缺陷光致发光猝灭的机理研究
图 2. (a) 机械剥离的 MoS 2 的光学显微照片，其中单层区域突出显示。(b) 沉积 1 nm CoPc 之前和之后单层 MoS 2 的拉曼光谱。A 1g 和 E 2g 峰之间的间隔约为 19 cm -1 ，表明为单层 MoS 2 。1100 – 1500 cm -1 范围内的拉曼模式是 CoPc 的特征。(c) 机械剥离的 MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 300 K PL 光谱。A 激子和相关的三子在 675 nm 处很突出，由于 B 激子的存在，可以看到一个小的高能肩。(d) MoS 2 和含有 1 nm CoPc 的 MoS 2 的 10 K 光致发光。在此温度下，除了 660 nm 和 600 nm 处的 A 和 B 激子外，MoS 2 缺陷发射在 700 nm 处也变得明显，
第九章 士兵分类制度 9-1. 总则
9–4. 军事职业特长 MOS 确定了一组需要密切相关技能的岗位。在 MOS 中胜任一个岗位的士兵，经过充分的在职培训后，可以在其他任何复杂程度或难度相同的岗位上工作。MOS 广泛地确定了技能类型，而不考虑技能水平。为了代表一个可管理的分组并为士兵提供最低限度的可持续任务和职业发展机会，MOS 应适用于至少 75 个授权岗位。由于部队结构变化或其他行动而低于此授权水平的 MOS 应考虑与其他 MOS 合并和/或删除。对于需要长期培训的高技术 MOS，最低授权要求的例外情况可由 ODCS G1 (DAPE-PRP) 批准。
第九章 士兵等级制度
9–4. 军事职业特长 MOS 确定了一组需要密切相关技能的岗位。在 MOS 中胜任一个岗位的士兵，经过充分的在职培训后，可以在其他任何复杂程度或难度相同的岗位上工作。MOS 广泛地确定了技能类型，而不考虑技能水平。为了代表一个可管理的分组并为士兵提供最低限度的可持续任务和职业发展机会，MOS 应适用于至少 75 个授权岗位。由于部队结构变化或其他行动而低于此授权水平的 MOS 应考虑与其他 MOS 合并和/或删除。对于需要长期培训的高技术 MOS，最低授权要求的例外情况可由 ODCS G1 (DAPE-PRP) 批准。
课程 M.Tech VLSI 设计 2022-23 批次及以后
讲座总数：42 讲座分类 讲座数 1. MOS 电容器：金属-氧化物-半导体接触的能带图，操作模式：积累、耗尽、中间带隙和反转，MOS 的一维静电，耗尽近似，泊松方程的精确解，MOS 的 CV 特性，LFCV 和 HFCV，MOS 中的非理想性，氧化物固定电荷，界面电荷，中间带隙栅极电极，多晶硅接触，非均匀衬底掺杂的静电，超薄栅极氧化物和反转层量化，量子电容，MOS 参数提取
提高了CVD双层MOS2字段中的低频噪声...
在MOS 2效应晶体管中，与迁移率或数量依赖性关系相关的电流或电压闪烁是由低频噪声的特征。这种噪声通常可用于评估基于MOS 2的电子设备的应用限制。在这项工作中，通过化学蒸气沉积（CVD）生长的单晶双层MOS 2的低频噪声特性是系统地进行投资的，并发现与基于单层MOS 2通道的低频噪声MOS 2相比，可提供显着的性能改进。在F¼100Hz时，归一化的漏极电流功率频谱密度（S I / I D 2）为2.4 10 10 Hz 1和BiLayer和Monolayer MOS 2转换器分别为3.1 10 9 Hz 1。McWhorter的载流子数量流量模型可以准确地描述1晶体管类型，这表明载流子捕获和通过介电缺陷捕获和去捕获是CVD MOS 2晶体管中1/ F噪声的主要机制。此外，在VBg¼3V时，通过使用后场电压降低了双层MOS 2晶体管的接触电阻，从而在VBg¼3V时实现了最小的WLS I / I D 2的3.1 10 10 L m 2 / hz（其中W是栅极宽度，L是栅极长度）。这些结果表明，CVD双层MOS 2是未来大规模2D-Sementemondoctor的电子应用，具有提高噪声性能的有前途的候选者。
比较Fruquintinib和Regorafenib在转移性结直肠癌治疗的功效和安全性的比较：一项现实世界研究
结果：这项研究共有105名患者。Fruquintinib组的ORR（n = 55）和雷莫非尼组（n = 50）为6.1％和2.0％； DCR分别为65.3％和54.2％。两组之间的OS（MOS）和PFS（MOS）和PFS（MOS）没有显着差异（MOS：14.2 vs12.0个月，P = 0.057； MPFS：4.4 vs 3.5个月，P = 0.150）。联合免疫疗法显示出协同作用。结合抗PD-1治疗的Fruquintinib的MPF和MOS比Fruquintinib单药治疗的MPF和MOS长（MPFS：5.9 vs 3.0个月，P = 0.009； MOS：17.5 vs 11.3 vs 11.3个月，P = 0.008）。与抗PD-1治疗相结合治疗的患者的MOS比雷莫非尼单一疗法高14.8个月（p = 0.045）。与抗PD-1疗法结合使用时，Fruquintinib的MPF和MOS比Regorafenib明显更长（MPFS：5.9 vs 3.8个月，P = 0.018; MOS：17.5 vs 17.5 vs 14.8个月，P = 0.044）。在治疗序列中，用雷莫非尼治疗的患者OS和Fruquintinib的患者比反向治疗序列的患者明显更长（15.0 vs 8.3个月，p = 0.019）。不良反应通常相似，但是雷莫非尼的手脚综合征的发生率高于Fruquintinib，而Fruquintinib更容易容易出现3级高血压。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。