1 无机和分析化学,2 制药,3 无机和分析化学,维沙卡帕特南,530003,印度。摘要:纳米材料的生产和应用研究已经开展多年。由于基本元素钼和另一种化学元素硫(氧族元素)的性质不同,它们具有各种吸引人的特性。尽管我们对二硫化钼纳米粒子的成核、发展和结构所涉及的过程以及其生物特性和催化活性背后的机制的理解取得了重大进展,但仍存在许多困难。纳米材料的进化有助于在纳米级改变材料的形状和结构,以实现所需的应用。为了区分半导体相和金属相,人们开发了准二维 (Q2D) 材料,例如石墨烯和 2D 蜂窝硅,以及层状过渡金属二硫属化物 (TMD),例如二硫化钼 (MoS 2 ) (WS2)。因为它在从块体转变为纳米级时能够表现出广泛的特性。其中,二硫化钼 (MoS 2 ) 是一种有趣的多功能材料。由于其 (1.9 eV) 直线带隙值,单片 MoS 2 无疑能够实现后硅电子学。在室温下,它具有高开/关电流比和大约 200 cm 2 (Vs -1 ) 的迁移率。MoS 2 的结构也是其两个特性的决定因素。它对气体传感很有用,因为它具有六边形结构,其中 S-Mo-S 原子层共价连接,相邻的 MoS 2 层之间有范德华连接。由于 MoS 2 具有良好的特性,因此具有多种实际应用。我们力求在这篇综述中涵盖当前的合成技术及其在 2D MoS 2 材料中的应用。关键词:过渡金属二硫化物 (TMD)、二硫化钼 (MoS 2 )、二硫化钼材料的合成技术以及二硫化钼的应用。
ABSTRACT: The realization of next-generation gate-all-around field-effect transistors (FETs) using two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMDC) semiconductors necessitates the exploration of a three-dimensional (3D) and damage-free surface treatment method to achieve uniform atomic layer-deposition (ALD) of a high-k dielectric film on the inert surface of a TMDC channel.这项研究开发了对MOS 2的BCl 3等离子体衍生的自由基处理,以使MOS 2表面功能化,以使超薄AL 2 O 3膜的随后ALD函数。微观结构验证证明,在平面MOS 2表面上大约2 nm厚2 O 3膜的覆盖范围,并使用从基板漂浮的悬浮的MOS 2通道确认了该技术对3D结构的适用性。密度功能理论计算由光学发射光谱和X射线光电子光谱测量值支撑,揭示了Bcl激进分子主要由BCL 3等离子体产生,并吸附在MOS 2上,并促进了Ultrathin Ald-Ald Ald-Ald 2 O 3膜的均匀成核。拉曼和单层MOS 2的光致发光测量以及底部门控的FET的电测量结果证实,由Bcl 3等离子体衍生的自由基治疗造成的可忽略不计。最后,证明了具有超薄ALD-Al 2 O 3(〜5 nm)栅极介电膜的顶部门控FET的成功操作,表明预处理的有效性。关键字:MOS 2,表面功能化,BCl 3等离子体,自由基,原子层沉积,高K介电
第 1 章 职责步兵是一个独特的兵种,旨在通过火力和机动接近敌人,消灭或俘虏敌人,并通过火力、近战和反击击退敌人的进攻。步兵是陆军中唯一为完成这一任务而组织、装备和训练的兵种。步兵领导人同步所有战斗力要素以击败敌人。步兵士官确保在其监督下的士兵接受 MOS 和基本士兵技能的单独训练。步兵士官还训练士兵在战场上作战、取胜和生存。士官准备在战场上训练、领导和使用步兵和其他作战武器,参与各种军事行动。步兵通过降落伞或空袭、机械化或轮式车辆或步行抵达战场。插入方式取决于任务、敌人、地形、天气和可用时间。 CMF 11 由三个独立且不同的军事职业专业 (MOS) 组成,MOS 11B 步兵、MOS 11C 间接火力步兵和 MOS 11Z 步兵高级中士。
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度,并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。,我们在两个去角质的六角钼二硫化物(MOS 2)的两个底物之间退火纳米厚的金(AU)纳米颗粒,其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度,范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明,当双层的扭曲角度很小(<〜7°)时,AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角,Au只有一个小的不良对象,而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化(<|±0.5%|),与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
VDW砧座由两个单一晶体MOS 2单层在蓝宝石上生长。砧座对于生产2D金属至关重要,原因有两个。首先,单层MOS 2 /SAPPHIRE的原子平坦,无骨的表面确保大规模均匀的2D金属厚度。第二,蓝宝石和单层MOS 2(> 300 GPA)的高年轻人的模量使它们能够承受极端的压力,从而使两个砧之间形成2D金属到
图3。照片和拉曼2层的电化学测量。(a)在PMMA涂层的SI底物上的光学微图和MOS 2片。(b)选定的单层/几层/散装薄片区域的AFM显微照片。(c)光电化学设置的示意图。(d)E 2G /SI强度比的拉曼图。(e)PL强度图在690 nm波长处。(f)和(g)拉曼光谱分别显示了两个主MOS 2频段和Si频段,以及它们的MOS 2层数量。(h)单层/几层/块状MOS 2的PL光谱。分别通过浅蓝色和深蓝色正方形在(a)中指示了用于AFM测量的区域(B)和Raman(d)和PL(E)地图。在(d,e)中以彩色十字表示的斑点记录了拉曼和PL光谱。(经[50]的许可转载。版权所有2016年美国化学社会。)
摘要:我们通过使用依赖偏振的超频率拉曼光谱的纯3R和2H堆叠顺序研究了MOS 2中的层间剪切和呼吸声子模式。我们在MOS 2中最多观察到三层剪切分支和四个呼吸分支,厚度为2至13层。呼吸模式显示出两种多型型的拉曼活性行为,但是2H呼吸频率始终比3R呼吸频率高几个波数,这表明2H MOS 2的层间层间层间lattice晶格偶尔略高于3R MOS 2。相比之下,剪切模式拉曼光谱在2H和3R MOS 2中截然不同。虽然最强的剪切模式对应于2H结构中的最高频率分支,但它对应于3R结构中的最低频率分支。3R和2H多型的如此独特和互补的拉曼光谱使我们能够从最高到最低分支中调查MOS 2中的广泛剪切模式。通过结合线性链模型,群体理论,有效的键极化模型和第一原理计算,我们可以考虑实验中的所有主要观察结果。
第 7 章 报告代码 7-1。人员和兵力报告代码 当主要或值班 MOS 不合适时,以下报告代码将用于人员和兵力核算文件中,以反映准尉的状态。a.报告代码 001A,授权准尉 MOS 不合格。代替 PMOS 来报告无法在本出版物中包含的任何 MOS 中适当分类的准尉。在此报告代码中分类的准尉将被视为多余人员,直到他们有资格在授权准尉 MOS 中分类或从现役陆军或 USAR 退役。b.报告代码 002A,病人。用于代替值班 MOS,报告因疾病、精神或身体残疾或住院或非住院康复状态而解除职务的准尉的当前值班状态。此代码将用于报告因医疗原因而待退伍或退休的准尉,如果情况不允许以生产性状态就业,则将使用该代码报告。c. 报告代码 003A,学生。用于代替值班 MOS,报告正在陆军服务学校或民事机构或其他类似组织的培训机构全职学习课程的准尉的当前值班状态。d. 报告代码 004A,未分配或正在转移的职责。用于代替职责 MOS,报告被赋予特定主要职责(无论是被分配或附属于某个单位,还是正在加入某个单位)的准尉缺席当前职责分配的情况。7-2.代替 MOS 的奖励 除了报告代码 001A 中等待 PMOS 资格的准尉分类外,报告代码不会用于人员或职位分类。
第 7 章 报告代码 7-1。人员和兵力报告代码 当主要或值班 MOS 不合适时,以下报告代码将用于人员和兵力核算文件中,以反映准尉的状态。a.报告代码 001A,授权准尉 MOS 不合格。代替 PMOS 来报告无法在本出版物中包含的任何 MOS 中适当分类的准尉。在此报告代码中分类的准尉将被视为多余人员,直到他们有资格在授权准尉 MOS 中分类或从现役陆军或 USAR 退役。b.报告代码 002A,病人。用于代替值班 MOS,报告因疾病、精神或身体残疾或住院或非住院康复状态而解除职务的准尉的当前值班状态。此代码将用于报告因医疗原因而待退伍或退休的准尉,如果情况不允许以生产性状态就业,则将使用该代码报告。c. 报告代码 003A,学生。用于代替值班 MOS,报告正在陆军服务学校或民事机构或其他类似组织的培训机构全职学习课程的准尉的当前值班状态。d. 报告代码 004A,未分配或正在转移的职责。用于代替职责 MOS,报告被赋予特定主要职责(无论是被分配或附属于某个单位,还是正在加入某个单位)的准尉缺席当前职责分配的情况。7-2.代替 MOS 的奖励 除了报告代码 001A 中等待 PMOS 资格的准尉分类外,报告代码不会用于人员或职位分类。