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用于注塑陶瓷加热元件的 MoSi2/Al2O3/长石复合材料
MoSi 2 是一种导电材料，广泛应用于高温环境。本文介绍了通过陶瓷注射成型 (CIM) 生产含 MoSi 2 的电阻加热元件。烧结部件由嵌入玻璃化长石和 Al 2 O 3 基质中的 MoSi 2 颗粒组成。通过改变导电相的含量可以精确调整烧结部件的导电性。为了开发注塑原料，评估了四种粘合剂系统。相应的原料在传统模具以及增材制造的可溶模具中注塑成不同的几何形状。对于每种原料，都根据热重测量制定了脱脂和烧结程序。脱脂温度越高，MoSi 2 氧化越多，样品导电性越差。因此，烧结部件的导电性以及密度用于评估原料的适用性。最后，辉光试验证明 MoSi 2 /Al 2 O 3 /长石复合材料部件可用作加热元件，并且通过将红外测温数据与计算模拟相结合，可以可靠地获得热导率、电导率和热容量等重要的材料数据。
单层 MoS2 的低温固源合成
摘要：二维 (2D) 半导体已被提议与现有的硅技术进行异质集成；然而，它们的化学气相沉积 (CVD) 生长温度通常太高。在这里，我们展示了在 50 分钟内在 560 °C 下直接使用 CVD 固体源前体合成连续单层 (1L) MoS 2 薄膜，在 450 至 600 °C、2 小时的热预算窗口内，以实现与现代硅技术的后端兼容。晶体管测量表明，在 1 V 漏极 - 源极电压下，100 nm 通道长度的导通电流高达 ∼ 140 μ A/μ m，这是迄今为止使用固体源前体在 600 °C 以下生长的 1L MoS 2 的最高值。在 6.1 × 10 12 cm − 2 电子密度下，传输长度法测试结构的有效迁移率为 29 ± 5 cm 2 V − 1 s − 1，这与在较高温度下生长的薄膜的迁移率相当。这项工作的结果为实现高质量、热预算兼容的 2D 半导体与硅制造的异质集成提供了一条途径。关键词：2D 材料、过渡金属二硫属化物、MoS 2、二硫化钼、BEOL、后端生产线、化学气相沉积、CVD 生长、载流子迁移率■ 介绍
基准测试电解质的单层MOS2字段 -
一种非常有前途的原子薄半体导管的材料类是过渡金属二分法元素（TMDC）。该材料类在MX 2（M¼TransitionsMetal;x¼s，se，te）层中具有较强的共价键结晶，但相对较弱，但相对较弱，可以切断大量晶体的单层。由单层制造的设备可以描述为仅接口的设备，并且已经显示了TMDC作为气体传感器的应用。[14]为了能够在高性能的FET应用中使用TMDC，过度出现的主要挑战是这些单层的缺陷控制。[15]两种主要类型的缺陷是晶界，金属或金属葡萄染色体空位。既会降低材料的电性能，但是空缺也为使单层官能化的额外途径开辟了一条额外的途径，可以在传感器应用中进行优势。[16 - 20]最近，已经显示了使用去离子化（DI）水的基于MOS 2的FET装置的运行；但是，使用MOS 2多层。[21,22]这些结果构成了在
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政府和企业通常有经过不同审批级别的申请表。多年来，尽管其中许多表格已经数字化，但它们的成本始终很高，通常需要数月才能实施，而且每次都有失败的风险、指导委员会和营销成本。在试图自动化表格处理的系统上推出的服务仅有十几项（例如MITCI SMAP 移动应用程序、EDB 电子许可）。该项目旨在改变这一现状。
基于Cuinp2s6/Mos2 van der waals异质结
摘要：由于热力学的局限性，电子的玻尔兹曼分布阻碍了晶体管晶体管的进一步减少功耗。然而，随着铁电材料的出现，预计将解决此问题。在此，我们基于CIPS/MOS 2 van der waals杂结型演示了或逻辑铁电位晶体管。利用铁电材料的电场放大，CIPS/MOS 2 VDW铁电晶体管在三个数量级上的平均亚阈值摇摆（SS）为52 mV/dec的平均下阈值（SS），最小SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS/DEC的最低限度为BoltzMann限制，从而在室内温度下限制。双门控铁电位晶体管表现出出色或逻辑的操作，供应电压小于1V。结果表明，由于其在距离内造成的，陡峭的suppherope subthers thrope subphersholt swing and Powdertage and plow show thres thrope subshort swing and show thershold swing and show supshort swing and show powertapt and pow showtage and powertage and the cips/mos 2 vdw铁电晶体管具有很大的潜力。
在拓扑上绝缘的MOS2的纳米带中的子带中的1 t - 相位
连续的小型化将硅技术的特征大小降低到纳米尺度，在此尺寸不太尺寸的降低不足以提高性能。使用具有先进特性的新材料已成为必须满足降低功率以提高性能的需求。拓扑绝缘子具有高电导性拓扑保护的边缘状态，对散射不敏感，因此适用于节能的高速设备。在这里，我们通过采用有效的kbh phamiltonian来评估1T'钼二硫化物的狭窄纳米带中的子带结构。高电导性拓扑保护的边缘模式，其能量位于散装带隙内的在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。 由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。 与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。 传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。 两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
提高了CVD双层MOS2字段中的低频噪声...
在MOS 2效应晶体管中，与迁移率或数量依赖性关系相关的电流或电压闪烁是由低频噪声的特征。这种噪声通常可用于评估基于MOS 2的电子设备的应用限制。在这项工作中，通过化学蒸气沉积（CVD）生长的单晶双层MOS 2的低频噪声特性是系统地进行投资的，并发现与基于单层MOS 2通道的低频噪声MOS 2相比，可提供显着的性能改进。在F¼100Hz时，归一化的漏极电流功率频谱密度（S I / I D 2）为2.4 10 10 Hz 1和BiLayer和Monolayer MOS 2转换器分别为3.1 10 9 Hz 1。McWhorter的载流子数量流量模型可以准确地描述1晶体管类型，这表明载流子捕获和通过介电缺陷捕获和去捕获是CVD MOS 2晶体管中1/ F噪声的主要机制。此外，在VBg¼3V时，通过使用后场电压降低了双层MOS 2晶体管的接触电阻，从而在VBg¼3V时实现了最小的WLS I / I D 2的3.1 10 10 L m 2 / hz（其中W是栅极宽度，L是栅极长度）。这些结果表明，CVD双层MOS 2是未来大规模2D-Sementemondoctor的电子应用，具有提高噪声性能的有前途的候选者。
微波辅助 MoS2 和石墨烯的研究...
染料敏化太阳能电池（DSSC）一直是材料与能源领域的研究热点，这主要归功于其制备工艺简单、成本低廉、颜色多样、灵活性强等特点（Bajpai et al.，2011）。典型的DSSC由光阳极、电解液和对电极三部分组成。光阳极接收光子并发射电子到外电路（Hong et al.，2008），电子经过负载后通过对电极被送到电解液中，还原电解液中的I3−（Zhu et al.，2017）。Pt作为贵金属，凭借优异的导电性和催化性能，是目前传统对电极的主流选择（Ghosh et al.，2020），但Pt资源稀缺且价格昂贵，不利于DSSC的大规模生产（Hauch and Georg，2001）。此外，碘基电解液和空气对Pt也有腐蚀作用，缩短电池寿命（Olsen等，2000）。因此，寻找廉价、耐腐蚀的对电极替代材料十分必要（Sun等，2014）。石墨烯作为二维碳材料，因其电导率、多孔结构、比表面积、耐腐蚀等特性，在DSSC研究领域被广泛用作对电极（Kavan等，2011；Battumur等，2012；Liu等，2020a；Liu等，2020b；Liu等，2020c）。 Roy-Mayhew 观察到调整石墨烯中碳氧比例可提高电池效率（Roy-Mayhew et al.，2010）。Choi 等对石墨烯进行高温处理，并将其用于 DSSC 中，以提高效率（Choi et al.，2011）。近年来，将其他性能优异的材料与石墨烯复合成为研究热点（Peng et al.，2011；Wang et al.，2012）。Dou 等将 Ni12P5 粒子与石墨烯复合作为 DSSC 的对电极，获得了 5.7% 的效率，表明电化学性能有所提高（Dou et al.，2011）。Wen 等将 TiN 与氮掺杂的石墨烯复合材料用于提高电催化性能（Wen et al.，2011）。石墨烯与其他材料的复合材料已成为研究的热点（Peng et al.，2011；Wang et al.，2012）。
碳封装的纳米层组装的MOS2纳米片具有较大的层间距离，用于柔性锂离子电池
抽象的2D过渡金属二分裂基化元素（例如具有独特分层结构的MOS 2）在锂离子电池（LIBS）领域受到了极大的关注。但是，低电导率和结构稳定性差会对LIB的速率性能产生不利影响。在此，由水稻样的MOS 2 /c组成的柔性且独立的高性能锂离子电极（MOS 2 /c@ti 3 C 2 t X）组成，设计和证明了MOS 2的较大的层套管距离，含有大米的MOS 2 /C插入式Ti 3 C 2 t x和PVP衍生的碳组成。锂离子电池由于其高能量密度引起了极大的关注。因此，作为锂离子电池的阳极材料，MOS 2 /c@ti 3 c 2 t x在0.05 a g-1时提供了538.5 mAh g-1的高排放能力，并在2 a g-1处的256.7 mAh g-g-1的快速充电 /放电能力为2 a g-g-1，以及在2 a g-1的效果（以及150 cy）150 cyect and cy and cat a and cat a and 1 150 cy。密度功能理论（DFT）计算表明，水稻样的MOS 2 /C结构有利于锂离子的吸附和扩散，并促进了氧化还原反应。MOS 2 /C@Ti 3 C 2 T X结构有望增强高性能锂离子电池的新型2D材料的开发。