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BQ41Z90 高度集成的 3–16 节电池电量监测计，具有 IT-DZT 算法和 ECC 认证功能 数据表 (Rev. A)
• 高度集成的电池组管理器，适用于 3 至 16 节串联电池应用 – 超低功耗 32 位 RISC 处理器 – 最多可对 16 节串联电池进行 ADC 测量，容差为 80V – 高精度 SoC 和 SoH，具有动态 Z Track ™ 测量算法 – 基于证书的安全保护闪存 • 带有两个独立 ADC 的精密模拟前端： – 高精度 18 位积分 delta-sigma 库仑计数器 – 带有输入转换和多路复用器的高精度 16 位 delta-sigma – 支持同时进行电流和电压采样 – 支持最多八个外部热敏电阻测量和一个内部温度传感器 • 强大的高端 NMOS FET 驱动器，具有快速开启和关闭时间 • 电荷泵支持预充电和预放电 NMOS FET 驱动器 • 并联配置支持可拆卸电池，带有独立的充电器和系统端口 • 电池平衡支持每节电池高达 50mA 的旁路电流 • 诊断寿命数据监视器和记录器 • 多主机通信支持：– I 2 C（高达 1MHz） – SMBus 3.2（高达 1MHz）• 多种电源模式，实现低静态电流运行• SHA-1、SHA-2 或 EC-KCDSA 身份验证，确保电池组安全
MOSFET物理参数对阈值电压Milaim Zabeli，Nebi Caka，Myzafere Limani，Qamil Kabashi Electrical An
摘要：本文的目的是研究表征MOSFET晶体管结构对阈值电压值的物理参数的影响。还可以分析底物（身体效应）对阈值电压的作用。MOSFET阈值电压值将在设备的动态和静态工作状态（模式）中产生影响。基于获得的结果，我们可以进一步看到每个物理参数对阈值电压总值的影响。我们可以看到这些参数中的哪个将对阈值电压产生重大且小的影响。因此，考虑到我们可以调整MOSFET物理参数的值以达到所接受的阈值电压。关键词：MOSFET参数，阈值电压，身体效应，增强型NMO，掺杂密度，短通道，窄通道。1简介特征MOSFET晶体管的重要值是阈值电压的值。根据MOSFET类型，阈值电压的值可能为正值和负值。在MOSFET晶体管的制造过程中，可以控制此值。N通道增强型MOSFET（或NMO）的物理结构如图1所示。由于增强型NMO比其他类型的MOSFET晶体管具有优势，因此在遵循时，我们将分析此。MOSFET晶体管的末端用S（源），D（drain），G（Gate）和B（身体）表示。创建（诱导）导电通道（导致表面反转）所需的栅极到源电压V GS的值称为阈值电压，并用V t或V t表示[1、2、3、4]。阈值电压的值取决于某些特征MOSFET结构的物理参数，例如：栅极材料，氧化物层T ox的厚度，T OX的厚度，底物掺杂浓度（密度）N A，氧化物 - 接口固定电荷浓度（密度）N OX，N OX，n ox，n ox，通道长度l，通道宽和偏置Voltage V sb v sb [2，5]。
课程
Metalogic，Inc。马萨诸塞州剑桥，1982年4月至8月1985年创始人，董事长，司库，副总裁，副总裁和CTO创立了Metalogic，以商业化MIT开发的M AC P ITTS技术。担任第一年的首席执行官，制定了商业计划，并与成功筹集了150万美元的风险投资公司进行了谈判。建立公司基础设施，其中包括：计划，监督建筑和提供办公空间；计算机设施的融资，购买和安装；与法律和会计师事务所建立关系；并将员工增加到总共十个人。作为CTO，通过开发和交付M eta s yn的技术人员，这是一个复杂的数字集成电路设计自动化系统，该系统包括超过50,000行的L ISP代码以及一个大型NMOS单元格库。是该设计和实施工作的积极参与者，也是主要贡献者。监督了在客户设施中成功完成和安装产品，从而设计了十多个制造的NMOS IC，所有这些IC都证明了所有这些在第一硅中都具有功能性能。积极参与了营销工作，包括准备销售文献，向潜在客户提供演讲，进行现场市场研究，制定产品策略以及组织和提供贸易展览会。
5.3 直流 MOSFET 电路 277
当栅极上有正电压时，NMOS 晶体管将导通。但是，我们不知道晶体管是在饱和区还是在三极区工作。我们将假设饱和区工作，解决问题，然后检查假设的有效性。显然，如果我们的假设不成立，我们将不得不再次解决三极区工作的问题。参见图 5.24(b)。由于栅极电压为 5 V，源极电压为 ID ( mA ) × 6 ( k ) = 6 ID ( V ) ，我们有
IP5389IP5389
Supporting Multiple USB Ports Simultaneously 2 USB A output ports 1 USB C input/output port 1 USB B input port or Lightning input port or C input/output port Fast Charging Every port supports fast charging Support QC2.0/QC3.0/QC3+ output Support FCP input/output Support AFC input/output Support SCP input/output Support VOOC input/output Support DRP try.SRC, PD3.0 input/output Support BC1.2,Apple Integrated USB PD2.0/PD3.0 Protocol Support PD2.0 input/output protocol Support PD3.0 input/output and PPS output protocol Support 5V/9V/12V/15V/20V input Support 5V/9V/12V/15V/20V output Support adjustable voltage in 20mV increments in PPS Mode Integrate hardware Bi-phase mark codec (BMC) protocol Integrate Physical Layer protocol Integrate hardware CRC Support Hard Reset Integrates recognition and support of emark cable Power Control Integrated bidirectional BUCK-BOOST NMOS driver Integrated charge-pump to control external NMOS Charge Adaptive charging current adjustment支持3.65V/4.15V/4.2V/4.2V/4.3V/4.35V/4.4V电池支持2/3/4/4/5电池串联支持充电磷酸锂磷酸锂电池（3.65V（3.65V）（boost）to（boost）to boost to（boost）最大输出功率100w
设计和实施低功耗...
移动，电池电力系统（例如蜂窝电话，个人数字助手等）不断增长的市场要求设计具有低功率耗散的微电子电路。更一般而言，随着芯片的密度，大小和复杂性继续增加，提供足够冷却的困难可能会增加大量成本，或者限制使用这些集成电路的计算系统的功能。在过去十年中，已经提出了几种设计低功率电路的技术，方法和工具。但是，其中只有少数在当前设计流中找到了自己的方式[1]。在CMOS电路中，有三个主要的功率耗散来源。这些是开关功率，短路电源和泄漏功率。开关功率是由于电路驱动的充电和排放电容器。短路功率是由同时进行PMOS/NMOS晶体管对时产生的短路电流引起的。最后，泄漏功率起源于底物注入和子阈值效应。导致泄漏功率增加的主要原因之一是子阈值泄漏功率的增加。当技术尺寸缩小时，电源电压和阈值电压也会缩小。子阈值泄漏功率随着阈值电压的降低而成倍增加。堆栈方法，强制NMO，强制PMO和困倦的门将方法是一些泄漏电流减少方法[2]。
微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
3. 需要注意的是，M1 的 V OV 指定为 0.15 V，因此根据计算，V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域，因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS，因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小，因此这里的影响非常显著。因此，V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。
采用漏电流降低技术的低功耗 FINFET SRAM 的设计和分析
MTCMOS 电路的构造通常如图 2 所示。逻辑电路和电源线之间是高 Vth 的 PMOS 和 NMOS 晶体管。为了实现实时逻辑功能，在系统处于活动状态时激活休眠信号。在休眠模式下，具有较高 Vth 值的晶体管被关闭，以将逻辑电路与电源线分开。在待机状态下，这会将流中的泄漏降低到阈值以下。对于低功耗、高速设备，MTCMOS 可能是制造商的可行选择。在构建具有 MTCMOS 架构的电路时，确定更高阈值晶体管的尺寸是一项重要的考虑因素。在 6T FinFET SRAM 的上部和下部，放置了更高阈值的晶体管，如图 11 所示。这种更高的