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移动，电池电力系统（例如蜂窝电话，个人数字助手等）不断增长的市场要求设计具有低功率耗散的微电子电路。更一般而言，随着芯片的密度，大小和复杂性继续增加，提供足够冷却的困难可能会增加大量成本，或者限制使用这些集成电路的计算系统的功能。在过去十年中，已经提出了几种设计低功率电路的技术，方法和工具。但是，其中只有少数在当前设计流中找到了自己的方式[1]。在CMOS电路中，有三个主要的功率耗散来源。这些是开关功率，短路电源和泄漏功率。开关功率是由于电路驱动的充电和排放电容器。短路功率是由同时进行PMOS/NMOS晶体管对时产生的短路电流引起的。最后，泄漏功率起源于底物注入和子阈值效应。导致泄漏功率增加的主要原因之一是子阈值泄漏功率的增加。当技术尺寸缩小时，电源电压和阈值电压也会缩小。子阈值泄漏功率随着阈值电压的降低而成倍增加。堆栈方法，强制NMO，强制PMO和困倦的门将方法是一些泄漏电流减少方法[2]。
设计和实施低功耗...
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