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欧洲核子研究中心 CLEAR 加速器上 200MeV 电子在目标上产生的辐射场分析
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子，这些中子是通过光核反应产生的，可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中，我们研究了一种装置，其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID)，并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较，对由此产生的环境进行了分析。我们发现，用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响，从而为 SEU 测量提供最佳配置，尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施，此设置提供了一种有趣的补充中子源。
评估质子直接电离，用于在空间应用中使用的深sumbicron SRAM的辐射硬度保证
摘要 - 来自低能质子的普罗顿直接电离（PDI）已被证明对预测方法的准确性有显着影响，用于计算用于最先进的深subsicron技术的空间应用中存储器设备的不满率（URS）。如今的一般方法是考虑一个安全余量，以适用于从高能质子和重离子实验数据中计算出的UR。此处报告的数据对此方法提出了挑战。使用不同的预测方法并进行了比较，以确定PDI对总UR的影响。不管采用的方法如何，发现PDI对于一般的空间轨道选择，PDI平均可以贡献总ur的90％，峰值高达99％。这样的结果表明，基于质子谱的低能部分表征的方法，对于类似技术而言，与一般安全余量的应用相比，一种方法更方便。基于此处提供的数据，在某些情况下大量超过了先前提出的5个边缘。
EC-701：VLSI 设计
百万个晶体管（1994 年）、奔腾：310 万个晶体管（1994 年）、DEC Alpha：1000 万个晶体管（1995 年）-900 万个 SRAM、奔腾 IV（2001 年）：4200 万个晶体管、酷睿 i7-8700K：约 30 亿个
SAMRH71 数据表
• 内核 Arm Cortex-M7 在典型条件下以 100 MHz 运行 – 16 KB I-Cache 和 16 KB D-Cache，具有错误代码校正 (ECC) – 单精度和双精度硬件浮点单元 (FPU) – 具有 16 个区域的内存保护单元 (MPU) – DSP 指令、Thumb ® -2 指令集 – 具有指令跟踪流的嵌入式跟踪模块 (ETM)，包括跟踪端口接口单元 (TPIU) • 内存 – 128 KB 嵌入式闪存，内置 ECC（最多 2 个错误校正） – 384 KB 嵌入式 SRAM 用于紧耦合存储器 (TCM) 接口，以与 Cortex-M7 相同的频率运行，内置 ECC（最多 1 个错误校正） – 768 KB 嵌入式多端口 SRAM，内置 ECC（最多 1 个错误校正），连接到 AHB 系统，以与系统时钟相同的频率运行 – 硬化外部存储器控制器 (HEMC) 用于寻址具有可变数据大小（从 8 位到 48 位）的 PROM、SRAM 和 SDRAM • 六个独立芯片选择 • 最多可访问 2 GB 的外部存储器 • 内置 ECC，允许每 32 位纠正最多 2 位 • 系统外设 – 内置电源故障检测 (PFD)、可编程电源监视器和独立看门狗，确保安全运行
Beetle ESP32-C6 迷你开发板
• 拥有 25mm x 20.5mm 的超紧凑尺寸 • 配备 ESP32-C6 芯片，支持 Wi-Fi ® 6、蓝牙 ® 5、Zigbee ® 和 Thread 等通信协议 • 深度睡眠时功耗超低 14µA • 集成锂电池充电功能 • 支持电池电压检测并可洞察设备电量水平 • RISC-V 单核处理器 • 160MHz 主频 • 512KB SRAM • 4MB 闪存 • 320KB ROM • 16KB RTC SRAM • Wi-Fi ® ： • IEEE 802.11b/g/n Wi-Fi 协议 • 支持 2.4GHz 频段的 20MHz 和 40MHz • Station、SoftAP、SoftAP+Station 组合模式 • 2.4GHz Wi-Fi 频率 • TX/RX A-MPDU 和 TX/RX A-MSDU 帧聚合 • 蓝牙 ®：
Beetle ESP32-C6 迷你开发板
• 拥有 25mm x 20.5mm 的超紧凑尺寸 • 配备 ESP32-C6 芯片，支持 Wi-Fi ® 6、蓝牙 ® 5、Zigbee ® 和 Thread 等通信协议 • 深度睡眠时功耗超低 14µA • 集成锂电池充电功能 • 支持电池电压检测并可洞察设备电量水平 • RISC-V 单核处理器 • 160MHz 主频 • 512KB SRAM • 4MB 闪存 • 320KB ROM • 16KB RTC SRAM • Wi-Fi ® ： • IEEE 802.11b/g/n Wi-Fi 协议 • 支持 2.4GHz 频段的 20MHz 和 40MHz • Station、SoftAP、SoftAP+Station 组合模式 • 2.4GHz Wi-Fi 频率 • TX/RX A-MPDU 和 TX/RX A-MSDU 帧聚合 • 蓝牙 ®：
高级研究和研究系
模块3：IOT设备简介：RPI硬件详细信息：PIN插图，GPIO内部电路，替代功能引脚电路，RPI的详细硬件规格。Arduino Uno硬件详细信息：Atmega 328p，数字I/O引脚，PWM数字I/O引脚，模拟输入引脚，DC，当前输入引脚，SRAM，SRAM，EEPROM。带有ESP8266开发套件的节点MCU固件：ESP 8266带有TCP/IP协议的WiFi模块，ESP8266的Auduino IDE。与ESP8266接口。Raspberry Pi Setup and Administration: OS LOADING, Post boot configuration, SSH Configuration, Serial Console on Rpi, Wiring Pi,I2c,SPI setup, DHCP server and DHCP client configuration, Wi- Fi Configuration, IP Configuration, Port Forwarding On RPi
ek-ra4w1用户手册
Items Contents Target microcomputer R9A06G032NGBG (RZ/N1D) R9A06G033NGBG (RZ/N1S) CPU Arm ® Cortex ® -A7 Arm ® Cortex ® -M3 Operating frequency Main clock: 40MHz System clock: 125MHz Cortex-A7: 500MHz (4 multiplication of the system clock) Cortex-M3：125MHz MSEBI_HCLK：125MHz驱动力强度MSEBI时钟销：除时钟以外的8mA引脚：4mA操作电压3.3V集成开发环境IR ARM 8.30.2裸露金属驱动程序的版本8.30.2版本CPU董事会RZ/N1扩展板外部SRAM连接板（不销售）外部SRAM RENESAS RMLV0816BGSB-4S2（512K Word x 16bit）