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有机物的分解与传统生长的分解......
全球近三分之一的人类生产的食物被浪费。这相当于每年超过 13 亿吨，而且由于城市生活的不断扩展，这一数字预计还会上升 9 。仅英国的家庭垃圾就产生了 830 万吨食物，而他们的人口只有 6733 万人 10 。许多农业技术的进步促进了产量的增长，但另一个因素也有其自身的贡献，那就是转基因 (GE) 食品，也称为转基因生物 (GMO)。利用对基因组的新见解和现代技术，研究表明它们的收获时间比正常情况更短 8 。转基因生物是通过拼接其他植物甚至动物的所需基因组并将其插入农作物以产生所需结果而制成的 1 。这是使用连接酶和“限制”基因来完成的 2 。它本质上是选择性育种的捷径。它们对生长、害虫控制甚至更美味的食物都有很大的帮助。全球范围内，转基因生物的使用量增长了 22%，这归功于世界人口的增长 3 。 Brooks 和 Barfoot 的一项研究还认为，转基因食品可以适应气候变化，并增强对农药的抵抗力 4 。使用转基因生物还可能带来哪些其他好处？
h-bn/金属氧化物界面通过插入生长
最初发表于：Diulus，J Trey； Novotny，Zbynek；东芬，南昌；贝科德，扬； Al-Hamdani，Yasmine；尼古隆Comini； Muntwiler，Matthias；亨斯伯格，马蒂亚斯； Iannuzzi，Marcella；奥斯特瓦尔德（Jürg）（2024）。h-bn/金属氧化物界面通过插入生长：纳米固定催化的模型系统。物理化学杂志C，128（12）：5156-5167。doi：https：//doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07828
通过噪声生长和自组织的神经网络
活神经网络通过生长和自组织过程出现，从单个细胞开始，最终形成大脑，一个有组织、有功能的计算设备。然而，人工神经网络依靠人类设计的手工编程架构来实现其卓越的性能。我们能否开发出无需人工干预就能生长和自组织的人工计算设备？在本文中，我们提出了一种受生物启发的开发算法，该算法可以从单个初始细胞“生长”出一个功能齐全的分层神经网络。该算法组织层间连接以构建视网膜主题池化层。我们的方法受到早期视觉系统所采用的机制的启发，在动物睁开眼睛前几天，该系统将视网膜连接到外侧膝状体 (LGN)。稳健自组织的关键因素是第一层中出现的自发时空活动波和第二层中“学习”第一层中底层活动模式的局部学习规则。该算法可适应各种输入层几何形状，对第一层中的故障单元具有鲁棒性，因此可用于成功增长和自组织不同池大小和形状的池架构。该算法提供了一种通过增长和自组织构建分层神经网络的原始程序。我们还证明了从单个单元增长的网络在 MNIST 上的表现与手工制作的网络一样好。从广义上讲，我们的工作表明，受生物启发的开发算法可以应用于在计算机中自主生长功能性“大脑”。
生长 InAs/AlSb 多量子阱
通过调整它们的不对称性[12–14]、成分[6,15]和宽度[16]，已经产生了在红外波长下实用的可调结构。[12,14] Gurnick 和 De Temple [17] 首次通过在 Al x Ga 1 − x As 层中生长不对称 Al 成分梯度来破坏中心对称性，在多层结构中观察到了设计的二阶光学非线性。后续实验在 III-V 半导体 QW 中设计了光学非线性，例如可调谐发射器 [2,15,18] 和光开关设备。[6] 然而，它们的二阶非线性磁化率 MQW (2) χ 的实验值尚未见报道。最近人们对在复杂 QW 系统中设计大型光学二阶非线性的兴趣 [19–21] 促使及时系统地研究量化 χ (2)。工程设计中的挑战之一
单晶PTSE2中的高载体移动性...
PTSE 2吸引了相当大的关注，这是一种高迁移率二维材料，并在微电子，光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里，我们报告了由分子束外延在ZnO（0001）上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射，原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯，蓝宝石，云母，SIO 2和PT（111）上生长的PTSE 2层的比较表明，在绝缘底物中，ZnO（0001）产生了具有优质结构质量的膜。在室温下，在室温下，在室温下，在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为，低温下的较高迁移率在低温下。
十七年来经济增长了多少？
报告年度的平减指数是根据该年度名义和实际GDP的比较计算得出的（GDP平减指数=（名义GDP/实际GDP）*100）。根据阿塞拜疆共和国中央银行参考国家统计委员会提供的信息，2022年的GDP平减指数为137.3％。高于100％的GDP平减指数表示报告年度该国的总体价格上涨（或通货膨胀），而低于100％的指数表示总体价格下降（即通货紧缩）。因此，2022年，构成GDP的商品和服务总价格与2021年相比增长了37.3％。我们可以看到，GDP的名义增长与实际增长之间的差异与反映总体价格变化的GDP平减指数一样大，即GDP的名义值是
纳米结构的镍 - 果胶 - 荷兰合金在钛底物上生长的
能源系统和工程系，大江吉布克科学技术学院（DGIST），50-1 Sang-ri，Hyeongpung-Myeon，Dalseong-Gun，Dalseong-Gun，Daegu，Daegu，42988，
在Cu上生长的石墨烯的补充材料结构（...
在1000 K处的参考文献[7]中合成了石墨烯。从表面制备实验室，荷兰获得Cu（111）样品，并以0.1°精度将其表面对齐（111）平面。将样品生长在附着在扫描隧道显微镜（STM）室的样品生长容器中。随后，将样品通过超高真空手提箱转移到正常的X射线立波（XSW）室。将样品保存在10-10 mbar压力范围内。图像1-4（表S2）和图S1-4均在同一样本上测量，并显示了XSW测量。使用单色的AlKαX射线源来评估溅射和退火过程后晶体的清洁度。STM和低能电子差异（LEED）测量表明Cu（111）晶体上的较大梯田。STM。沿Moir´e模式的高对称轴的多个STM图像采集了线条。对于每种情况，通过拟合正弦曲线提取了它们的周期性（P）以及最大值和最小值（∆ D）之间的明显高度差异。p和∆ d是通过沿着每个moir'e模式的高对称方向进行三条线扫描的平均来计算的（图S1-S5）。均方根位移值（RMS-D）是根据假设高度的正弦分布的每个STM Moir´e图像的平均波纹计算得出的。[8]。通过LEED确定铜方向（图这些RMS-D值可以转换为Debye-Waller因子（DWF），并在参考文献中的步骤后进一步转换为相干分数。表S2中总结了结果以及文献[9]的NC-AFM数据，为此，我们使用报告的∆ D以与我们自己的STM数据相同的方式来计算RMS-D和相干分数。s6），我们能够为图像1-4分配Moir´e和Cu晶格之间的角度，这在表S2中总结了。对于图像5（图S5）无法确定这个角度，因为该样品未获得低能电子差异（LEED）。参考。 [7]提出了与本研究相同的叠氮酮生长程序生长的石墨烯的LEED模式。 LEED数据显示了弧，这些弧以前归因于Cu（111）底物上的石墨烯的多个方向[10]。参考。[7]提出了与本研究相同的叠氮酮生长程序生长的石墨烯的LEED模式。LEED数据显示了弧，这些弧以前归因于Cu（111）底物上的石墨烯的多个方向[10]。
Viciafaba的幼苗（英国宽豆）在...
尽管有许多尝试，但很难获得有关染色体大分子组织及其重复模式的信息。一个攻击点，长期以来一直被认可，但直到最近才无法实现，是对染色体某些组成部分的选择标记，其分布可以在随后的细胞分裂中看到。Reichard和Estborn'表明N15标记的胸苷是脱氧核糖核酸（DNA）的前体，并且没有转移到核糖核酸的合成中。最近Friedkin等人2以及降落和Schweigerl使用C'4标记的胸苷来研究DNA合成。在雏鸡胚胎和乳酸杆菌中，示踪剂没有明显的转移向核糖核酸。鉴于这些发现，胸苷似乎是实验所需的中间体，但是到目前为止使用的标签对于通过自显影手段的显微镜可视化并不令人满意。为了确定细胞中几个单个染色体是否是放射性的，必须获得具有分辨率为染色体尺寸的放射自显影仪。在此级别上的分辨率很难使用大多数同位素获得，因为它们的β颗粒的范围相对较大。理论上的tritium应该提供可获得的最高分辨率，因为β颗粒的最大能量仅为18 keV，对应于照相乳液中的微米范围。因此，应该可以在小（如单个染色体）的颗粒中识别该标签。考虑到这一点；制备trit胸腺标记的胸苷，并用于标记染色体，并通过使用照相emulsions遵循其在以后分裂中的分布。材料和方法。通过从乙酸的羧基催化trib催化tritium到胸苷的嘧啶环中的碳原子（该方法的详细信息），制备了高特异性活性（3 x 101 mc/mm）的trium标记的胸苷（3 x 101 mc/mm）。Vicia Faba（英国宽豆）的幼苗在含有2-3罐/ml放射性胸苷的矿物营养溶液中生长。选择该植物是因为它具有121arge染色体，其中一对在形态上是不同的，并且由于分裂周期的长度和循环中DNA合成时间的长度是在同位素溶液中生长后的4年后，以适当的时间在适当的时间内用水洗涤，并将其彻底洗涤为col col，并转移了col（col），并转移了col（col），并转移了一个saquine（col）。水罐/ml）以进一步增长。以适当的间隔固定在乙醇 - 乙酸中（3：1），在1 N HC1中水解5分钟，用Feulgen反应染色，并在显微镜载玻片上挤压。剥离膜，并如前所述制备放射自显影。5
利用分子束外延自生长的六方锗...
图 1：(a) GaAs 核（蓝色）- Ge 壳（红色）NW 示意图，具有受控晶相：纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB)，具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品，以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间（b）29 分钟（c）35 分钟和六方 Ge 生长期间（d）3 分钟（e）10 分钟，沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像（二次电子对比度）显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。