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基于 chiplet 的架构简介
本文讨论了影响先进半导体封装领域的三大趋势。本文的首要关注点是异构集成。该术语的现代版本对不同的人有不同的含义，但在本文中，异构集成被定义为由多个芯片构建的分解式片上系统 (SoC) 架构。这种设计方法类似于系统级封装 (SiP)，不同之处在于不是在单个基板上集成多个裸片（包括 3D 堆叠），而是在单个基板上集成以芯片形式存在的多个知识产权 (IP)。第二个主要趋势涉及利用硅通孔 (TSV) 和高密度扇出重分布层 (RDL) 的新硅制造技术。这些进步正在推动更多硅进入以层压板为主的半导体封装领域，尤其是当高带宽和外形尺寸成为设计的关键属性时。这种趋势带来了新的设计和验证挑战，大多数封装工程师并不熟悉，因为它们通常不是基于层压板的设计的一个方面。最后，在生态系统方面，我们看到所有大型半导体代工厂现在都提供自己的先进封装版本。在许多方面，这为封装社区带来了一股清新的气息，因为使用新的方式为封装设计团队提供参考流程和工艺设计套件 (PDK) 等资产。电子设计自动化 (EDA) 公司目前正在与许多领先的代工厂和外包半导体组装和测试供应商 (OSATS) 合作，开发多芯片封装参考流程和封装组装设计套件 (PADK)。这种额外的基础设施极大地造福了封装设计社区。
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d v a n c e d p a c k a g i n g i s experiencing rapid growth due to the demand for high- performance computing in artificial intelligence (AI) applications and the automotive industry.鉴于对AI系统的需求很高，Foundry Leader TSMC报告说，它的目标是在2025年至2026年之前平衡供求，并希望2025年2025年能够为其在雪花上覆盖的芯片（cowos®®）技术的芯片上每月启动60,000个晶圆剂[1]。近年来，3D技术的进步包括死对，薄薄的晶圆，晶圆片和靠近垫层的架构。这些进步需要新的工艺技术和过程设备才能生产出高收率的3D功能。这些后端设备是在300mm晶片上制造的，所需的低缺陷水平以前仅限于前端过程。因此，新工具集需要具有低赤字才能获得高收益率，同时提供低廉的所有权。对3D的强烈需求已推动了超过2024年耗资50亿美元的高级包装的资本支出，并且随着对AI的需求驱动Advance Advance Advancing Forward的需求，该数字应在2025年继续增长。将芯片堆叠在2.5/3D包装中时，如图1所示，可以采用几种技术来连接设备，包括颠簸，微型颠簸，支柱，通过硅VIA（TSVS）和混合键合。这些可以直接连接到基板（3D）上的模具，或使用插入器（2.5D），例如玻璃，硅，印刷电路板（PCB）或有机。支持过程包括光刻和沉积（等离子体，溅射，电化学）。为创建设备而实施的湿过程，然后将它们连接到3D体系结构中，包括旋转涂料，开发，蚀刻，光线器，临时粘结材料去除和清洁。
子宫内膜异位和氧化应激之间的关联：文学综述JohnatandaConceiçãoBezerrados santos 1，icaro bruno azevedo rod
本文旨在回顾有关子宫内膜异位症，氧化应激和炎症之间关系的文献，旨在列出受EO影响的可能机制及其与该病理流行的关系。这是一项系统的文献综述，它基于当前的参考书目来寻求指导问题的结论。因此，使用以下搜索策略在PubMed和BVS平台上选择了科学研究：“子宫内膜异位和自由基”，“ Infummation，Infummation，氧化应激和子宫内膜异位症”，“氧化应激和子宫内膜异位症”。九篇文章并分析工作的基础。经过综述，可以证明氧化应激与局部和全身性炎症反应相关，有利于子宫内膜细胞在腹膜腔中的粘附，以及随之而来的子宫内膜病变的出现以及所有相关症状。因此，子宫内膜异位症的发病机理与EO引起的稳态功能障碍的关系变得明显。但是，需要进一步的研究，尤其是定量的，以根据科学证据来确定分类，以使用氧化生物标志物及其道路受到增加的影响。
航天用印刷电路板高密度互连技术评估
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器）日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能的不断增长的需求转化为更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸，组件的接触焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔和小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用；但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两类 HDI 技术：两级交错微孔（基本 HDI）和（最多）三级堆叠微孔（复杂 HDI）。本文介绍了按照 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 mm 间距时，该技术成功通过了所有测试。在 0.8 mm 间距时，在互连应力测试 (IST) 和导电阳极丝 (CAF) 测试中会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。简介通常认为 HDI PCB 有两个主要驱动因素：(1) 关键元件的小间距和高 I/O 数量；(2) 这些元件的性能不断提高，导致电路板上的信号线速度加快。微孔的使用可以缩短信号路径的长度，从而提高信号完整性和电源完整性。由于扇出内的密集布线，关键网络可能会受到串扰。在 1.0 mm 间距元件的引脚之间布线差分对需要精细的线宽和间距。0.8 mm 间距元件的埋孔之间不再可能进行差分对布线。需要在扇出区域内分割线对，分割长度决定了分割对对信号完整性的影响。单端网络宽度的变化以及差分对间距和/或走线宽度的变化将导致阻抗不连续。因此，选择合适的层结构和过孔类型将同时改善布线能力和信号完整性。在定义 HDI PCB 技术参数时，一个重要的考虑因素是元件间距和 I/O 数量不能独立处理。间距为 1.0 mm 的高引脚数元件（> 1000 引脚）可能需要使用微过孔来减少总层数或改善受控阻抗线的屏蔽。另一方面，仅具有两排焊球的 0.5 mm 间距元件的逃逸布线可在不使用微孔和细线宽和间距的情况下进行。增加层数以便能够布线一个或多个高引脚数元件将导致 PCB 厚度增加，这会通过限制通孔纵横比影响最小通孔钻孔直径，从而再次限制布线可能性。为了定义 HDI 技术参数，需要了解过去、现在和未来太空项目中使用的面阵器件 (AAD) 的规格。纵观目前正在开发的复杂太空元件，间距为 1.0 mm 的陶瓷柱栅阵列 (CCGA) 仍将是未来几年的首选封装。例如，新的 Xilinx FPGA (RT-ZU19EG: CCGA1752) [1]、CNES VT65 电信 ASIC (CCGA1752) [2] 和欧洲航天局 (ESA) 的下一代微处理器 (NGMP, CCGA625) [3] 就是这种情况。间距较小的柱状网格阵列 (0.8 毫米) 已在研发中得到展示 [4]，尽管尚未发现商业实现。带有非塌陷高铅焊球的陶瓷球栅阵列 (CBGA) 用于军事和航空航天应用 [5]。当间距为 0.8 毫米及以上 (0.5 毫米) 时，陶瓷 (即密封) 封装会成为可靠性风险，因为更小的间距 (0.8 毫米) 会降低封装的可靠性。
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性
酵母和酿酒厂发酵过程中的生物技术创新
随着生物技术的发展并了解人类对酵母的好处，该领域的研究加剧了。这项工作提出了对在啤酒厂和酿酒厂发酵过程中使用酵母中基础和生物技术创新的审查。通过在各种研究中使用生物技术工具来实现许多创新和应用：酵母的遗传及其与物种的发展，与不同地理区域发酵过程改善相关的菌株的多样性。酿酒酵母的测序基因组带来了有关鉴定负责在啤酒和葡萄酒等发酵饮料中形成不同香气和风味的代谢调节基因的相关信息。分子基碱数据允许鉴定与葡萄酒中不需要的化合物有关的啤酒和感兴趣基因中的絮凝基因，从而开发了具有这种特征的重组菌株。对于大多数遗传修饰，除了引入代谢变化外，用商业菌株生产的葡萄酒与在孢子学特征方面产生的葡萄酒之间没有明显差异。
2025 年冬季
课程描述：高速低功耗设计中的串扰、失真、延迟、衰减、地面反弹、趋肤效应、抖动、符号间干扰的基础知识。建模/仿真：高速互连、封装、接地/电源平面、通孔、PCB 和 3D-IC；眼图、Elmore 延迟、有损耦合、传输线、电报方程、线路参数提取、测量参数。宏建模：无源性/因果关系、特征法、矩阵有理近似、矢量拟合、模型降阶、电磁兼容性/干扰、混合域系统和基于多物理的并发分析。先决条件：就读卡尔顿大学电子/SCE 系或 OCIECE 的研究生课程或经系批准。讲座：每周三小时 VLSI 电路技术的快速发展，加上复杂/微型设备的趋势，对专注于微电子的计算机辅助设计 (CAD) 工具提出了巨大的需求。设计要求变得非常严格，要求更高的运行速度、更尖锐的激励、更密集的布局和低功耗。因此，延迟、衰减、串扰、地弹等信号完整性问题正在成为高速电路和系统设计和验证的主要瓶颈。如果在设计阶段没有正确处理高速效应，可能会导致逻辑故障，导致制造的数字电路无法运行，或者扭曲模拟信号，使其无法满足规格。由于 VLSI 设计周期中的额外迭代成本极高，因此准确预测这些影响是高速设计中的必需品。设计和 CAD 社区目前正在发生范式转变，以适应高速设计问题的新要求。然而，目前可用的 CAD 工具和设计策略无法充分处理涵盖不同领域的复杂高速电路设计/分析场景。本课程旨在涵盖高速设计、对根本原因的理解、相关物理和高速互连建模/仿真/设计方法。讲师：
晶圆级封装的光子脱键合
关键词：光子剥离、临时键合和解键合、薄晶圆处理、键合粘合剂 摘要 临时键合和解键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子解键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统解键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来解键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~300 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ），以促进脱粘。引言近年来，三维 (3D) 芯片技术在微电子行业中越来越重要，因为它们具有电路路径更短、性能更快、功耗和散热更低等优势 [1]。这些技术涉及异质堆叠多个减薄硅 (Si) 芯片（<100 µm）并垂直互连以形成三维集成电路 (3D-IC) [2]。在现代 3D 芯片技术中，可以使用硅通孔 (TSV) 来代替传统的引线键合技术在硅晶圆之间垂直互连。减薄晶圆使得这些 TSV 的创建更加容易 [3, 4]。为了便于处理薄硅晶圆，需要对硅晶圆进行临时键合。在临时键合工艺中，次级载体晶圆充当主器件晶圆的刚性支撑，并利用两者之间的粘合层将两个晶圆粘合在一起。晶圆粘合在一起后，即可进行背面研磨和后续背面处理。背面处理后，减薄后的晶圆和载体堆叠
晶圆级和面板级封装中的结构化玻璃基板：现状和最新成果
摘要 玻璃可用作面板和/或晶圆级封装的核心基板，以实现日益复杂的封装中芯片和集成无源器件的异构集成。玻璃具有众多优势：玻璃的硬度 (i) 允许制造高精度的堆积层。这些堆积层在尺寸为 50mm x 50mm 及以上的大型芯片上可实现 1 m 及以下的制造精度，这是封装天线 (AiP) 应用和高性能计算 (HPC) 所需的。可以制造具有调整的热膨胀 (CTE) (ii) 的特殊玻璃，可以调整为硅或具有更大的热膨胀，以允许具有环氧树脂模具和金属化堆积层的封装在制造或运行期间承受高热负荷。玻璃还可以通过非常好的介电性能进行优化 (iii)，并可用于封装天线。但最重要的是，经济的玻璃结构技术 (iv) 非常重要，它可以在玻璃面板中提供数百万个通孔和数千个切口，并且正在开发中。 SCHOTT 结构化玻璃产品组合 FLEXINITY ® 及其相关技术为先进封装所需的高度复杂的结构化玻璃基板提供了极好的起点。玻璃面板封装大规模商业化的最大障碍是整个工艺链的工业准备。这是将玻璃面板封装引入 IC 封装、RF-MEMS 封装和医疗诊断等应用所必需的，或者与扇出切口结合，嵌入有源和无源元件。此外，具有良好附着力、优异电气性能和高几何精度的玻璃金属化工艺是重要的一步。在当前的手稿中，我们回顾了现状并讨论了我们为实现面板和晶圆级封装中玻璃的工业准备所做的贡献。关键词玻璃中介层、玻璃封装、异质集成、面板级封装、玻璃通孔、晶圆级封装。
超高密度 3D 集成电路的热支架
与传统的 2D 计算系统相比，超密集 3D 集成电路（3D IC），例如单片 3D IC（图 1），可以为数据密集型应用带来巨大的能量延迟积（EDP）优势 [1,2]。为了实现这些优势，需要将多层逻辑和存储器（例如，逻辑和/或存储器设备的薄层，以及相关的信号/全局金属布线）以 3D 形式集成，并使用有限长宽比的后端制程（BEOL）层间过孔（ILV）建立超密集（例如，间距 ≤ 100 纳米）垂直连接 [3]。现有的 BEOL 布线结构已经在使用这种纳米级 ILV。3D IC 变得至关重要，因为工艺技术小型化的根本限制使得传统的缩放路径更加困难。但是，必须克服重大的热挑战才能在多个 3D 层上实现高速和高功率计算引擎 [4-5]。如果没有新技术，未来 3D IC 的上层最高温度将大大超过可靠运行所需的上限（例如 [6] 中的 125°C）。我们使用图 1 中的单片 3D IC 来了解 3D 层中的温升和热耗散（详细分析见第 III 部分）。图 1 中的 N 层中的每一层都包含一层高速、高功率硅逻辑器件（例如，计算引擎）和由铜布线和超低κ 层间电介质 (ILD) 组成的 BEOL 层（例如，用于信号布线）。各层通过超密集 ILV 电连接。在某些设计中，每层还存在硅存储器、存储器访问设备和额外的 BEOL。3D IC 由附加的散热器进行外部冷却，散热器将产生的所有热量以散热器比传热系数 h（W/m 2 /K）散发到环境中。最高温度 T j 取决于散热器、环境温度和 N 层的热特性。散热器创新（如 [7]）只需散热器上 10°C 的温升（即 h= 10 6 W/m 2 /K）即可消除 1000 W/cm 2 的热量，尽管