摘要 随着三维集成电路(3D-IC)堆叠的增加,由于不对称马鞍形翘曲的增加,机械应力问题具有挑战性。通过在晶圆背面形成数十微米的沟槽或进行激光退火处理来减少不对称翘曲的各种方法已被提出,但它们的产量低或缺乏改进价值。在本文中,我们提出了一种通过在晶圆背面直接涂覆来降低取决于翘曲形状的机械应力的新方法。所提出的方法是通过使用喷墨打印对感光聚酰亚胺(PSPI)进行图案化以调整表面特性和台阶,然后沉积具有高压应力的四乙基硅酸酯(TEOS)薄膜来释放翘曲。利用ABAQUS有限元分析软件,测量了裸晶圆在工艺前后沿x轴和y轴方向的不对称弯曲变化。通过实验和仿真,在300mm晶圆上部分沉积10µm厚的TEOS膜时,x-y方向的倾斜度约为230µm。此外,利用该工艺,可以根据TEOS膜厚度和面积的变化来释放局部弯曲(翘曲)。这些结果为解决堆叠工艺引起的异常翘曲提供了有效的指导,可应用于先进封装中的3D集成。关键词 翘曲、马鞍形翘曲、NAND、3D NAND、背面图案化
摘要:薄壁结构因其在航空航天工程中用作轻型部件而备受关注。通过增材制造 (AM) 制造这些部件通常会产生不希望的翘曲,这是因为制造过程中会产生热应力,并且部件的结构刚度会降低。本研究的目的是分析激光粉末床熔合 (LPBF) 制造的几个薄壁部件的变形。进行实验以研究由 LPBF 制造的薄壁结构在几个开放和封闭形状中对不同设计参数(例如壁厚和部件高度)的翘曲敏感性。使用 3D 扫描仪测量平面外位移方面的残余变形。此外,首先校准内部有限元软件,然后使用它来增强原始设计,以尽量减少 LPBF 打印过程引起的翘曲。结果表明,开放的几何形状比封闭的几何形状更容易翘曲,并且垂直加强筋可以通过增加刚度来减轻部件翘曲。
光学 MEMS 器件对于激光雷达和 AR 汽车应用越来越重要。准确预测和补偿封装翘曲对于保持精确的光学对准和长期可靠性至关重要。团队必须开发一个预测模型来模拟动态热分布期间附着在 PCB 基板上的芯片的翘曲/变形。
在 ESC/BSG 系统中,冷却气体(氦气)的漏流被测量为夹紧性能的标准:大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧,因此冷却气体未到达晶圆。相反,少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下,20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下,弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高,漏流值已达到最大值 20 sccm。但是,只要背面冷却气体压力较低,较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说,需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆,这会导致背面冷却系统的边缘性更严格,并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
阴影莫尔条纹仅限于低分辨率相机。该技术依赖于 Ronchi 光栅上的线条与投射到样品上的阴影之间产生的干涉图案。如果使用分辨率更高的相机,Ronchi 线条将会被分辨,从而防止形成干涉图案。另一方面,投影莫尔条纹并不局限于低分辨率相机,因为它不依赖于干涉图案。因此,相机分辨率不受限制;当今的标准投影莫尔条纹系统使用 5 百万像素相机,视野小至 75 x 75 毫米。相反,阴影莫尔条纹系统可用的最高分辨率相机为 1.4 百万像素,视野为 200 x 200 毫米,有效数据密度为同类投影莫尔条纹的 1/25。
摘要 - 在过去几年中,高端移动应用程序处理器(APS)开发了Interposer Package-on-package(POP)技术,并且在过去几年中一直在非常大量的生产中。这是由于其优质包装设计灵活性,可控的包装经(25°C)和高温(260°C)的优势,减少的组装制造周期时间和芯片持久的组装制造供应。迄今为止,层压板基室间的插入器流行已被用于具有非常大量生产的高端移动AP。最近,这种插入器流行设计面临着一些技术限制,包括需要减少顶部和底部路由层厚度,铜(CU)微量线/空间以及下一代移动APS的大小。这些减少可能需要超薄包装Z-Height和高带宽底部和顶部路由层。为了应对这些挑战,已经设计和演示了具有高密度风扇外(HDFO)重新分布层(RDL)路由层的新插入器流行。这是实现具有高带宽和改善信号完整性/功率完整性(SI/PI)路由层的超薄包装Z高,插座式流行结构的计划的一部分。本文将讨论使用HDFO RDL路由层上的插入器流行的包装级特征,以及根据JEDEC进行的Z-Height评估,Z-Height评估,依赖温度依赖的软件包WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE WARPAGE测量测试。
该项目的目的是通过利用在要模拟的过程步骤中测量所涉及的材料的固有应力来获得变形晶片的图形表示。通过应力,可以通过对扁平晶片的一系列特征进行评估,可以直接获得变形,而无需考虑导致几何形状修饰的热预算或步骤。在一个阶段进行模拟整个晶圆仍然需要无法实现的计算能力,因此有必要将模拟分为3个主要步骤:
摘要:在本文中,我们通过使用FEM(有限元方法)计算了裸底物和芯片附着的底物的经纱,并比较并分析了芯片附件对翘曲的影响。另外,分析了底物的层厚度对还原经经的影响,并通过Taguchi方法的信号效率比分析了层厚度的条件。根据分析结果,固定芯片时,底物中经纱的方向可能会发生变化。此外,随着包装顶部和底部之间CTE(热膨胀系数)的差异(热膨胀系数)的差异也会降低,并且在加载芯片后包装的刚度会增加。此外,根据对未连接芯片的底物的影响分析,为了减少芯片,为了减少经轴,电路层CU1和CU4的内层首先受到控制,然后集中在焊料底部的焊料厚度上,以及在Cu1和Cu2之间的预钻层的厚度。
本研究主要关注翘曲如何影响盖子变形以及表征翘曲的技术。FEA 用于创建与实际产品相似的原型。实验设计考虑了不同的变量,例如盖子的设计和材料。DOE 和随后的统计分析用于了解这些参数之间的相关性。解决了翘曲变形方面最重要的参数。基于这项研究,建议在封装上开发盖子时采用适当的设计和材料。当光电封装承受热机械载荷时,这会很有帮助;翘曲不仅会对焊点产生不利影响,还会对封装的其他部分产生不利影响。因此,在这项工作中,重点关注受翘曲影响的封装盖子的表征。分析表明,预计会影响盖子翘曲的两个参数之间没有显著的相互作用。与本研究中引入的盖子设计中的变量相比,盖子的材料特性对盖子翘曲的影响更大。这项研究将有助于开发与光电子相关的技术先进的封装。
摘要:本文利用有限元法(FEM)将PoP(Package on Package)用PCB分成单元和基板进行翘曲分析,分析层厚度对翘曲的影响,并利用田口法计算SN(信噪比)。分析结果显示,在单元PCB中,电路层对翘曲的贡献很大,其中外层的贡献尤其大。另一方面,基板PCB虽然电路层对翘曲的影响较大,但相对于单元PCB来说相对较低,阻焊剂的影响反而较大。因此,同时考虑单元PCB和基板PCB,PoP用PCB的逐层结构设计时,宜使外层和内层电路层较厚,顶层阻焊剂较薄,底层阻焊剂厚度在5μm~25μm之间。