一直遵循摩尔定律,根据该定律,通过光刻生产的集成电路的集成度会翻倍。到目前为止,这些微芯片主要采用波长为 193 nm 的光学光刻技术制造。为了实现 10 纳米以下的结构尺寸,必须使用极紫外光 (EUV):这可以实现更好的光学分辨率。然而,EUV 光刻面临着许多挑战。EUV 光被强烈吸收,因此必须在真空中进行曝光,并且在照明和成像系统中,必须将带透镜的折射光学器件替换为带镜子的反射光学器件。对要开发的光学器件的要求很高:它们需要高水平的研究和开发,以显著改善表面质量、材料成分、尺寸和形状。
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基于我们在去年所证明的成功的单光子3D光场光刻学,我们将方法扩展到了飞秒3D光场光刻。与我们以前的单光子与紫外线LED光的工作相比,使用飞秒光和3D光场光刻中相关的两光子光吸收可以仅在3D空间中设计的Voxel位置周围固化光线剂。这样的两光子方案可以防止在到达设计的体素位置之前,在我们以前的基于UV LED LED的单光子3D灯场光谱术中观察到,在到达设计的体素位置之前,光孔物的光孔疗法固化。飞秒两杆3D光场光刻的实验方案从将均匀的飞秒激光脉冲传递到空间光调节器开始。设计的像素映射显示在空间灯调制器上,然后传递到Microlens阵列中以在自由空间中构造3D虚拟图像。通过使用显微镜系统在光构仪层中压缩3D虚拟图像,我们可以成功生成不同的显微镜3D模式,而无需像传统的3D光刻一样依赖扫描过程。在这项研究中,我们介绍了(a)为使用飞秒光的3D模式开发的(a)算法的初步结果,当使用飞秒光线时,该算法应满足其他约束,并且((b)具有fletoResists生成的3D模式,具有flemtosecond femtsecond thepsocond Photon 3D 3D Light Field Field Field Figh Figh Figh Figh Figh Field Littionshophation。
随着极紫外 (EUV) 光刻技术进入大批量生产,半导体行业已将光刻波长匹配的光化图案化掩模检测 (APMI) 工具视为 EUV 掩模基础设施的主要空白。现在,已经开发出一种光化图案化掩模检测系统来填补这一空白。结合开发和商业化 13.5nm 波长光化空白检测 (ABI) 系统的经验以及数十年的深紫外 (DUV) 图案化掩模缺陷检测系统制造经验,我们推出了世界上第一个高灵敏度光化图案化掩模检测和审查系统 ACTIS A150(ACTinic 检测系统)。生产此 APMI 系统需要开发和实施新技术,包括高强度 EUV 源和高数值孔径 EUV 光学器件。APMI 系统具有高分辨率、低噪声成像,对缺陷具有极高的灵敏度。它已证明能够检测出印刷晶圆上估计光刻影响为 10% CD 偏差的掩模缺陷。
摘要 半导体量子点 (QDs) 作为高性能材料,在当代工业中发挥着重要作用,这主要是因为它们具有高光致发光量子产率、宽吸收特性和尺寸相关的光发射。使用 QDs 作为微光学应用的构建块来构建定义明确的微/纳米结构至关重要。然而,制造具有设计功能结构的稳定 QDs 一直是一个挑战。在这里,我们提出了一种在具有特定保护性能的混合介质中对所需 QDs 进行三维直接光刻的策略。丙烯酸酯功能化的混合前体通过超快激光诱导多光子吸收实现局部交联,实现超越衍射极限的亚 100 纳米分辨率。印刷的微/纳米结构具有高达 600 ◦ C 的热稳定性,可以转化为体积收缩的无机结构。由于 QDs 封装在密集的硅氧分子网络中,功能结构表现出良好的抗紫外线照射、腐蚀性溶液和高温稳定性。基于混合三维纳米光刻技术,可制备双色多层微/纳米结构,用于三维数据存储和光学信息加密。本研究为制备所需的量子点微/纳米结构提供了一种有效的策略,支持开发稳定的功能器件应用。
1.1 光学光刻基础知识 ..............................3 1.1.1 光学系统特性 .............。。。。。。。。。。。。。。。。4 1.1.1.1 分辨率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4
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激光直接成型作为传统光刻的创新替代方案 Eddy Roelants 西门子 Dematic 根特,比利时 摘要:高速精确的激光束偏转、印刷电路板 (PCB) 湿化学工艺的专业知识、PCB 激光直接成型 (LS) 的 CAD/CAM 实施以及机器开发和构造专业知识相结合,产生了一种具有专用系统的完整激光技术(图 1),为高密度互连 (HDI) 技术的制造提供了一种创新的替代方案。LS 工艺可以轻松集成到标准 PCB 生产线中,这已在欧洲 PCB 制造工厂得到验证。LS 工艺使用薄浸锡 (Sn) 作为抗蚀剂,通过聚焦激光束烧蚀。激光束勾勒出电路轨道和焊盘的轮廓。激光束的移动由高速控制器根据电子 CAD 布局数据控制。这样无需洁净室设施即可实现 50 µm 线间距甚至更小的线结构,并获得可接受的良率 (>70-80%) 和可接受的加工时间。此外,该系统具有高度灵活的模块化结构;配备 532 nm(绿色)或 355 nm 波长激光的系统设置证明它是一种出色的结构化和 µ 通孔钻孔系统,不仅从质量而且从性能的角度来看都是如此。简介目前,即使对于 HDI 板,对于大多数 PCB 制造商来说,100 - 75 µm 线间距技术也是标准配置。要低于这个假想的线间距宽度,需要付出巨大的努力和投资。这是由于需要洁净室(2500 欧元/平方米)和/或需要玻璃母版技术(这反过来会影响面板尺寸 - 从而影响产量)。除此之外,实现可接受的良率是另一个关键问题。下一代电子设备可能需要高密度,但仅针对一两个元件,同时保持 90% 以上的 PCB 面积采用传统的 100 µm 间距线技术。GSM、照相机、寻呼机等中使用的芯片尺寸封装 (CSP) 要求 PCB 制造工艺进行调整和创新,从而降低公差并实现更精细的线/间距。在这里,使用激光结构化变得合理:使用激光技术在标准 PCB 生产线中局部添加精细结构(作为纯插入式工艺)。这就是所谓的 PHD 工艺(部分高密度)。对于 BGA/CSP 或 MCM 基板等小尺寸基板,可以在激光光学器件的场尺寸范围内对整个区域进行激光结构化。
1)N。Gerges,C。Petit-Etienne,M。Panabière,J。Boussey,Y。Ferrec,C。Gourgon;优化的紫外线灰度工艺,用于应用于光谱成像仪的高垂直分辨率; J. Vac。SCI。 技术。 b 39(2021); doi:10.1116/6.0001273SCI。技术。b 39(2021); doi:10.1116/6.0001273
摘要:向上转换纳米颗粒(UCNP)具有独特的非线性光学特性,可以在显微镜,传感和光子学中利用。然而,形成具有较大填充分数的UCNP的高分辨率纳米和微分简单仍然具有挑战性。此外,人们对纳米颗粒模式化学的形式如何受粒径影响有限。在这里,我们使用形成新离子链接的配体或在UCNP之间(uviolet(uv),eleton- beam(e -elethir)(e -beam)(e -beam)(e -beam)和附近(nir)和附近(nir -nir)和附近(nir -nir)(nir)和附近(nir -extrare)(extrife)(ybem extruared(e -beam),我们探索了6-18 nm tm 3+ - ,yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。 我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响,发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。 相比之下,对较大的UCNP进行构图需要长链,可交叉的配体,这些配体可提供足够的颗粒间距,以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。 与使用可交联液体单体的方法相比,我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。 这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案(约为1μm,紫外线和NIR暴露; <100 nm,具有E型束)。 我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。我们探索了6-18 nm tm 3+ - ,yb 3+ /tm 3+ - 和yb 3+ /er 3+基于yb 3+ /er 3+的UCNP。我们研究UCNP大小对这些图案方法的影响,发现6 nm UCNP可以用紧凑的离子配体进行图案化。相比之下,对较大的UCNP进行构图需要长链,可交叉的配体,这些配体可提供足够的颗粒间距,以防止在膜铸造时进行不可逆的聚集。与使用可交联液体单体的方法相比,我们的图案方法限制了与沉积在薄膜中沉积的UCNP上的配体的交联反应。这种高度局部的照片 - /电子引发的化学能力可以制造具有高分辨率的密集包装的UCNP图案(约为1μm,紫外线和NIR暴露; <100 nm,具有E型束)。我们的上转换nir光刻方法证明了将廉价连续波激光器用于胶体材料的高分辨率2D和3D光刻的潜力。沉积的UCNP模式保留了它们的上转换,雪崩和照片处理行为,可以在模式的光学设备中利用这些行为,以用于下一代UCNP应用程序。