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Lam Research、Entegris 和 Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 合作提供强大的化学品供应链
Lam Research、Entegris、Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 该合作为采用突破性技术的全球芯片制造商提供强大的化学品供应链，并支持下一代 EUV 应用的研发 旧金山，2022 年 7 月 12 日 /美通社/ -- SEMICON WEST 2022 -- Lam Research Corp. (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG) 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc 今天宣布达成战略合作，该合作将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于 Lam 突破性的极紫外 (EUV) 光刻胶干光刻胶技术，这是生产下一代半导体的创新方法。 双方将共同致力于 EUV 干光刻胶技术研发，用于未来几代逻辑和 DRAM 产品，帮助实现从机器学习和人工智能到移动设备的一切。强大的工艺化学品供应链对于 EUV 干光刻胶技术融入大批量生产至关重要。这项新的长期合作进一步拓宽了干光刻胶技术不断发展的生态系统，并将提供来自半导体材料领导者的双源供应，确保在全球所有市场持续交付。此外，Lam、Entegris 和 Gelest 将共同努力，加速开发未来具有成本效益的 EUV 干光刻胶解决方案，用于高数值孔径 (high-NA) EUV 图案化。高 NA EUV 被广泛视为未来几十年器件持续缩小和半导体技术进步所需的图案化技术。干光刻胶提供高蚀刻抗性和可调节的沉积和开发厚度缩放，以支持高 NA EUV 降低的焦深要求。Lam Research 执行副总裁兼首席技术官 Rick Gottscho 表示：“干光刻胶技术是一项突破，它打破了使用 EUV 光刻技术扩展到未来 DRAM 节点和逻辑的最大障碍。” “此次合作将 Lam 的干光刻胶专业知识和尖端解决方案与两家行业前体化学品领导者的材料科学能力和值得信赖的供应渠道结合在一起。干光刻胶生态系统的这一重要扩展为该技术令人兴奋的新水平创新和大批量生产铺平了道路。”干光刻胶最初由 Lam 与 ASML 和 IMEC 合作开发，它提高了 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率，从而解决了与创建下一代 DRAM 和逻辑技术相关的关键挑战。它提供了卓越的剂量与尺寸和剂量与缺陷率性能，从而提高了 EUV 扫描仪的生产率并降低了拥有成本。此外，Lam 的干光刻胶工艺比传统光刻胶工艺消耗更少的能源，原材料消耗减少五到十倍，从而提供了关键的可持续发展优势。“Lam 的干光刻胶方法体现了材料层面的关键创新，并提供了广泛的优势，包括更好的分辨率、更高的成本效益和令人信服的可持续发展优势，”Entegris 首席执行官 Bertrand Loy 表示。“我们很自豪能够成为这一创新合作的一部分，以加速干光刻胶的采用，并成为客户值得信赖的工艺材料供应商，帮助他们利用这一重要技术创造下一代半导体。”“我们与 Lam 和 Entegris 合作推进 EUV 光刻的干光刻胶，表明我们致力于支持芯片制造商在材料科学方面的创新，”三菱化学集团旗下公司 Gelest 总裁 Jonathan Goff 表示。“我们看到 EUV 近年来展现出非凡的价值，我们很高兴成为不断发展的生态系统的一部分，以扩大其潜力。”关于 Lam Research Lam Research Corporation 是一家为半导体行业提供创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。 Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每款先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)
肉桂酸酯聚噻吩薄膜的电子束光刻
依靠双光子过程来实现高分辨率，因此需要在写入焦点处具有高激光强度。因此，DLW 需要材料具有高光学透明度。这排除了大多数有机半导体的 DLW，因为它们由于电荷传输 p 电子系统而固有地带有颜色。相反，电子束光刻 (EBL) 的高分辨率为光处理的微型设备提供了机会。当用电子照射时，有机薄膜会交联并发生局部溶解度的变化。9,10 Persson 等人用 EBL 构造聚（3-辛基噻吩），并用氯化铁 (III) 掺杂所得结构。11 Hikmet 等人图案化聚（对苯乙烯基）衍生物 (PPV) 用于多色有机发光二极管 (OLED)。9 在
纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 和 2PP 进行快速非接触式原型制作 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
基于环状乙烯酮缩醛的新型高分辨率减色光刻胶配方，适用于 3D 直接激光写入
技术正在迅速发展，在新的方法和材料方面不断突破其极限。在这种情况下，3D（亚）微打印平台尤其令人感兴趣，因为它们可以制备具有高分辨率和任意复杂度的3D微纳米结构。这方面最有前途的技术之一是直接激光写入（DLW），[1,2]这是一种基于双光子聚合反应的增材制造技术，可用于获得高通量[3]和低于100纳米的分辨率的（亚）微米物体和图案。 [4]为实现此目的，DLW利用聚焦的长波长激光飞秒脉冲照射能够在高能辐射下交联的感光树脂。 [5]虽然树脂的吸收率与激光不匹配，但在焦点处，辐射强度足够高，以至于可能发生多光子吸收现象并引发聚合过程（或触发正性光刻胶的分解）。由于抗蚀剂对激光是透明的，因此打印仅发生在焦点周围非常小的体积内（“体素”，即二维“像素”的三维模拟）。通过移动后者，只需一个简单的步骤即可获得复杂的三维架构。由于其灵活性以及易于集成功能材料的可能性，DLW 已在 MEMS、[6] 光子学、[7] 表面改性、[8] 安全系统、[9] 和生物医学研究等领域找到了多种应用。[10,11]
通过开路和无光刻技术实现抗反射多孔 Ge...
1) 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院，50 Nanyang Avenue 639798，新加坡。2) 韩国机械材料研究所纳米融合机械研究部，韩国大田儒城区 34103，韩国。3) 德克萨斯大学阿灵顿分校电气工程系，德克萨斯州阿灵顿 76019，美国。4) 伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校电气与计算机工程系和 Holonyak 微纳米技术实验室，伊利诺伊州厄巴纳 61801，美国 关键词。金属辅助化学蚀刻；多孔 Ge；抗反射；
用于纳米制造的X射线光刻技术：有未来吗？
在X射线光刻（XRL）过程中，一些对X射线敏感并在特定溶剂中照射后改变溶解速率的材料（称为抗蚀剂）通过掩模暴露于X射线源并被图案化。掩模由重Z元素（Au，W等）组成，用作吸收区，而载体基板由低衰减元素（Si，Be，金刚石，SiC，SiNx等）组成（Tormen等人，2011年）。 XRL 的概念最早由 H. Smith 和 Spears 于 1972 年提出（Spears and Smith，1972；Smith 等，1973），由于其波长更短、穿透深度更大（比传统紫外光刻技术更短），引起了微纳米制造界的关注，为构建具有高深宽比、厚光刻胶和几乎垂直侧壁的微型器件提供了新的可能性（Maldonado 等，1975；Maydan 等，1975）。XRL 是 LIGA 工艺 [德语缩写 Lithographie Galvanoformung Abformung，意为光刻电沉积、成型（Becker 等，1986）] 的基本步骤，包括在显影的光刻胶结构中电沉积金属，以获得模具或电极，用于后续的复制工艺，如成型或电火花加工。 X 射线可分为软 X 射线和硬 X 射线（或深 X 射线），软 X 射线的能量范围为 150 eV 至约 2 keV，硬 X 射线（或深 X 射线）的能量则大于 5 keV。软 XRL 适用于光刻胶厚度有限的高分辨率结构（< 50 nm）。深 XRL（DXRL）通常用于 LIGA 工艺及照射厚光刻胶（数百微米）。目前，同步辐射设备中已有 XRL 技术。半导体行业对 XRL 的兴趣与技术节点的定义有关。该术语指的是特定的半导体制造工艺及其设计规则：最初，节点号定义了栅极长度或半节距（HP），而目前（22 nm 以下）它与采用特定技术制造的特定一代芯片有关。由于波长比紫外线更短，XRL 有可能确保所有技术节点的“分辨率储备”。此外，它不需要像紫外光刻那样在每个技术节点上都使用不同的设备。然而，该技术的潜力尚未得到充分发挥，因为人们首先关注的是紫外光刻，然后是极紫外光刻（Tormen 等人，2011 年）。最近，XRL 引起了 Next 2 节点（10 纳米技术节点以外）及以后的新关注，这主要是由于软 X 射线干涉光刻的潜力（Wu 等人，2020 年，Mojarad 等人，2015c 年）。