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World File Search System光刻
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
I. 引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）被发展用来减少光刻过程中的印刷误差。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，它通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]，[2]，[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]，[5]，[6]，[7]，[8]，[9]。对于基于模型的OPC，首先将掩模版中多边形的边缘分成几段，然后在光刻仿真模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩膜表示为像素函数 [4]、[5]、[6]、[7]、[10] 或水平集函数 [8]、[9]、[11]、[12]。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化
先进的光刻设备 - Supply Chain Explorer
这是从新兴技术观察站供应链探索者 (https://chipexplorer.eto.tech) 导出的。您可以在 https://chipexplorer.eto.tech/?filter-choose=input-resource&input- resource=N19 上查看此内容的网页版本。
用于集成光子封装的双光子光刻
光子集成电路 (PIC) 长期以来一直被视为彻底改变光学的颠覆性平台。在成熟的电子集成电路制造工业代工厂基础设施的基础上，PIC 的制造取得了显著进展。然而，由于 PIC 的光学对准公差严格，因此需要专用封装仪器，因此 PIC 的封装往往成为阻碍其可扩展部署的主要障碍。双光子光刻 (TPL) 是一种具有深亚波长分辨率的激光直写三维 (3-D) 图案化技术，已成为集成光子封装的一种有前途的解决方案。本研究概述了该技术，强调了 TPL 封装方案的最新进展及其在主流光子行业中的应用前景。
结合热扫描探针光刻和干法...
图 1：灰度 t-SPL 与干法蚀刻的组合。电介质中灰度纳米图案放大工艺流程的横截面说明。（a）在薄电介质膜（在我们的例子中为 SiO 2 或 Si 3 N 4 ）上旋涂热敏抗蚀剂 PPA。（b）使用加热的纳米尖端在薄 PPA 层上制造二元和灰度纳米结构（有关纳米尖端的详细信息，请参阅补充图 S2）。（c）将纳米结构从 PPA 转移到 SiO 2 或 Si 3 N 4 。（d）通过深度放大将写入 PPA 中的纳米结构完全转移到电介质膜中。垂直峰峰深度放大（∆ z 电介质/∆ z 抗蚀剂）是由 CHF 3 /SF 6 等离子体中抗蚀剂和基板之间的蚀刻速率差异造成的。图像未按比例绘制。
基于射频应用的Parylene-Electronic束光刻过程
高等教育技术研究所（I.S.T），高等教育和科学研究部，IADIAMBOLA AMPASAMPITO，PO BOX 8122，ANTANANARIVO 101，马达加斯加b物理学和数学工程的实验室（Madagascar b La and of Ensight and Mathimatical of Ensighon and Novernation and the Enviration） - la r r'1177 rue tue du o r'117 rue， -la r´eunion，法国
光与物质共同构造的多光谱光刻
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通过粘附光刻悬浮的单层石墨烯
•昆士兰大学旅游业教授鲍勃·麦克凯尔（Bob McKercher）•塔斯马尼亚大学旅游业教授安妮·哈迪教授•伯明翰大学营销教授斯科特·麦卡比（Scott McCabe）教授，伯明翰大学，共同编辑，主要旅游研究主席：我们鼓励与会者阅读并反思下面列出的这些简短读数，以在本次会议中获得最大的收益。Elangoven＆Hoffman（2019）在学术界追求成功：柏拉图的幽灵问“那又怎样呢？”管理杂志，1-6 https://doi.org/10.1177/1056492619836729 Benjamin，S.，Lee，K。S.，＆Boluk，K。（2024）。狗屎必须改变，对吗？在旅游业中寻求“好麻烦”的呼吁。旅行研究杂志，https://doi.org/10.1177/00472875241276542 Gard-McGehee，N。（2024）。共同编辑的信：是的，“狗屎必须改变。”但是如何？呼吁深入的奖学金社会运动。旅行研究杂志，https://doi.org/10.1177/00472875241288510 Dolnicar，S。（2024）不喜欢出版或灭亡文化？您只有两个选项：加油或抗拒。您会选择哪个？旅游研究年鉴（观点），https：//doi.org/10.1016/j.annals.2024.103865 11:00 - 11:30早晨茶点
对重建晶片的光刻处理的模具对齐
该实验的结果证明了Liteq 500工具在置换和旋转中检测，测量和纠正大偏移的能力，在与当前工业标准保持一致的同时，提供了亚微米的准确性。分析表明，可以通过优化对齐过程来实现吞吐量的重大改进。计划进行其他实验，以验证覆盖性能，并在Liteq 500上使用重建晶片进行叠加诊断的能力。初步估计表明，当覆盖要求不太严格时，可以实现更快的吞吐量。在未来的工作中，我们计划研究当前FO-WLP过程中所需的覆盖精度级别可实现的吞吐量。
用于紫外线、激光和灰度光刻的正性光刻胶
1) N. Gerges、C. Petit-Etienne、M. Panabière、J. Boussey、Y. Ferrec、C. Gourgon；优化的紫外线灰度处理，用于光谱成像仪的高垂直分辨率；J. Vac. Sci. Technol. B 39 (2021)；doi：10.1116/6.0001273
一种具有热致发光功能的可光刻共轭聚合物
光响应性聚合物可通过光图案化方便地用于制造防伪材料。然而，一个尚未解决的问题是环境光和热量会损坏光响应性聚合物上的防伪图案。在此，通过对光响应性共轭聚合物 (MC-Azo) 进行光图案化和热退火，开发了光和热稳定的防伪材料。MC-Azo 在聚合物主链中含有交替的偶氮苯和芴单元。为了制备防伪材料，用偏振蓝光通过光掩模照射 MC-Azo 薄膜，然后在光子印章的压力下进行热退火。该策略生成了一种具有双重图案的高度安全的防伪材料，该材料对阳光和 200°C 以上的热量都很稳定。稳定性的关键在于热退火促进了链间堆积，从而将光响应性 MC-Azo 转化为光稳定材料。稳定性的另一个关键是共轭结构赋予 MC-Azo 良好的热性能。本研究表明，利用热退火促进链间堆积的可光刻共轭聚合物的设计为开发高稳定性和安全性的防伪材料提供了一种新策略。