Andrzej Kolek于1958年12月17日出生于库特。 1977年,从一所高中毕业后 H。Sienkiewicz在olańcut中,他曾在AGH科学技术大学的电气工程,自动和电子学院学习(自动化专业),并于1982年毕业。 div>。 div> div> 在1982年4月1日毕业并获得了总工程师电子产品的专业头衔后,他在Rzeszów大学技术学院(目前是Electamentional Electronics of Electronics)的电气工程学院(目前是电气工程和计算机科学学院)的工作。 在1991年,在华沙技术大学电子基础学院,他为他的博士学位论文辩护,名为1/F随机电阻网络的任务。 1997年在弗罗茨瓦夫技术大学电子学院获得的学科电子科学博士学位,基于宏观障碍系统中的专着1/F噪声。 2007年,波兰共和国总统授予了技术科学教授的头衔。。 申请标题的微型系统和光子学电子学院理事会;这是该理事会加工教授的科学头衔的第一个申请。Andrzej Kolek于1958年12月17日出生于库特。1977年,从一所高中毕业后H。Sienkiewicz在olańcut中,他曾在AGH科学技术大学的电气工程,自动和电子学院学习(自动化专业),并于1982年毕业。 div>。 div> div> 在1982年4月1日毕业并获得了总工程师电子产品的专业头衔后,他在Rzeszów大学技术学院(目前是Electamentional Electronics of Electronics)的电气工程学院(目前是电气工程和计算机科学学院)的工作。 在1991年,在华沙技术大学电子基础学院,他为他的博士学位论文辩护,名为1/F随机电阻网络的任务。 1997年在弗罗茨瓦夫技术大学电子学院获得的学科电子科学博士学位,基于宏观障碍系统中的专着1/F噪声。 2007年,波兰共和国总统授予了技术科学教授的头衔。。 申请标题的微型系统和光子学电子学院理事会;这是该理事会加工教授的科学头衔的第一个申请。H。Sienkiewicz在olańcut中,他曾在AGH科学技术大学的电气工程,自动和电子学院学习(自动化专业),并于1982年毕业。 div>。 div> div>在1982年4月1日毕业并获得了总工程师电子产品的专业头衔后,他在Rzeszów大学技术学院(目前是Electamentional Electronics of Electronics)的电气工程学院(目前是电气工程和计算机科学学院)的工作。在1991年,在华沙技术大学电子基础学院,他为他的博士学位论文辩护,名为1/F随机电阻网络的任务。1997年在弗罗茨瓦夫技术大学电子学院获得的学科电子科学博士学位,基于宏观障碍系统中的专着1/F噪声。2007年,波兰共和国总统授予了技术科学教授的头衔。申请标题的微型系统和光子学电子学院理事会;这是该理事会加工教授的科学头衔的第一个申请。
预测靶基因的扰动如何影响其他基因的表达是理解细胞生物学的关键组成部分。这是一个具有挑战性的预测问题,因为该模型必须捕获复杂的基因关系,并且输出是高维且稀疏的。为了应对这一挑战,我们提出了一种简单的方法,一种利用Genept嵌入的方法,它是使用单个基因的文本描述来得出的,以预测通过正规回归模型扰动引起的基因表达变化。在多种细胞类型和五个不同审慎的基因嵌入模型的八个CRISPR扰动屏幕数据集上进行了基准测试,Genepert始终胜过所有在Pearson相关和均值平方误差指标中测量的所有最新预测模型。即使使用有限的培训数据,我们的模型也有效地概括了,为预测扰动结果提供了可扩展的解决方案。这些发现强调了信息性基因嵌入的力量,以预测硅中看不见的遗传扰动实验的结果。genepert可从https://github.com/ zou-group/genepert获得。
摘要 — 本文介绍了一种针对计算机数据存储器的单粒子翻转 (SEU) 缓解策略的飞行测试结果。这种内存故障缓解策略是使用商用现货 (COTS) 现场可编程门阵列 (FPGA) RadPC 构建耐辐射计算系统的更大努力的一部分。虽然 RadPC 的先前迭代使用 FPGA 块 RAM (BRAM) 作为其数据存储器,但本文介绍的 RadPC 的特定组件是一种新颖的外部存储器方案,其附带系统可以检测和纠正计算机拟议数据存储器中发生的故障,同时允许计算机继续前台运行。2021 年 7 月,在 Raven Aerostar Thunderhead 高空气球系统上飞行了内存保护方案的原型实现。这次飞行将实验带到了 75,000 英尺的高度,持续了 50 小时,使实验中的内存受到电离辐射的轰击,而不会被地球大部分大气层衰减。本文将讨论故障缓解策略、飞行演示的实验设计以及飞行数据结果的细节。本文可能会引起正在设计将暴露于电离辐射的飞行计算机系统并正在寻找与现有抗辐射解决方案相比成本更低的 SEU 缓解策略的工程师的兴趣。索引术语 — FPGA、内存、辐射
1纳瓦拉公立大学统计,计算机科学与数学系,帕姆普罗纳公立大学,西班牙2机器学习小组,计算机科学学院,柏林技术研究所,柏林柏林,德国3研究所3研究所,医学心理学和行为神经生物学研究所(IMP) (BRTA), Donostia-San Sebasti ´ an, Spain 5 BIFOLD Berlin Institute for the Foundations of Learning and Data, Berlin, Germany 6 Bernstein Center for Computational Neuroscience Berlin, Berlin, Germany 7 Department of Artificial Intelligence, Korea University, Seoul, Republic of Korea 8 Max Planck Institute for Informatics, Saarbrücken, Germany 9 Department of Neurology, Max Planck Institute对于人类认知和脑科学,德国莱比锡10认知与决策中心,认知神经科学研究所,国家研究大学高等教育学院,俄罗斯莫斯科,俄罗斯11作者都做出了同样的贡献。*作者应与之解决任何信件。
摘要我们考虑了浸入完美流体暗物质(PFDM)的黑洞背景中的标量扰动。我们通过使用第六阶温策尔 - 克莱默 - 布里林(WKB)近似,最长的模式是那些比临界值小于临界值的角度质量较高的质量质量的模式,被称为临界模式的异常衰减速率,而超出了相反的临界值。此外,我们表明,对于pfdm强度参数k的不同值k,可以恢复准频率(QNF)的实际部分(QNF),QNF的虚部以及Schwarzschild背景的临界标量场的质量。对于小于这些值的k值,上述量大于Schwarzschild的背景。然而,除了这些k的这些值之外,这些数量还小于Schwarzschild后台。
从统计数据来看,北欧和波罗的海地区最脆弱的 HVAC 组件类型是架空线路,占所有故障的 61%(10 年平均值 64%)和所有 ENS 的 26%(10 年平均值 53%)。这一高比例可能是因为架空线路是输电网中使用最多、暴露程度最高的 HVAC 组件。尽管如此,每 100 公里线路的架空线路故障数趋势正在减少,如图 E.2 所示。2019 年,大多数 ENS 都是由电力变压器故障异常引起的。所有 ENS 中有 27% 是由电力变压器故障引起的,而只有 3% 的故障发生在电力变压器上。平均而言,电力变压器故障导致每年约 6% 的 ENS,而控制设备故障导致每年约 9% 的 ENS。 220-330 kV 控制设备和断路器以及 380-420 kV 电缆和电力变压器的故障趋势有所增加。
摘要:我们使用多个观测数据集和一个埃迪渗透的全球海洋模型来建造1950 - 2020年期间的北大西洋热预算(26 8 - 67 8 N)。在多年代时间尺度上,海洋热传输收敛控制北大西洋大多数地区的海洋热含量(OHC)趋势,对扩散过程几乎没有作用。在北大西洋亚北大西洋(45 8 - 67 8 N)中,热传输收敛是通过地质的术语来解释的,而年龄型的流质在亚热带中产生了显着的贡献(26 8-45 8 N)。在所有区域的地质贡献都由时间均值温度梯度的异常对流主导,尽管其他过程具有显着的贡献,尤其是在亚热带中。异常地质电流的时间尺度和空间分布与亚层循环中向西/西北传播的盆地尺度热rossby波的简单模型一致,并且在区域OHC中的多摄氏度变化通过定期逐渐逐渐逐渐逐渐逐渐逐渐逐渐逐渐逐渐渐变来解释。全球海洋模型模拟表明,大西洋子午线倾覆循环中的多年龄变化与海洋热传输收敛同步,与传播的罗斯比波(Rossby Wave)的调节一致。
多重遗传扰动对于测试编码或非编码遗传元件之间的功能相互作用至关重要。与 DNA 切割相比,使用 CRISPR 干扰 (CRISPRi) 抑制染色质形成可避免基因毒性,并且在混合检测中更有效地扰乱非编码调控元件。然而,目前的 CRISPRi 混合筛选方法通常仅限于每个细胞靶向 1-3 个基因组位点。为了开发一种在功能基因组学筛选中使用 CRISPRi 对基因组位点进行高阶 (> 3) 组合靶向的工具,我们设计了一种 Acidaminococcus Cas12a 变体——称为多重转录干扰 AsCas12a (multiAsCas12a)。 multiAsCas12a 在使用慢病毒转导传递的 CRISPR RNA(crRNA)高阶多路复用阵列进行组合 CRISPRi 靶向时,其表现明显优于最先进的 Cas12a 变体,
摘要 — 本文详细研究了在不同于自由空间的条件下,即存在代表性铁磁材料和电介质材料的情况下,TEM 室内部电场 (E) 和磁场 (H) 分布对室相应主模式上方和下方的影响。使用 IEC 61967-2(封闭式)和开放式 TEM 室进行了数百 MHz 至 GHz 的模拟和测量。无论频率和 EUT 位置如何,与电介质材料只在其位置局部改变 E(和 H,取决于介电常数)的范数(∣∣。∣∣)不同,室内存在铁磁材料会同时改变∣∣ E ∣∣ 和 ∣∣ H ∣∣ 分布:局部低于主模式频率,全局高于该频率的整个室底部。这表明,由于铁磁材料引起的 ∣∣ H ∣∣ -场的局部失真比 ∣∣ E ∣∣ -场的局部失真具有更强的影响,而不考虑频率、位置和磁损耗。此外,IEC 61967- 2 和 62132-2 标准中提到的在主模频率以下使用 TEM 室的要求可能并不相关,只要同时考虑 EM 场的不均匀性,并在抗扰度测试中将 IC 封装的存在考虑在引脚周围的等效 ∣∣ E ∣∣ -场水平中即可。