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World File Search System电阻
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
HRS 状态下零变异性电阻式 RAM 的设计考虑
摘要 — 电阻式 RAM (RAM) 固有的可变性被广泛认为是广泛采用该技术的主要障碍。此外，我们越深入高阻状态 (HRS)，可变性就越高。在此背景下，本文提出了电路级设计策略来减轻 HRS 的可变性。在 RESET 操作期间，编程电流受到严格控制，同时调节 RRAM 单元两端的电压。从设计的角度来看，写入终止电路用于不断感测编程电流并在达到首选 RESET 电流时停止 RESET 脉冲。写入终止与电压调节器相结合，可严格控制 RESET 电压。本文首先回顾了 RRAM 可变性现象。然后，开发了一种优化的编程方案来控制 HRS 状态以接近零可变性。与经典的固定脉冲编程方案相比，可变性降低了 99%。
字母硅神经晶体管基于CMOS负差异电阻（NDR）
抽象以计算机科学为导向和以神经科学为导向的是开发人工通用智能（AGI）的两种通用方法。在这项研究中，使用用于AGI应用的神经科学方法开发了硅神经元晶体管。神经元行为（“加权总和和阈值”功能）基于互补的金属 - 氧化物 - 半导体（CMOS）负差异电阻（NDR）理论。神经元晶体管由UMC 180-nm商业标准CMOS流程实施，这是有益的，可以实现整个神经网络或与同一芯片上的其他CMOS电路集成。神经元tran-sistor由三个输入V G1，V G2和V G3组成，以及一个控制端子，V con，一个负载端子，V B（负载）和驱动程序端子，V B（驱动程序）。每个输入的宽度为1.8 µm，并且输入分别具有1、2和4填充物，即重量比为1：2：4。v B（负载）和V B（驱动器）使神经元晶体管更加类似于真正的生物神经元，与传统的人工神经网络相比，灵敏度的提高且复杂性较小。以10 kHz的最大频率测量神经元MOS晶体管。它的功率消耗极低，为<10-4 µ w，而占地面积为30×15 µm 2。随着过程特征大小的减小，芯片的工作频率可以增加一个数量级，而其功耗和足迹将减少。关键字：人工通用智能（AGI），CMOSFET电路，人工神经网络（ANNS），硅神经晶体管，负差异抵抗（NDR）分类（NDR）分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，RF，RF，Sensor）
皮带输送机在旋转电阻和能源效率方面的滚轮
摘要。本文显示了研究在硬煤矿中工作的皮带输送机中使用的滚轮的结果。辊子应以低旋转电阻为特征，这导致推进单元的功率低。进行的测试旨在评估在硬煤矿进行数年运行后新的C型辊的技术状况。这项研究是从新方法进行的，到硬煤矿中滚动测试和验证的标准问题。实验室测试与测试整个皮带输送机相结合。这项研究进行了3年，并监控了工作辊的动态阻力如何变化，以及如何转化为硬煤矿中皮带输送机消耗的电力需求。这项研究的目的是一种新的方法，用于研究在矿山中运行的输送机中使用的滚筒。
1,024 x 1,024 电阻发射极阵列设计与制造现状
圣巴巴拉红外公司 (SBIR) 正在生产高性能 1,024 x 1,024 大尺寸电阻发射阵列 (LFRA)，用于下一代红外场景投影仪 (IRSP)。LFRA 要求是通过与三军红外场景投影仪工作组的密切合作以及通过 OSD 中央 T&E 投资计划 (CTEIP) 和第一阶段美国海军小型企业创新研究 (SBIR) 合同赞助的详细贸易研究而制定的。CMOS 读入集成电路 (RIIC) 由 SBIR 和 Indigo Systems 根据小型企业创新研究 (SBIR) 合同设计。性能和功能包括 750 K MWIR 最大表观温度、5 毫秒 (10-90%) 辐射上升时间、200 Hz 全帧更新和 400 Hz 窗口模式操作。 2002 年中期将制造并分析 10 个 8 英寸 CMOS 晶圆，随后在 2002 年末制造发射器。本文讨论了阵列性能、要求流程、阵列设计、2 x 2 英寸 CMOS 设备的制造以及后续 RIIC 晶圆测试和发射器像素制造的计划。
超导稳定剂膜界面电阻对典型超导性能的影响
摘要 第二代高温超导 (HTS) 带材已广泛用作储能材料，例如超导磁能存储 (SMES) 设备。为了增强载流特性，这些系统通常在接近涂层导体的临界电流下运行；因此，可能会产生热点，这可能导致超导体淬火。为了防止热点的出现并减少故障量，本文努力提高正常区域传播速度 (NZPV)。超导体和稳定层之间的界面电阻已被证明是产生大量 NZPV 的关键，在故障情况下，界面电阻可以充当电流分流器。通过在超导层和稳定层之间添加高阻层，磁带的结构略有修改，其中各种界面电阻已用于预测 10 厘米长度的 HTS 磁带之间的温度分布。使用 COMSOL 创建了 2D 数值模型来评估 2G 超导磁带的 NZPV 和温度分布。已经得出结论，通过使用相当大的界面电阻来防止超导磁带失超，可以实现更大的 NZPV。关键词：HTS 磁带，正常区域传播速度，界面电阻，失超，HTS 电缆，SFCL，SMES。1.简介 涂层导体广泛应用于电力应用，因为它们能够承载巨大的电流，同时在临界电流附近有效运行。涂层导体已在几乎所有电力应用中取代了铜导体，包括电缆、电动机、发电机、变压器、MRI、NMR、故障电流限制器和 SMES 系统，因为它们在管理电流方面更高效，占用的空间比传统设备更少。当故障电流限制和储能设备在临界电流附近运行时，可能会形成热斑，导致超导体失超。如今，HTS 电缆的发展也受到关注，载流电缆的设计负载系数更大（接近临界电流），以最大限度地提高其载流能力。然而，过大的电流会因发热而导致不平衡，而冷却不足会导致热点，最终导致胶带热失超。这个话题尚未解决，许多研究小组正在
13,18关于石墨烯 - 低音电阻生物传感器的分析理论 div>
近年来，在石墨烯传感器的领域，研究人员的兴趣明显从电阻性气体传感器[1-4]转变为用于环境监测的电阻，转变为适合医疗快速分析的电阻生物传感器的发展[5-12]。气体传感器是外延单层石墨烯（Epigraphene），是气体分子的吸附，在石墨烯层σ的电导率中导致1σ，传感器检测到了1σ。在图中示意性地介绍了生物传感器的更复杂的结构：在初始状态下，传感器包含单层石墨烯，封装在半导体底物和抗体AB之间，或生物启示器，或者是有机大分子[11]；在测量过程中，测试的生物分子 - 抗原Ag或生物标志物与AB接触[11,12]。Ag与AB的相互作用改变了封装石墨烯的电导率，这是其存在的指标。因此，对于气体和生物传感器，确定石墨烯中电流的变化。从理论的角度来看，有必要确定相对电导率1σ=1ν/ν + 1µ/µ/µ/µ的相对电导率变化，其中ν是电流载体1的浓度，而µ是其迁移率。在本文中，我们将基于两个先前提出的模型：封装结构[13]和抗体的悬挂键[14]，介绍比率1σ/σ的估计值。
导体长度对电阻型超导故障电流限制器应用
摘要 - 使用2次生成高温超导体（2G HTS）磁带的电阻型超导故障电流限制器（R-SFCL）的设计。一方面，当淬火发生在整个导体上（即限制机制）时，它应该承受最高的电场以降低其长度并使其具有成本效益。另一方面，它还必须应对热点制度。临界电流范围内的故障电流可以导致沿导体长度的局部耗散，从而在显示最低值值的部分上。来自低正常区域传播速度的2G HTS磁带的电流几乎没有限制会导致这些区域的温度升高，从而极大地威胁了它们的完整性。总而言之，导体体系结构适应了高电场，并获得了热点制度中最高温度的无损值。但是，导致这种最后提及的制度的𝑰𝑰变化取决于沿胶带的位置。本文旨在鉴定可变导体长度对𝑰𝑰变化的影响，并因此对热点制度的影响。我们首先研究长度对𝑰𝑰变化的影响。当导体长度增加时，最小临界电流往往会减小。这种行为可以通过Weibull分布来建模，假设最小临界电流与无限导体长度不同。为了评估对热点制度的这种影响，我们使用2G HTS导体的确定性1D建模来开发一种概率方法，该模型沿其长度考虑了𝑰𝑰𝑰𝒄不均匀性，以模拟R-SFCL行为。看来，导体越长，热点状态中的最高温度就越高。此外，两个相对长度相对长度的测量值在热点状态下呈现不同的最高温度的事实导致了一种方法，可以设计出所需长度的大规模制造导体，可稳健，以在任何𝑰𝒄的变化中生存在热点方案中。
零外部磁场量子量子在10 -9级别的电阻标准
量子异常霍尔效应在凝结物理和计量学中具有颠覆性创新，因为它可以根据von-klitzing常数r k = h/e 2在零外部磁场上访问霍尔电阻量化。在这项工作中，我们研究了基于磁性拓扑绝缘体材料（V，BI，SB）2 TE 3的设备中霍尔电阻量化的准确性。We show that the relative deviation of the Hall resistance from R K at zero external magnetic field is (4.4 ± 8.7) nΩ/Ω when extrapolated to zero measurement current, and (8.6 ± 6.7) nΩ/Ω when extrapolated to zero longitudinal resistivity (each with combined standard uncertainty, k = 1), which sets a new benchmark for the quantization accuracy in topological matter.在NΩ/ω水平（或相对不确定性的10 -9）处的这种精度和准确性达到了相关的计量应用的阈值，并建立了零外部磁场量子量子标准电阻标准 - 朝着将量子基于量子的电压和电阻整合到单个通用电气电气电气中的重要步骤。
CW1243
模块 1 ： 4 串电池组输入端， BAT- 为电池组最低端的负极， VC1 为第一节电池正端， VC2 为第 二节电池正端， VC3 为第三节电池正端， BAT+ 为第四节电池正端（即电池组的最高极）。 CW1243 没有上电顺序要求，但建议从低节到高节依次上电，避免出现接错，反接等现象。注意 BAT- ， BAT+ 在充放电过程中会有大电流，接在 BAT- ， BAT+ 上的导线最好能够足够粗。 模块 2 ： 电池组电压进芯片端滤波电路，电容尽量靠近芯片。 模块 3 ： R SENSE 电阻，通过检测其上的电压值，计算放电过程中的电流。 模块 4 ： 103AT NTC 电阻（ 3435 ）。 模块 5 ： 充放电负端。 模块 6 ： 充电正端，二极管是为防止充电器反接，如不需要，可以拆掉，用导线将两端短接。 模块 7 ： P+ ， P- 放电端口的稳压，续流二极管以及电容。 模块 8 ： CIT 电容，控制放电过流 1 ，过流 2 延时时间电容，可以根据需要自行更换。 模块 9 ： 充放电高温保护匹配电阻。 模块 10 ： VINI 处滤波电路 R 以及 C ，可以适当的调节过流保护延迟时间，同时提高电流检测 精度。