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通过机械变形改变过渡金属二硫属化物光学和电子特性的研究已非常广泛。它们在破裂前能够承受大变形的能力使带隙具有很大的可调谐性,而且,空间变化的应变已被证明可以控制带隙的空间分布并导致载流子漏斗等效应。单层过渡金属二硫属化物表现出显著的压电效应,可以与空间不均匀的应变分布耦合以影响电子和光学行为。我们通过实验和理论研究了结构中光致发光的一个例子,该结构具有与单光子发射器中相似的应变分布,但这里是通过纳米压痕产生的。使用纳米压痕引起的应变的机械模型,我们表明压电效应可以导致电荷密度达到 10 12 e/cm 2

单层过渡金属二硫属化物中的应变相关发光和压电性

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