机构名称：
¥ 2.0
图 3. 场发射电流密度（根据公式 (10) 计算）在不同条件下量子阱宽度 d 的函数：(a) 直流场 F ，其中 L = 0.1 nm，H = 6 eV；(b) 阱深度 H ，其中 L = 0.1 nm，F = 4 V/nm；和 (c) 到表面的距离 L ，其中 H = 6 eV，F = 4 V/nm。在 J - d 图中，共振峰出现在不同的 (d) F 、(e) H 和 (f) L 处的量子阱宽度，分别对应于 (a) – (c) 中的情况。向上的三角形是从图 3(a)-3(c) 中提取的。圆圈是使用公式 (11) 计算的。公式 (10) 中的温度取自 T = 300 K。
共振隧穿增强场的理论分析
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