机构名称：
¥ 2.0
所有测试均在法向入射下进行，这已被确定为垂直 DMOS 功率 MOSFET 的最坏情况。为了达到所需的能量/穿透深度，使用铝箔降能器和调整后的空气距离。测量和辐射运行在 25 °C 温度下进行，平均通量和通量分别为 2x10 4 离子/cm 2 /s 和 3x10 5 离子/cm 2。测试程序基于 MIL-STD- 750，方法 1080。有关 IR HiRel 采用的测试方法的更详细描述，请参阅 SEE 测试方法文档。
IRHC9A9x064 - 查看测试报告
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