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2d Ultralow-k无定形碳BARBAROS OEZYILMAZ材料科学与工程系，EA Block，EA，＃03-09，9工程驱动器1，新加坡117575，新加坡新加坡大学物理大学，新加坡国立大学物理学系，2科学驱动器3，S12，S12，S12，SIS12，SIGER DRICERS NIGHAPORE 117551，SINDAPERE，SINGAPERE，SINDAPERE，国际化学，国籍，国籍，国际化学，国籍，国籍，国际化学，国际化，新加坡新加坡国立大学新加坡大学功能智能材料研究所，第9级，第9级，科学驱动器2，新加坡117544，新加坡大学新加坡大学barbaros@nus.edu.sg.sg.sg二维（2D）材料在Monolayer厚度较高的范围中，Science Drive 2，新加坡117544 117544原子极限。尽管正在进行的综合电路的2D革命取得了重大进步，但一个关键的构件，即2D Ultralow-K8（ULK）电介质，但仍未报告。挑战在于实现小于3的介电常数（k），因为传统的低K电介质由于其无定形或多孔性质而在2D极限内固有地不稳定。还需要使用低K的超薄电介质的实现来解决集成电路缩放中的当前瓶颈。具体而言，由于导电元件之间的距离缩小到10 nm以下，因此必须使用低K材料来最大程度地减少寄生电容。在这里，我们表明2D无定形碳（稀薄至0.8 nm）是一种机械强大的2D ULK介电介电，k为1.35，介电强度为28-31 mV cm-1。缺乏任何远距离顺序，其内在的2D性质，SP2碳特性和低密度对于最大程度地减少介电介电常数至关重要。此外，它以创纪录的金属离子扩散时间（TTF）为10+10 s的现有电介质扩散降解的脆弱性甚至是单层。因此，可以消除最多需要3 nm的额外层，这尤其重要，因为金属线宽度接近10 nm。结合其低温，直接和共形生长，即使在介电上，这些关键特征也能够对基于硅的半导体电子产品进行大量改进，并确保与未来的2D电子产品兼容。
2D Ultralow-K无定形碳
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