机构名称：
¥ 1.0
使用 TCAD 的应变 Si/SiGe 通道 p-MOSFET。收录于：Nath V.（编辑）国际微电子、计算与通信系统会议论文集。电气工程讲义，第 453 卷，第 181-188 页，Springer，新加坡，2018 年。18. Sanghamitra Das、TP Dash、S. Dey 和 CK Maiti，“陷阱效应
Sanghamitra Das，博士 - 硅谷科技学院
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