机构名称：
¥ 2.0
20 世纪 70 年代末，Yasuda 进一步阐述了等离子体聚合的概念。[4] 在低 SEI 条件下，等离子体聚合物薄膜的沉积速率通常随能量输入线性增加，在较高能量下接近饱和。从沉积速率与 SEI 关系的总体趋势来看，高于表观活化能的行为可以用类阿伦尼乌斯方程来描述，以 SEI 代替温度。[5] 同时，该方法被证明适用于许多不同的单体，即可聚合分子，从而实现等离子体聚合。[6-11] 此外，该概念还包括使用功率调制，通过施加开/关脉冲来降低等离子体中的平均功率输入，旨在增强单体的结构保留。 [ 12,13 ] 同样，按照阿伦尼乌斯形式用 SEI 代替温度可能对等离子体转化、等离子体催化和等离子体喷射烧结有用 [ 14 – 16 ] — — 尽管这仍然是一个有争议的话题。[ 17 ]
由特定能量输入控制的等离子体活化机制：潜力和前景
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