图1。A)在PT/INGA/N -SI/SIO/SIO X/PT下,AO-ECL发射(AO-ECL)的方案是由EXC光子吸收触发的。b)电荷传输机制的方案,导致可见的440-nm光子在固体界面处产生。c)在PT/INGA/INGA/N -SI/SIO X/PT(CYAN曲线)和电解质吸收(灰色曲线)时,在PT/INGA/N -SI/N-SIO/SIO X/PT(灰色曲线)时,在PT/INGA/N -SI/N-SI/N-SIO/SIO X/PT(灰色曲线)处的IR 850 nm LED(棕色曲线)的归一化光谱。si bandGap由虚线的黑线表示,由AO-ECL诱导的波长的移位由红色箭头表示。d)N -Si/Sio X的XPS调查光谱,在涂层之前(橙色曲线)和N -SI/SIO X/PT的N -Si/Sio X/PT,在溅射2 nm厚的PT膜(粉红色曲线)后。