机构名称：
¥ 1.0
未来的DOD系统需要更高的性能（例如，更高的输出功率RF设备，更高的功率处理开关晶体管和保护电路，高温晶体管）才能满足任务要求。正如SIC和GAN技术在超过传统SI和GAAS设备技术方面取得了进步一样，超宽的带盖（UWBG）半导体（例如Aln，CBN，CBN，Diamond，GA 2 O 3）显示了前一个RF和电力电子产品的希望。但是，这些材料和相关设备还处于起步阶段。本研讨会的目的是定义技术挑战并提高社区对这些挑战的认识。研讨会将包括对UWBG材料和设备的潜在应用和正在进行的研究概述，包括新的DARPA计划（UWBG幼苗，异质异质结构（H2）微电子探索计划），应用程序和研究由服务部门（Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force Brange和Savy）以及广告商业的应用程序以及广告商的应用。研讨会以讨论独特的UWBG材料和设备挑战的讨论，以及有关潜在路径的建议。
高性能应用的UWBG材料
主要关键词
相关文件推荐
