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图S4。TB-WSE 2中电阻率ρ的温度依赖性。（a）电阻率ρ是归一化载体密度N/N S的函数，在4.1°TB-WSE 2设备中，V tg的温度t和温度t的函数。VHS的电阻率显示出与主文本中设备相似的正温度依赖性。（B）ρ。这些曲线有抵消，以清晰。黑线是插入线。（c）电阻率ρ是归一化载体密度N/N S的函数，V tg的温度t为-10。8 V在5.7°TB-WSE 2中。 （d）ρ在t曲线的v Tg处与-10的t曲线图。 8 V在5.7°TB-WSE 2中的不同归一化载体密度下。 每个曲线对应于具有相同颜色的插图中的一个点。 这些曲线被抵消为了清晰。 当我们从较高（下）掺杂接近VHS时，ρ的温度依赖性从费米 - 液体行为变化，t 2与t线性行为有关。8 V在5.7°TB-WSE 2中。（d）ρ在t曲线的v Tg处与-10的t曲线图。8 V在5.7°TB-WSE 2中的不同归一化载体密度下。每个曲线对应于具有相同颜色的插图中的一个点。这些曲线被抵消为了清晰。当我们从较高（下）掺杂接近VHS时，ρ的温度依赖性从费米 - 液体行为变化，t 2与t线性行为有关。
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