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摘要：具有控制尺寸和表面化学的胶体纳米晶体的显着发展导致了巨大的光电应用。，但是它们还可以形成量子材料的平台，哪种电子相干性是关键的？在这里，我们使用胶体，二维BI 2 SE 3晶体，在100 nm范围内具有精确且均匀的厚度和有限的横向尺寸来研究拓扑绝缘子从三个维度到两个维度的演变。对于4-6个五重列层的厚度，扫描隧道光谱显示出一个8 nm宽的非散发状态，环绕着血小板。我们通过低能连续模型和从头算GW-Tight结合理论讨论了这种边缘状态的性质。我们的结果还提供了设备上此类状态的最大密度的指示。关键字：边缘状态，士兵硒化纳米片，扫描隧道光谱，拓扑绝缘子，密度功能理论，量子旋转厅绝缘子
胶体BI2SE3血小板中边缘状态的表征
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