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石墨烯器件中的量子霍尔效应最近允许使用稳健的电阻平台（ R H = R K /2 = h /2 e 2 ）作为欧姆的计量实现 [1]。未来传播欧姆的途径之一是通过构建能够提供多个量化电阻值的量子霍尔阵列电阻标准 [2]– [6]。在制造此类网络之前，必须降低接触和互连处的累积电阻。在本研究中，使用四端和两端方法测量和比较了外延石墨烯器件的量化霍尔电阻 (QHR)。当应用超导多串联接触时，不希望的电阻显著降低。这些新的设备接触几何形状和成分为下一代电阻标准的设计开辟了新途径。
用于下一代超导接触几何形状...
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