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ESE 273 微电子电路 2025 年春季 1. 课程...
这是第一门向学生介绍非线性器件基础知识和 IC 放大器设计的集成电路课程。本课程首先介绍二极管的器件物理、操作和建模。然后介绍 MOS 晶体管的操作、大信号晶体管电流作为不同操作区域中端电压的函数的推导，以及小信号模型。探讨单级放大器结构，并介绍电流源和电流镜的实现。介绍了共源放大器的频率响应。介绍了多级放大和差分对的概念。介绍了双极晶体管的操作和建模，以及共发射极放大器。介绍了 MOS 和 BJT 晶体管的比较以及共源和共发射极的性能。
Sedra smith 微电子电路第 8 版国际版 pdf
您需要登录或创建帐户才能获得或声明访问权限。可用主题包括： 与二极管相关的额外主题 与 JFET 和 GaAs 器件和电路相关的额外主题 与有用的晶体管配对相关的额外主题 与输出级和功率放大器相关的额外主题 与内部运算放大器电路相关的额外主题 与滤波器和调谐放大器相关的额外主题 与波形生成和整形相关的额外主题 与双极数字集成电路相关的额外主题 与 MOS 数字集成电路相关的额外主题 要访问内容或兑换资源，用户必须登录或创建帐户。所提供的文本涵盖了与电子和数字设计相关的各种主题，包括双极结型晶体管 (BJT)、MOS 场效应晶体管 (MOSFET)、放大器、运算放大器电路、CMOS 数字逻辑电路和 VLSI 制造技术。重点关注领域包括集成电路放大器的构建模块、差分和多级放大器、输出级和功率放大器、运算放大器电路、CMOS 数字逻辑电路以及数字设计原理（例如功率、速度和面积）。文本还涉及 SPICE 设备模型、仿真示例和双端口网络参数。此外，它还涵盖了采用 CMOS 和双极工艺制造的 IC 设备的标准电阻值、单位前缀、典型参数值，并提供了所选问题的答案。
阐明微电子封装材料中离子扩散率的巨大变化
腐蚀风险对满足在恶劣环境下使用的微电子设备的严格可靠性要求构成挑战。微电子设备通常封装在聚合物封装材料中，以防止腐蚀。然而，这些聚合物并非完全密封，因此允许少量离子和水分进入设备，这可能会导致微电子电路腐蚀。为了提高和预测设备的可靠性，量化这些材料中的离子扩散率非常重要。以前报告的离子扩散率值对于同一类材料来说相差多个数量级。在这里，我们使用三种实验方法调查这种差异的原因：(i) 盐水浸泡、(ii) 扩散池测量和 (iii) 瞬态电流测量。测试了几种材料，例如硅树脂、环氧树脂和聚酰胺，以涵盖微电子行业使用的广泛聚合物。我们发现，差异可能是由于离子扩散率对聚合物中的水分含量以及溶质的盐浓度和 pH 值有很强的依赖性。此外，我们发现，极低的离子扩散率会导致测量时间过长，因此样品中因污染、泄漏或微小缺陷而导致误差的风险很大。
微电子和光电子制造中的激光应用 (LAMOM) XXX (LA301)
程序委员会：Craig B. Arnold，普林斯顿大学（美国）;马丁纳斯·贝雷斯纳大学南安普敦（英国）； Laura Gemini，ALPhANOV（法国）；长谷川聪，宇都宫大学中心。光学研究与教育（日本）； Guido Hennig，Daetwyler Graphics AG（瑞士）； Jürgen Ihlemann，哥廷根纳米光子研究所（德国）；伊藤佑介，大学。东京（日本）；牧村哲也，大学筑波（日本）； Inka B. Manek-Hönninger 中心激光强度与应用（法国）；卡洛斯·莫尔佩塞雷斯大学马德里理工大学（西班牙）；米格尔·莫拉莱斯，大学。马德里理工大学（西班牙）；中田芳树，大阪大学（日本）; Aiko Narazaki，日本产业技术综合研究所 (日本)；Beat Neuenschwander，伯尔尼高等技术学院 (瑞士)；Jie Qiao，罗彻斯特理工学院 (美国)；Gediminas Raciukaitis，物理科学与技术中心 (立陶宛)；Joel Schrauben，MKS 仪器公司 (美国)；Felix Sima，罗马尼亚国立激光、等离子体和辐射研究所 (罗马尼亚)；Paul Somers，卡尔斯鲁厄理工学院 (德国)；Koji Sugioka，日本理化学研究所先进光子学中心 (日本)；Mitsuhiro Terakawa，庆应义塾大学 (日本)；Onur Tokel，比尔肯特大学 (土耳其)；Xianfan Xu，普渡大学 (美国)
ALD生长的Al2O3膜用于微电体应用的实验表征
高介电材料的研究最近引起了极大的关注，这是用于应用金属构造器金属（MIM）电容器的关键被动组件。在本文中，通过原子层沉积技术（ITO）氧化锡（ITO）预涂层的玻璃底物和氮化钛（TIN）涂层的SI覆盖的Si底物在本文中制备了50 nm厚的Al 2 O 3薄膜。光刻和金属提升技术用于处理MIM电容器。用探针站的半导体分析仪用于使用低中等频率范围进行电容 - 电压（C-V）表征。MIM电容器的电流 - 电压（I-V）特性在精确源/测量系统上测量。在电压范围从-5到5 V的玻璃上，Al 2 O 3膜在玻璃上的性能从10 kHz到5 MHz。Au/Al 2 O 3/ITO/玻璃MIM电容器在100 kHz时显示1.6 ff/µm 2的电容密度为1.6 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.005，在1 mv/cm（5 v）下，在100 kHz时损耗〜0.005，泄漏电流为1.79×10 -8 a/cm 2。Au/Al 2 O 3/TIN/SI MIM电容器在100 kHz时的电容密度为1.5 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.007，较低的泄漏电流为2.93×10 -10 -10 -10 -10 A/cm 2，在1 mv/cm（5 v）处于1 mv/cm（5 v）。获得的电源可能表明MIM电容器的有希望的应用。关键字
热机械老化对柔性微电子器件材料和界面特性的影响
摘要：从材料和功能耐久性的角度研究并报告了热老化、疲劳和热机械老化对柔性微电子 12 器件的影响。研究了封装材料和基板的降解 13 机制。分析了封装材料和基板 14 材料的性能变化，并确定了它们在柔性器件失效机制中的关系。15 在热老化条件下，树脂的硬化与测试载体中的分层有关，这会导致功能性电气性能的丧失。降解是由于在 120°C 的热氧化过程中发生了突出的交联 17 反应。疲劳 18 应力测试后，树脂会发生适度硬化。虽然后者的硬化同样与交联反应有关，但在这里，硬化 19 不能由树脂的热降解引起，因为所用的应力频率很低。20 相反，热机械耦合发生在两个阶段。在温和条件下，降解 21 机制对应于热老化和疲劳过程的综合效应。在更严酷的热机械条件下，断链机制变得更加有效，并导致树脂软化 23。24
JCI手册第五版
目标是确定Thevenin和Norton形式中的开路输出电压。由于电路打开时没有电流流，因此源电压出现在整个负载上。这意味着以Thevenin形式的开路输出电压仅仅是源电压。要以诺顿的形式找到开路输出电压，我们可以使用欧姆定律来计算等效电阻，然后将其应用于源电压。其余的文本似乎是Adel S. Sedra和Kenneth C. Smith的出版物“微电子电路”的版权通知和确认。它还包含第1-16章的练习解决方案，其中包括与微电子电路有关的问题和答案。最后，有一些特定的练习（例如ex：1-1）当输出端子打开或短路以及其他涉及电阻器，电容器和电压源的计算时，涉及计算开路输出电压。在此处给出的文字：x 35 cm/s'=）lpvt“'a。：12.4 cm2/s j> nd aqu :(。1._！！，/！ + jl！c ..），n v equationl .. 5u（，l，n，〜1。，lo“'x 1.6 x i（）x [v w〜-'----------' - 等式1。52 x J'x 5 19：>> np nn i :::: w·_ ;;;''' i，（e \'/\'.. 1· - i）ly，l，。，•。r：quatjon 1〜。。; -3（。1 N1）。; v，ex：l。 36 ::。a，1，v“ w /l 1。< /div>（）〜x x•j 1（）。1.6 x 10-IQ 1.66>：10 11（_！_--- + ___ 1 _，）（0.814- 0.605）ern！（} ix 10 1“ 0.166 ij.rll r;：。〜-〜- ~~ - a .j2〜sqn 0 V 0 kx：1。37 [“” V〜IN .- 〜Ampk n〜。> 1。2;>'f。，，，\ 1，ii，11。：10' /em·和V1 1••，。“ < /div>~~“'”〜------，〜-〜“” t〜'（〜;•;〜）v，。+ vi？io“ tnn'll-？> - :: ll）''）'10“'（，j）l {u〜ign q1）
铁路运输自动化和遥测系统用集成微电子脉冲整形器
摘要：集成式微电子脉冲整形器应用于铁路自动化和遥测系统，对保证列车行车安全具有重要意义，可完全替代轨道和摆式发射机，根据微电子器件在生产过程中的原理和研究，给出了该装置的电路。实验证明，集成式微电子脉冲整形器在产生并行码时互不干扰。给出了基于贝叶斯方法计算的数值，诊断了该装置的可靠运行。并在实际车站将该装置接入实际运行系统，进行了实验验证。
突破聚吡咯电化学性能极限，打造稳定的微电子设备
传感器材料配置响应时间（毫秒）循环参考文献 LMs-TPE 管状 50 3500 [S12] 垂直石墨烯 (VGr) 堆叠 180 1000 [S13] MXene/TiS 2 交错 1000 至 5000 2500 [S14] MWCNTs/PVC 堆叠 110 2500 [S15] MXene/CF 交错 50 1000 [S16] PI/CNT 气凝胶堆叠 50 1000 [S17] Ti 3 C 2 T x -MXene 堆叠 98 10,000 [S18] PEDOT-CNT@rGO 交错 0.9 2500 本研究
用于周围神经刺激应用的用途密封的密封的微电子植入物
本文提供了一个多功能的神经刺激平台，该平台具有完全可植入的多通道神经刺激剂，用于长期进行涉及周围神经的大型动物模型。该植入物在陶瓷外壳中密封并封装在医疗级有机硅橡胶中，然后在100℃的加速衰老条件下连续15天进行了主动测试。刺激器微电子技术以0.6 µm CMOS技术实现，并采用串扰降低方案，以最大程度地减少跨渠道干扰，以及用于无电池操作的高速功率和数据遥测。配备了蓝牙低能无线电链路的可穿戴发射器，定制的图形用户界面可实时，远程控制的刺激。三个平行刺激器在三个通道上提供了独立的刺激，在三个通道中，每个刺激器通过多重刺激部位支持六个刺激位点和两个返回位点，因此植入物可以在多达36个不同的电极对时促进刺激。提出了电子产品的设计，密封包装的方法和电性能以及盐水中用电极进行体外测试。