XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemoscillator
Oscillator without equilibrium and linear terms - IRIS
tors, vice versa, conservative chaotic oscillators do not loss energy over time. Their orbits appear on the surface exhibiting constant en- ergy in phase space. Despite their chaotic nature, the orbits of these oscillators remain within conserved boundaries. Recently, there are peculiar chaotic oscillators that do not precisely fit within conserva- tive or dissipative categories. This kind of high complicated oscillators can interact with both. It operates according to principles of conser- vation and dissipation of energy, or defies traditional classification. Their behavior is particularly fascinating and provides insight into the diversity of chaos in different environments. Conservative and dissi- pative chaotic oscillators are structurally stable. However, the initial conditions fall within the chaotic basin or not, the orbits of such os- cillators whether chaotic or not are bounded. On the other hand, the behavior of a peculiar chaotic may change suddenly. Depending on its conditions, it can respond with either bounded or unbounded oscilla- tion. Therefore, designing and studying such peculiar oscillators is a very hard task. For example, having a positive, zero and negative Lya- punov exponents of three dimensional autonomous chaotic oscillator with unstable equilibrium points, the boundedness of its orbits under all possible initial conditions does not necessarily guarantee. Consequently, the basin of attraction is an essential tool that should be used to recog- nize the chaotic and other dynamics, particularly, for peculiar chaotic dynamics.
使用双门MOSFET
摘要 - 使用Double-Gate（DG）MOSFET设计了差分交叉耦合电压控制的振荡器（VCO）。DG MOSFET具有高噪声图的出色噪声免疫力，适用于低功率，高频应用。该提出的VCO是使用差分拓扑设计的，具有提高功耗，设计灵活性和降低噪音的提高。这也提高了现有差分放大器的高频性能。此后，将提出的VCO与制造和设计方法进行了比较，尤其是基于硅的CMOS和单栅（SG）MOSFET VCOS（可能）的替代方法。遵循各种印刷电路板（PCB）设计实践，以最大程度地减少噪声并提高电路的整体效率。进行该VCO分析的关键参数是功率的输出功率，相位噪声和数字，在峰值处已实现为-2.91 dbm和1 MHz的-69.79 dbc/hz。设计VCO的功耗为36兆瓦。关键字 - MOSFET，双门MOSFET，差分放大器，微电子，纳米技术，VLSI，VCO。1。简介
扩展腔二极管激光主振荡器电源...
典型的性能波长767 nm（k），780 nm（rb）871 nm（yb +），1064 nm（yag）1070 nm（al +）光学功率> 30mw30mw内在线宽5 <3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHzfWHm linewidth（fwhm linewidth（10°S）5 <100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<<100 khz <<<100 khz <<<<<<<<100 khz。足迹25 x 80mm²质量40 g空间资格和任务
使用低温蓝宝石振荡器改进离子阱量子计算机
我们描述了一种灵活的微波合成系统，该系统由一个超低相位噪声低温蓝宝石振荡器 (CSO) 设计，可用作镱离子 (Yb+) 量子比特的主时钟。我们报告称，使用该合成系统，量子比特相干时间从 0.9 秒提高到 8.7 秒，提高了 10 倍，单量子比特量子门的误差为 1.6e-6。使用滤波函数方法 [1]，我们发现证据表明，0.9 秒的宝贵相干性受到精密级商用现成微波合成器 [1] 的相位噪声的限制。此外，我们还利用微波合成系统的灵活性来演示贝叶斯学习算法，该算法可以自主设计信息优化的控制脉冲来识别和校准定量动力学模型，以表征囚禁离子系统。我们通过实验证明，新算法在少量样本的情况下超过了传统校准方法的精度 [2]。
克尔介质中驱动参量振荡器的量子动力学
相干态是一个重要的概念，其特征值关系为 ˆ a | α = α | α as，是研究和描述辐射场的一个非常方便的基础，它是由薛定谔于 1926 年在对量子谐振子的研究 1 – 4 中首次提出的。然而，基于相干态和光电检测的量子相干理论已由 Glauber、Wolf、Sudarshan、Mandel、Klauder 等人在 20 世纪 60 年代初发展起来，它与经典辐射场中的量子态最为相似，因此被认为是经典力学和量子力学的边界。Glauber 的创新工作于 2005 年获得诺贝尔奖，以表彰他。事实上，相干态已经成为量子物理学中最常用的工具之一，在各个领域，特别是在量子光学和量子信息中发挥着非常重要的作用。相干态使我们能够使用 Wigner 等人早期开发的准概率来描述光在相空间中的行为 7 。相干态的重要性在于它们的概括已被证明能够呈现非经典辐射场特性 8 – 10 。激光作为一种极具潜力的相干光的表现标志着对光与物质之间非线性相互作用的广泛研究的开始 11 。这可以通过实验通过将相干态穿过克尔介质来实现，这是由于出现了可识别的宏观相干态叠加，即所谓的猫态 12 。当克尔介质的入口状态是正则相干态时，Kitagawa 和 Yamamoto 引入了克尔态作为克尔介质的输出 13 。克尔效应会产生正交压缩，但不会改变输入场光子统计特性，即它仍然是泊松分布，这是正则相干态输入的特性，用于产生相干态的叠加 14 – 16 。这里值得注意的是，光在克尔介质中的扩散也以非谐振荡器样本为特征，非谐项取为 ˆ np ，其中 p 为整数（p > 1）17 , 18 。该振荡器模式可以被评估为描述注入具有非线性磁化率的传输线（例如光纤）的相干态的演变。用相干态的量子力学描述的激光束在通过非线性介质时会经历各种复杂的改变，包括量子态的崩溃和复活。在任何线性或非线性的演变中，耗散总是会发生。耗散效应通常导致振幅的减小，但是，如果相互作用发生在原子尺度上，量子效应就会很显著 19。非线性相干态是标准相干态最突出的概括之一 20 。一个合适的问题是：如果初始相干态的时间演化受到时间相关谐振子哈密顿量的影响，并与时间相关外部附加势 21 – 24 耦合，会发生什么情况？时间相关谐振子有很多种，例如参数振荡器 11、25 、卡尔迪罗拉-卡奈振荡器 26、27 和具有强脉动质量的谐振子 28 。
Kerr介质中驱动参数振荡器的量子动力学
在本文中，我们第一次分析了质量和频率时间依赖性的参数振荡器。我们表明，可以从另一个参数振荡器的进化算子获得恒定质量和时间依赖频率的进化算子，然后是时间转换t→r t 0 dt'1 / m（t'）。然后，我们通过研究沿振荡器运动的时间依赖性力的影响，在Kerr培养基的影响下，在Kerr培养基中，参数振荡器的量子动力学进行。从分析和数值的观点分析了时间依赖性振荡器的量子动力学，这是两个主要策略：（i）小kerr参数χ，以及（ii）小构件参数k。在以下内容中，为了调查生成状态的特征和统计特性，我们计算自相关函数和mandel Q参数，并且为了更详细地说明，我们在相位空间上获得了（Quasi）概率分布，例如Glauber -Sudarshan P-功能和Husimi分布，并作为非classicality Criteriation。
基于电磁带隙谐振器的新型毫米波振荡器
如今，基于石英谐振器的参考振荡器的工作频率被限制在几百兆赫。从这样的参考振荡器中获取千兆赫范围的信号需要倍频或频率合成。然而，倍频过程会根据倍频系数的 20log 10 增加输出信号的相位噪声，同时也会增加电路的复杂性。从这个意义上讲，直接在毫米 (mm-) 波段的基频上产生 LO 信号是有利的。然而，这需要一个高质量 (Q-) 因子谐振器，最好在几千兆赫下工作。采用金属腔的传统无源谐振器的 Q 因子受到金属中的电阻损耗的限制。或者，基于陶瓷谐振器的直接在基频下工作的振荡器提供平均相位噪声，并且通常在 25 GHz 以上不可用。
使用FinFet的设计和FPGA实现环振荡器
摘要本文提出了一种新的技术，可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET（Fin Type Field效应晶体管）技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET，凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因，与大多数对应物相比，小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明，使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA，而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字：FinFET技术，环振荡器，CMOS技术
