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摘要本文提出了一种新的技术，可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET（Fin Type Field效应晶体管）技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET，凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因，与大多数对应物相比，小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明，使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA，而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字：FinFET技术，环振荡器，CMOS技术
使用FinFet的设计和FPGA实现环振荡器
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