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I2S 输出数字麦克风 - Adafruit
即使走线电气长度不长，R41-R44 也可用作阻尼电阻（27-51 欧姆），通过减少由杂散电感和电容引起的过冲和振铃来改善信号完整性。无论哪种情况，R41-R44 都应尽可能靠近驱动走线（信号源）的设备。如果电容器和麦克风之间的走线电感最小化，去耦电容器（C32-33、C34-35）最有效。这可以通过使用短而宽的走线来实现。如果在麦克风下方使用接地平面，则使用过孔将电容器接地垫直接连接到平面，而无需使用任何走线。
I2S 输出数字麦克风 - Adafruit
即使走线电气长度不长，R41-R44 也可用作阻尼电阻（27-51 欧姆），通过减少由杂散电感和电容引起的过冲和振铃来改善信号完整性。无论哪种情况，R41-R44 都应尽可能靠近驱动走线（信号源）的设备。如果电容器和麦克风之间的走线电感最小化，去耦电容器（C32-33、C34-35）最有效。这可以通过使用短而宽的走线来实现。如果在麦克风下方使用接地平面，则使用过孔将电容器接地垫直接连接到平面，而无需使用任何走线。
技术尖头 - vlsi-2022-final.pdf
近年来，IMEC开发了其埋藏的电力导轨（BPR）技术，将晶体管下的功率导轨推动了较低的IR下降和增加路由密度的双重好处，因为信号路线和动力路线不再存在路线冲突。此处IMEC通过新颖的路由方案报告了缩放的FinFET，从而通过BPR从两个晶圆侧启用了功率连接。在VIAS模式接触到P/N S/D-EPI和BPR之后的前沿，在单个金属化步骤中使用优化的Prectean进行，同时保留良好的接触接口。晶圆翻转后，粘合和极度变薄，高度缩放的323nm深纳米 - 直通式 - 抗数（NTSV）在BPR上土地，具有紧密的覆盖控制和不变的BPR耐药性。通过将动力输送网络转移到背面，它提供了较少的动态和静态IR降低，从2NM设计规则下为低功率64位CPU生成的芯片电源热图预测。p/nmos在背面处理后显示出相似甚至上级离子-IOFF，并且添加了额外的退火，以进行VT恢复，移动性和BTI改进。
使用扰动结构
摘要 - 在此简介中，根据所提出的三模式SIW模式的siW共振腔，在此简介中，具有高选择性和可控制的中心频率的两个紧凑型三波段底物（SIW）带通滤波器（BPFS）具有高选择性和可控制的中心频率。第一个分析了三模式SIW腔的谐振特性，并且某些关键参数对谐振频率的影响相对较大，以进一步阐明vias扰动的Siw腔结构的可触发控制。使用单层底物设计了提议的三模式SIW腔的超级性，这是一个三层SIW BPF的原型，以11.18、12.61和13.33GHz为中心，是使用单层底物设计的。为了进一步降低占用尺寸，可控制中心频率为11.93、13.21和14.12GHz的三频SIW BPF是基于电气和磁耦合结构的，使用两个层基板构建。拟议的三波段BPF均表现出六个传输零（TZS），从而产生了良好的带外拒绝。测得的结果与模拟的结果非常吻合。
京瓷 AVX 薄膜技术
• 电感器：多层多圈铜和金电感器 • 钝化材料：SiON、Si 3 N 4 、BCB 和聚酰亚胺 • 过孔：溅射、增强镀层、填充和城堡状 • I/O：BGA、LGA、边缘包裹、通孔和引线或带状键合 • 加工： - CO2 切割、钻孔和划线 - 金刚石锯切割 - 背面研磨和抛光 • 组装： - 高精度 0201 或更大尺寸的拾取和放置 - 通过引线或带状键合、BGA、LGA 或表面贴装回流进行连接 - 封装 • 测试： - MIL-STD-105D II 级抽样 - MIL-STD-883 100% 目视检查 - 电容、绝缘电阻和电阻率 - 高达 40 GHz 的射频测试
验证杜邦LTCC 951系统的替代ROHS符合ROHS的糊状
摘要限制了某些危险物质（ROHS）的使用限制于2006年7月1日生效。设备程序需要从其供应商那里获得材料声明或合规证书。某些豁免该法规，例如RF端口和某些医疗应用，仍然允许使用不合同材料的LTCC产品生产LTCC产品。但是，对没有镉或铅的LTCC产品的需求不断增长。自2006年底以来，杜邦（Dupont）一直为已建立产品提供无CD的AU糊状物。用于连接的内部和外部导体，AU糊5734经常使用LTCC制造商使用。替代的ROHS填充糊为CDF34型。对于销钉，选项卡和框架悬挂，AU糊剂5062D（粘附层）和5063D（屏障层）的组合是MSE的LTCC零件的首选。无CD版本是5062E型和5063E。MSE根据一个全面的测试计划验证了所有三个新糊状，该计划包括五个不同的CDF34测试布局，另外两个用于5062E和5063E。同时构建了Corre-sponds的参考部分，以具有确切的比较功能。CDF34的验证包括对键合的研究以及电阻终止，VIA和粘合键组件的可靠性。此外，测试了横向迁移（绝缘电阻）。5062E和5063E验证包括焊接组件的可靠性，焊接垫中的VIA以及框架和底板的焊接。不同的测试单元包括视觉检查，横截面，初始测量和热循环后的结果，热休克，温度和湿度暴露。
柔性基板上薄硅片的倒装芯片组装
减薄硅芯片在柔性基板上的倒装芯片组装 Tan Zhang、Zhenwei Hou 和 R. Wayne Johnson 奥本大学 阿拉巴马州奥本 Alina Moussessian 和 Linda Del Castillo 喷气推进实验室 加利福尼亚州帕萨迪纳 Charles Banda 物理科学实验室 摘要 将减薄硅芯片（25-100 µ m）组装到柔性基板上为从智能卡到太空雷达等各种应用提供了超薄柔性电子产品的选择。对于高密度应用，可以通过堆叠和层压预组装和测试的柔性层然后处理垂直互连来制造 3-D 模块。本文介绍了将减薄芯片倒装芯片组装到聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP) 柔性基板上的工艺。已经开发出两种用于聚酰亚胺和 LCP 柔性基板的组装方法。在第一种方法中，将焊料凸块芯片回流焊接到图案化柔性基板上。需要使用夹具在回流期间保持柔性基板平整。回流之后是底部填充分配和固化。底部填充分配工艺对于避免底部填充流到薄硅片顶部至关重要，我们将在下文中讨论这一工艺。在第二种方法中，通孔通过聚酰亚胺或 LCP 蚀刻，露出接触垫的底面。将焊膏挤入通孔，回流并清洗，在通孔中形成焊料“凸块”。对浸焊产生的具有低轮廓焊料凸块的芯片进行焊剂处理、放置和回流。然后对芯片进行底部填充。这种方法可降低总组装厚度。简介为了满足单芯片和堆叠芯片封装中不断降低的轮廓要求，正在开发薄芯片的组装工艺。1-4 柔性基板（25-50 µ m）提供了一种进一步减小封装厚度的方法。减薄的 Si-on-flex 结构也有利于太空应用。减薄的 Si 虽然易碎，但也很灵活。减薄的 Si-on-flex 可以卷成管状进行发射，并在太空中展开，从而形成带有集成电子设备的大面积天线。组装减薄的 Si-on-flex 必须解决的问题包括：基板设计和制造、减薄后的凸块、芯片处理、回流期间的基板平整度和底部填充分配。这些将在以下章节中讨论。基板本工作中使用了两种柔性基板材料：聚酰亚胺和液晶聚合物 (LCP)。LCP 特性包括 100GHz 下的良好介电性能、低吸湿性和极低的透湿性。5-13 LCP 的热膨胀系数 (CTE) 可以在 LCP 薄膜的双轴挤出过程中控制。市售薄膜的 CTE 为 8 和 17ppm/o C。在本工作中使用 8ppm/o C LCP 薄膜。在用于倒装芯片组装的传统柔性基板设计中，铜芯片连接点的图案化位置与芯片组装位置在柔性薄膜的同一侧（图 1）。阻焊层用于定义可焊焊盘区域（顶面设计）。另一种方法是蚀刻聚酰亚胺或 LCP 通孔，露出铜焊盘的底面（背面设计）。通孔通过激光钻孔或反应离子蚀刻 (RIE) 制成。倒装芯片从铜图案的对面组装（图 2），从而无需阻焊层并减小了总厚度。这种方法的另一个优点（低轮廓凸块）将在后面介绍。顶面聚酰亚胺基板由约翰霍普金斯大学应用物理实验室制造，而激光钻孔背面 LCP 设计由 STS ATL 公司制造。背面 (RIE) LCP 和聚酰亚胺基板由奥本大学制造。只需一层金属即可布线菊花链芯片互连图案。
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
chiplet使用互连层与高密度混合底物的异质整合
摘要在这项研究中，研究了用于chiplets的高密度有机杂交底物异质整合。重点放在与互连层的杂种底物的设计，材料，过程，制造和表征上。进行了非线性有限元分析，以显示填充有互连层导电糊的VIA处的应力状态。关键词chiplets，异源整合，杂交底物，互连层，扇出面板级芯片last I.对2.1D IC积分的简介，具有细金属线宽度（L）和间距（S）的薄膜层（无芯底物）在堆积包装基板的顶层上制造，并成为混合基板[1-5]。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物很难控制，并且可能非常大。为2.3D IC积分，精细的金属L/S底物（或插头）和堆积包底物是分别制造的[6-15]。之后，细金属L/S底物和堆积封装基板通过焊接接头互连为混合基板，并通过底漆增强。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物更易于控制和较小。在这项研究中，精细的金属L/S底物和堆积封装基板或高密度互连（HDI）也被单独制造，然后通过互连层组合。这与2.3d IC集成非常相似，除了焊接接头和底部填充，被取消，这些焊接被互连层取代。互连层约为60μm，由填充有导电糊的预处理和VIA（底部为100μm直径为100μm，直径为80μm），并且处于β级。精细的金属L/S无烷基基材（37μm厚度）是由PID（可令人刺激的介电），LDI（激光直接成像）和PVD（物理蒸气沉积），Photoresist和LDI，LDI，LDI，