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300 毫米硅光子学的异质集成...
引言硅光子学和三维 (3-D) 集成是实现更高性能计算设备的新兴技术。与传统电互连相比，使用光子元件的几个主要优势是更低的功耗、更低的延迟和更高的带宽。此外，硅光子学与当前的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术完全兼容，这使得可以直接过渡到集成电路 (IC) 制造 [1-4]。3-D IC 技术通过晶圆（或芯片）堆叠实现了硅光子学与传统 CMOS 技术的异构集成 [5-9]。异构晶圆堆叠是通过直接氧化物晶圆键合和称为氧化通孔 (TOV) 的 3-D 互连来实现的。直接氧化物晶圆键合为下游处理提供了强大的物理系统，并实现了高吞吐量的可制造性。此外，与传统的硅通孔 (TSV) 相比，后通孔方案中集成的 TOV 对 Si 光子学至关重要，因为它们的通孔电容较低，在此工艺中测得每个通孔的电容为 1.45 fF，从而
分形高阻抗表面晶胞特性设计与分析
摘要：分形几何始终为多个电磁设计问题提供解决方案。本文使用分形几何（例如希尔伯特曲线和摩尔曲线）来设计高效的高阻抗表面。现代通信设备有许多传感器需要进行无线通信。无线通信的关键组件是天线。平面微带贴片天线因其低轮廓、紧凑和良好的辐射特性而广受欢迎。微带天线的结构缺点是它们的表面波会在接地平面上传播。高阻抗表面 (HIS) 平面是最小化和消除表面波的突出解决方案。HIS 结构表现为有源 LC 滤波器，可抑制其谐振频率下的表面波。结构的谐振频率通过其 LC 等效或通过分析反射相位特性获得。这项工作提出了类似于蘑菇 HIS 和分形 HIS 的传统 HIS 结构，例如希尔伯特曲线和摩尔曲线 HIS。通过应用平面波照射的周期性边界条件，可以获得 HIS 反射相位特性。结果是根据反射相位角得出的。传统的蘑菇结构在给定的 10 mm × 10 mm 和 20 mm × 20 mm 尺寸下表现出窄带特性。这些结构有助于更换 6 GHz 以下贴片天线的 PEC 接地平面。还设计了希尔伯特和摩尔分形，它们具有多频带响应，可用于 L、S 和 C 波段应用。HIS 的另一个设计挑战是突起，这增加了设计的难度。这项工作还展示了有通孔和无通孔对反射相位特性的影响。响应显示，在 x 波段操作下，通孔的影响最小甚至没有显著影响。
白皮书整流器二极管 - 新开发项目
在单层FR-4样式的PCB上，焊接垫的大小是整体热量升压的主要贡献者。两层和4层PCB降低了热电阻。使用热vias是另一个不错的选择。在更高的功率设计中，有时会发现更昂贵的IMS基材。在所有这些设计中，总体热沉积较少依赖于非常大的焊料垫，而小型化是一种选择，并且可以增加功率散发。TSC还推出了2个新软件包-SMPC4.0和TO277A - 带有裸露的垫子。这些软件包为Diodes Inc和Vishay提供了第二来源。裸露的垫子可以大大帮助减少与消散功率相关的板空间。他们还通过降低RTHJ-l来减少TJ，从而提高可靠性。也是一个称为SOD123HE软件包的较小包装。
TSV应力演变映射使用在线拉曼光谱
使用在线拉曼光谱法开发了通过 - 硅vias（TSV）阵列内的应力演化的全面图片。一组具有不同TSV几何形状和金属种子衬里厚度的晶圆暴露于各种退火条件。监测VIA之间的Si-Si声子模式移动，通过几何形状和加工条件对Si底物中应力的影响是无损的。紧密靠近TSV的压缩应力。然而，对于带有小TSV音高的阵列，底物在VIA之间的空间中并没有完全放松，而是在阵列内积聚拉伸应力。这种病间应力随着TSV螺距的降低而增加，积聚向阵列的中心，并在很大程度上取决于退火条件。阵列中的高分辨率拉曼图显示了TSV阵列中应力分布的全部图片。通过使用不同的激发波长，探测了Si晶片中应力的变化。这些发现证明了对过程依赖性压力信息的在线访问的价值。此知识有助于定义设计基本规则，以获得最高设备性能或最大化晶体上可用区域的逻辑设备。
基于...
该病毒使用存在于其表面上的尖峰蛋白来识别其细胞表面接收器，即血管紧张素2（ECA 2）的转化酶，进入宿主细胞细胞质和复制（Chugh等，2021年）。该病毒探索了宿主的细胞机制以获取细胞的访问：其尖峰蛋白被连接ECA2后立即从宿主细胞表面的跨膜蛋白酶2（TMPRS2）丝氨酸切割，然后在叶片裂解位点进行蛋白水解活化。该病毒主要到达呼吸道的上皮，该呼吸道被强烈调节的气道表面的一层液体覆盖，该液体是针对呼吸道病原体的主要防御机制。该流体层的体积和粘度受呼吸上皮中不同运输道路的协调功能调节和维持。研究人员认为，SARS-COV-2可以显着改变接收器信号通路与GPCR（GPCR）耦合，从而改变了阴离子分泌和吸收钠的微妙平衡，从而控制了该流体层的稳态，从而减少了离子和肺部液体的运输。因此，病理生理级联反应开始，导致肺水肿，肺水肿是COVID -19的最严重和可能致命的临床表现之一（Hameid等，2021）。
使用表面贴装功率器件处理热量
对于高功率应用，例如电动汽车 (EV) 车载和非车载电池充电器，使用热通孔散热并不切实际，因为对热阻抗的影响有限。由于 IMS 方法也已被排除在此类应用之外（虽然单面 PCB 设计可能存在可靠性问题，因为它们需要控制信号通过连接器从另一个 PCB 发出，但多层设计的更奇特的解决方法会增加复杂性和制造成本），因此我们研究了 AlN 方法。
CB5712 5GHz WLAN前端模块
电路设计注意事项 以下设计注意事项是一般性的，无论最终用途或配置如何，都必须遵循： 接地路径应尽可能短。 CB5712 的接地垫具有特殊的电气和热接地要求。此垫是散热的主要热导管。由于电路板充当散热器，因此必须尽可能多地分流设备产生的热量。因此，设计接地垫的连接以消散电路板产生的最大功率。需要多个通往接地层的过孔。
使用量子金刚石显微镜对 8 nm 工艺节点芯片和 3D 电流分布进行矢量磁流成像 Sean M. Oliver, 1,2,*
摘要 业界采用三维 (3D) 微电子封装的趋势日益增长，这要求开发新的创新型故障分析方法。为此，我们的团队正在开发一种称为量子金刚石显微镜 (QDM) 的工具，该工具利用金刚石中的一组氮空位 (NV) 中心，在环境条件下同时对微电子进行宽视野、高空间分辨率的矢量磁场成像 [1,2]。在这里，我们展示了 8 nm 工艺节点倒装芯片集成电路 (IC) 中的二维 (2D) 电流分布和定制多层印刷电路板 (PCB) 中的 3D 电流分布的 QDM 测量结果。倒装芯片中 C4 凸块发出的磁场在 QDM 测量中占主导地位，但这些磁场已被证明可用于图像配准，并且可以减去它们以分辨芯片中微米级相邻的电流轨迹。通孔是 3D IC 中的一个重要组件，由于其垂直方向，因此仅显示 B x 和 B y 磁场，而使用传统上仅测量磁场 B z 分量（正交于 IC 表面）的磁强计很难检测到这些磁场。使用多层 PCB，我们证明了 QDM 能够同时测量 3D 结构中的 B x 、B y 和 B z 磁场分量，这对于在电流通过层之间时解析通孔产生的磁场非常有利。两个导电层之间的高度差由磁场图像确定，并与 PCB 设计规范相符。在我们为以下提供进一步 z 深度信息的初始步骤中